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技術 成膜装置および成膜方法

出願人 株式会社ジーティシー
発明者 綿谷公秀井澤秀雄森本弘
出願日 1994年7月20日 (25年11ヶ月経過) 出願番号 1994-168437
公開日 1996年2月6日 (24年4ヶ月経過) 公開番号 1996-035067
状態 特許登録済
技術分野 CVD 気相成長(金属層を除く)
主要キーワード シャワー機構 常圧CVD法 低融点基板 多層金属配線層 シャワー室内 絶縁シール 反応炉壁 化学気相析出法
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(1996年2月6日)のものです。
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図面 (10)

目的

成膜時の中間生成物の生成を少なくして、基板面内での膜質などのばらつきを低減させ、面内ばらつきの少ない良好な膜を成膜する。

構成

CVD成膜装置であって、シャワー室17と、シャワー室内17を隔壁仕切って設けられた隔室10と、シャワー室17に第1のソースガスを供給するシャワー室ガス供給管13と、隔室10に第2のソースガスを供給する隔室ガス供給管12と、基板4に対向し、シャワー室17内のソースガスを基板4に向かって噴き出す多数のシャワー室噴き出し孔27および隔室10内のソースガスを基板4に向かって噴き出す多数の隔室噴き出し孔11が形成された噴き出し面6aとからなるシャワー6を備えてなり、噴き出し面6a内において、シャワー室噴き出し孔27および隔室噴き出し孔11の少なくとも一方の分布密度が噴き出し面6aの中央部で高く、周辺部で低くなっている。

概要

背景

一般に、ガラスなどの低融点基板上に薄膜トランジスタなどを作製する際には、多層金属配線層絶縁膜ゲート絶縁膜などが形成され、その場合、SiH4もしくは有機シラン材料を用いたプラズマCVD(Cemical Vapor Deposition)法あるいは常圧CVD法などを用いてSiO2が形成される。

図6は従来の、プラズマCVDを用いて絶縁膜等を成膜するための成膜装置の内部構造を示した概略断面図である。反応炉壁1で囲まれた反応炉室2中において、サセプター3に基板4が支持されている。サセプター3は、その背面に設けられたヒーター5で加熱されている。符号6はソースガスを基板4に供給するためのシャワーを示す。シャワー6は、シャワー室17と、このシャワー室17と反応炉室2の外部とに連通するガス供給管8と、基板4に対向して多数の噴き出し孔7を有する噴き出し面6aとからなる。そしてガス供給管8からシャワー室17内へ供給されたガスが、噴き出し孔7から基板4に向かって噴き出されるようになっている。またシャワー6は、反応炉室2の外部においてRF(高周波電源に接続されている。さらにシャワー6の噴き出し孔7は、図7に示すように、その大きさ、およびシャワーの噴き出し面6aにおける面内分布密度が均一に設けられており、これによって基板4に噴き付けられるガスの量が基板4の面内で均一になるように構成されている。そして成膜を行なう際には、シャワー6から基板4にソースガスを供給しつつ、シャワー6にRFを印加して電極を兼ねたシャワー6と基板4との間で放電を起こさせる。このことにより基板4上にはプラズマCVDによって成膜された薄膜ができる。

概要

成膜時の中間生成物の生成を少なくして、基板面内での膜質などのばらつきを低減させ、面内ばらつきの少ない良好な膜を成膜する。

CVD成膜装置であって、シャワー室17と、シャワー室内17を隔壁仕切って設けられた隔室10と、シャワー室17に第1のソースガスを供給するシャワー室ガス供給管13と、隔室10に第2のソースガスを供給する隔室ガス供給管12と、基板4に対向し、シャワー室17内のソースガスを基板4に向かって噴き出す多数のシャワー室噴き出し孔27および隔室10内のソースのガスを基板4に向かって噴き出す多数の隔室噴き出し孔11が形成された噴き出し面6aとからなるシャワー6を備えてなり、噴き出し面6a内において、シャワー室噴き出し孔27および隔室噴き出し孔11の少なくとも一方の分布密度が噴き出し面6aの中央部で高く、周辺部で低くなっている。

目的

しかしながら、このような従来の装置を用いてCVDを行なう際には、基板の中央部では供給されたガスの反応が不十分となり中間成生物が多く存在する。そのため、基板上、特に基板中央には上記中間成生物が多く残留し、これが膜中に取り込まれることになる。その結果、基板中央部で膜中欠陥が多くなり膜質が悪くなるといった問題が生じていた。また、このようにして作製された基板は基板面内の電気的特性など、面内特性のばらつきがあり、これを用いて半導体集積回路、特に液晶ディスプレイのような大面積製品を製造するのは困難であった。本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、成膜時の中間生成物の生成を低減せしめ、基板面内における膜質が均一な膜が得られるようにした成膜装置および成膜方法の提供を目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
4件
牽制数
8件

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請求項1

化学気相析出法により基板上に薄膜成膜する装置であって、シャワー室と、該シャワー室にソースガスを供給するガス供給管と、上記基板に対向し上記シャワー室内ガスを該基板に向かって噴き出す多数の噴き出し孔が形成された噴き出し面とからなるシャワーを備えてなり、上記噴き出し面内における上記噴き出し孔の分布密度が不均一であることを特徴とする成膜装置

請求項2

上記噴き出し孔の分布密度が、上記噴き出し面の周辺部よりも中央部のほうが高くなっていることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。

請求項3

化学気相析出法により基板上に薄膜を成膜する装置であって、シャワー室と、該シャワー室にソースガスを供給するガス供給管と、上記基板に対向し上記シャワー室内のガスを該基板に向かって噴き出す多数の噴き出し孔が形成された噴き出し面とからなるシャワーを備えてなり、上記噴き出し孔の大きさが不均一であることを特徴とする成膜装置。

請求項4

上記噴き出し孔の大きさが、上記噴き出し面の周辺部よりも中央部のほうが大きくなっていることを特徴とする請求項3記載の成膜装置。

請求項5

上記シャワーが高周波電源に接続され、該シャワーと上記基板間の放電によって、該基板上にプラズマ化学気相析出法による薄膜が形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の成膜装置。

請求項6

化学気相析出法により基板上に薄膜を成膜する装置であって、シャワー室と、該シャワー室内を隔壁仕切って設けられた隔室と、上記シャワー室にソースガスを供給するシャワー室ガス供給管と、上記隔室にこれとは別のソースガスを供給する隔室ガス供給管と、上記基板に対向し、上記シャワー室内のソースガスを該基板に向かって噴き出す多数のシャワー室噴き出し孔および上記隔室内のソースのガスを該基板に向かって噴き出す多数の隔室噴き出し孔が形成された噴き出し面とからなるシャワーを備えてなり、上記噴き出し面内において、上記シャワー室噴き出し孔および隔室噴き出し孔の少なくとも一方の分布密度が不均一であることを特徴とする成膜装置。

請求項7

上記シャワー室噴き出し孔および隔室噴き出し孔の少なくとも一方の分布密度が、上記噴き出し面の周辺部よりも中央部のほうが高くなっていることを特徴とする請求項6記載の成膜装置。

請求項8

化学気相析出法により基板上に薄膜を成膜する装置であって、シャワー室と、該シャワー室内を隔壁で仕切って設けられた隔室と、上記シャワー室にソースガスを供給するシャワー室ガス供給管と、上記隔室にこれとは別のソースガスを供給する隔室ガス供給管と、上記基板に対向し、上記シャワー室内のソースガスを該基板に向かって噴き出す多数のシャワー室噴き出し孔および上記隔室内のソースガスを該基板に向かって噴き出す多数の隔室噴き出し孔が形成された噴き出し面とからなるシャワーを備えてなり、上記シャワー室噴き出し孔および隔室噴き出し孔の少なくとも一方の大きさが不均一であることを特徴とする成膜装置。

請求項9

上記シャワー室噴き出し孔および隔室噴き出し孔の少なくとも一方の大きさが、上記噴き出し面の周辺部よりも中央部のほうが大きくなっていることを特徴とする請求項8記載の成膜装置。

請求項10

上記シャワーが高周波電源に接続され、該シャワーと上記基板間の放電によって、該基板上にプラズマ化学気相析出法による薄膜が形成されることを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載の成膜装置。

請求項11

基板に対してソースガスを供給し、化学気相析出法により該基板上に薄膜を成膜する方法であって、上記基板の成膜面内におけるソースガスの供給量が不均一であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の成膜装置を用いた成膜方法

請求項12

基板に対して第1のソースガスおよびこれとは別の第2のソースガスをそれぞれ供給して該基板上でこれらを反応せしめ、化学気相析出法により該基板上に薄膜を成膜する方法であって、上記第1のソースガスおよび第2のソースガスの少なくとも一方のガスの上記基板への供給量が、該基板の成膜面内において不均一であることを特徴とする請求項6〜10のいずれかに記載の成膜装置を用いた成膜方法。

請求項13

上記第1のガスとして有機シランガスを用い、上記第2のガスとして酸素ガスを用い、有機シランガスの上記基板への供給量が該基板の成膜面内において均一であり、かつ酸素ガスの上記基板への供給量が該基板の成膜面内において不均一であることを特徴とする請求項11記載の成膜方法。

技術分野

0001

本発明は半導体装置などを製造する際に適用される成膜装置および成膜方法係り、特に膜質が均一な薄膜が効率よく得られ、半導体集積回路多層金属配線絶縁膜ゲート絶縁膜などの成膜に有効な成膜装置および成膜方法に関する。

背景技術

0002

一般に、ガラスなどの低融点基板上に薄膜トランジスタなどを作製する際には、多層金属配線層間絶縁膜、ゲート絶縁膜などが形成され、その場合、SiH4もしくは有機シラン材料を用いたプラズマCVD(Cemical Vapor Deposition)法あるいは常圧CVD法などを用いてSiO2が形成される。

0003

図6は従来の、プラズマCVDを用いて絶縁膜等を成膜するための成膜装置の内部構造を示した概略断面図である。反応炉壁1で囲まれた反応炉室2中において、サセプター3に基板4が支持されている。サセプター3は、その背面に設けられたヒーター5で加熱されている。符号6はソースガスを基板4に供給するためのシャワーを示す。シャワー6は、シャワー室17と、このシャワー室17と反応炉室2の外部とに連通するガス供給管8と、基板4に対向して多数の噴き出し孔7を有する噴き出し面6aとからなる。そしてガス供給管8からシャワー室17内へ供給されたガスが、噴き出し孔7から基板4に向かって噴き出されるようになっている。またシャワー6は、反応炉室2の外部においてRF(高周波電源に接続されている。さらにシャワー6の噴き出し孔7は、図7に示すように、その大きさ、およびシャワーの噴き出し面6aにおける面内分布密度が均一に設けられており、これによって基板4に噴き付けられるガスの量が基板4の面内で均一になるように構成されている。そして成膜を行なう際には、シャワー6から基板4にソースガスを供給しつつ、シャワー6にRFを印加して電極を兼ねたシャワー6と基板4との間で放電を起こさせる。このことにより基板4上にはプラズマCVDによって成膜された薄膜ができる。

発明が解決しようとする課題

0004

しかしながら、このような従来の装置を用いてCVDを行なう際には、基板の中央部では供給されたガスの反応が不十分となり中間成生物が多く存在する。そのため、基板上、特に基板中央には上記中間成生物が多く残留し、これが膜中に取り込まれることになる。その結果、基板中央部で膜中欠陥が多くなり膜質が悪くなるといった問題が生じていた。また、このようにして作製された基板は基板面内電気的特性など、面内特性のばらつきがあり、これを用いて半導体集積回路、特に液晶ディスプレイのような大面積製品を製造するのは困難であった。本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、成膜時の中間生成物の生成を低減せしめ、基板面内における膜質が均一な膜が得られるようにした成膜装置および成膜方法の提供を目的とする。

課題を解決するための手段

0005

前記課題を解決するために、本発明の請求項1〜5記載の成膜装置は、化学気相析出法により基板上に薄膜を成膜する装置であって、シャワー室と、該シャワー室にソースガスを供給するガス供給管と、上記基板に対向し上記シャワー室内のガスを該基板に向かって噴き出す多数の噴き出し孔が形成された噴き出し面とからなるシャワーを備えてなり、上記噴き出し面内における上記噴き出し孔の分布密度あるいは大きさが不均一であることを特徴とするものである。また請求項6〜10記載の成膜装置は、化学気相析出法により基板上に薄膜を成膜する装置であって、シャワー室と、該シャワー室内を隔壁仕切って設けられた隔室と、上記シャワー室にソースガスを供給するシャワー室ガス供給管と、上記隔室にこれとは別のソースガスを供給する隔室ガス供給管と、上記基板に対向し、上記シャワー室内のソースガスを該基板に向かって噴き出す多数のシャワー室噴き出し孔および上記隔室内のソースガスを該基板に向かって噴き出す多数の隔室噴き出し孔が形成された噴き出し面とからなるシャワーを備えてなり、上記噴き出し面内において、上記シャワー室噴き出し孔および隔室噴き出し孔の少なくとも一方の分布密度あるいは大きさが不均一であることを特徴とするものである。また本発明の請求項11記載の成膜方法は、請求項1〜5のいずれかに記載の成膜装置を用い、基板に対してソースガスを供給し、化学気相析出法により該基板上に薄膜を成膜する方法であって、上記基板の成膜面内におけるソースガスの供給量が不均一であることを特徴とするものである。本発明の請求項12および13記載の成膜方法は、請求項6〜10のいずれかに記載の成膜装置を用い、基板に対して第1のソースガスおよびこれとは別の第2のソースガスをそれぞれ供給して該基板上でこれらを反応せしめ、化学気相析出法により該基板上に薄膜を成膜方法であって、上記第1のソースガスおよび第2のソースガスの少なくとも一方のガスの上記基板への供給量が、該基板の成膜面内において不均一であることを特徴とするものである。

0006

本発明によれば、成膜装置のシャワー噴き出し面内における、噴き出し孔の分布密度を不均一にする、あるいは噴き出し孔の大きさを不均一にして、基板に供給されるガスの量を、その成膜面内において不均一に制御することによって、成膜時の中間生成物の生成を制御することができる。その結果、成膜状態、膜質などの制御が可能となる。特に、成膜装置のシャワー噴き出し孔の分布密度が噴き出し面の周辺部より中央部のほうが高くなるようにする、あるいは噴き出し孔の大きさが噴き出し面の周辺部より中央部のほうが大きくなるようにして、基板中央部へのガスの供給量が周辺部への供給量よりも多くなるようにすることによって、基板中央部での反応を促進させて中間生成物の生成を低減させることができる。

0007

また2種類のガスを反応させて薄膜を成膜する際に、シャワー室内に、隔壁で仕切られた隔室を設け、それぞれにガスを供給する管を設けるとともに、シャワーの噴き出し面には、シャワー室内のガスが噴き出されるシャワー室噴き出し孔と隔室内のガスが噴き出される隔室噴き出し孔とをそれぞれ形成し、かつこれらシャワー室噴き出し孔と隔室噴き出し孔の少なくとも一方の分布密度あるいは大きさを不均一にして、2つのガスがシャワー室内で分離した状態とされ、それぞれが基板に供給されるようにすることによって、2つのガスの供給条件をそれぞれ制御することが可能となり、成膜条件を細かく制御することができる。その結果、高品質で膜質のばらつきが少ない膜を成膜することができる。

0008

以下、本発明を詳しく説明する。図1は本発明の成膜装置の第1の例におけるシャワー噴き出し面を示したものである。この第1の例の成膜装置は、従来の成膜装置においてシャワー6の噴き出し孔7の分布密度が不均一になるようにしたものである。この例のシャワー6はその噴き出し面6a内において、噴き出し孔7の面内分布密度が周辺部よりも中央部のほうが高くなるように形成されたものである。このように噴き出し孔7の分布密度を不均一にすることによって、成膜を行なう際には、基板4に対して供給されるソースガスの量が基板4の周辺部よりも中央付近で多くなる。その結果、基板4の中央部分での反応が周辺部に比べて促進されことにより、中間成生物の生成が低減されて均一な膜質の薄膜を得ることができる。また噴き出し孔7の分布状態はこの例に限らず、所望の成膜条件によって適宜変えることができる。

0009

図2は本発明の成膜装置の第2の例におけるシャワー噴き出し面を示したものである。この第2の例の成膜装置は、従来の成膜装置においてシャワー6の噴き出し孔7の大きさが不均一になるようにしたものである。この例のシャワー6はその噴き出し面6a内において、噴き出し孔7の大きさが周辺部よりも中央部のほうが大きくなるように形成されたものである。このように噴き出し孔7の大きさを不均一にすることによって、成膜を行なう際には、基板4に対して供給されるソースガスの量が基板4の周辺部よりも中央付近で多くなる。その結果、基板4の中央部分での反応が周辺部に比べて促進されることにより、中間成生物の生成が低減されて均一な膜質の薄膜を得ることができる。また噴き出し孔7の大きさはこの例に限らず、所望の成膜条件によって適宜変えることができる。

0010

図3は本発明の成膜装置の第3の例を示したもので、(a)は装置の概略断面図、(b)はシャワー機構の要部断面図である。図3の構成要素において、図6と同一の構成要素については同一符号を付してその説明を省略する。この第3の例の装置は、シャワー室17内に隔壁で仕切られた隔室10が設けられており、これらシャワー室17および隔室10には、それぞれシャワー室ガス供給管13および隔室ガス供給管12からソースガスが供給されるようになっている。そして、シャワー噴き出し面6aにおいては、シャワー室17に連通するシャワー室噴き出し孔27および隔室10に連通する隔室噴き出し孔11が設けられている。また、シャワー室ガス供給管13および隔室ガス供給管12は反応炉壁1に設けられた貫通孔1a,1aに挿通されて設けられ、この貫通孔1aとシャワー室ガス供給管13外壁および隔室ガス供給管12外壁との隙間は真空絶縁シール16によってそれぞれ気密状態封止されている。ここで隔室10は管状に形成することもできる。また隔室10内と隔室ガス噴き出し口11とが管路14で連絡している構成とすることができる。

0011

図4は上記第3の例のシャワー噴き出し面6aを示したものである。この例において、シャワー室ガス噴き出し孔27は噴き出し面6a全体にわたって均一な分布密度で設けられており、一方隔室噴き出し孔11は噴き出し面6aの中央部分での分布密度が周辺部分よりも高くなるように設けられている。また、これら隔室噴き出し孔11の分布とシャワー室噴き出し孔27の分布とが反対になるように構成することも可能である。またこれら噴き出し孔の分布状態はこの例に限らず、所望の成膜条件によって適宜変えることができる。

0012

このような装置を用いて成膜を行なう際には、シャワー室17と隔室10には、成膜のための2つのソースガスがそれぞれ供給され、それらが混合されることなく基板4へ噴き出される。すなわち、第1のソースガスはシャワー室ガス供給管13からシャワー室17へ供給され、シャワー室噴き出し孔27から噴き出される。一方第2のソースガスは隔室ガス供給管12から隔室10へ供給され、隔室噴き出し孔11から噴き出される。例えば、TEOS(正ケイ酸エチル)ガスと酸素ガスを用いてSiO2膜を成膜する場合、基板中央部における酸素ガスの流量がTEOSガスの流量よりも多くなるように、ガスを供給することによって、基板中央部での中間生成物の生成を低減することができる。このことは、図3および図4に示した装置においては、シャワー室17にTEOSガスを供給し、隔室10に酸素ガスを供給することによって達成できる。特に2つのソースガスのうちの一方のガスに有機シランガス等を用いる場合は、反応する有機シランガスの基板上へのガス供給量を変化させずに、中央部での反応をより促進するためにもう一方のガスの基板上への供給量を変化させて膜質の面内不均一を小さくすることができる。

0013

図5は本発明の装置の第4の例を示したものである。この例の装置は上記第3の例の装置において、シャワー噴き出し面6aにおける隔室噴き出し孔11の分布密度を均一にし、その大きさを不均一に形成したものである。この例のシャワー6は、シャワー室噴き出し孔27は均一な大きさで形成され、一方、隔室噴き出し孔11の大きさが噴き出し面の周辺部よりも中央部のほうが大きくなるように形成されている。またこれら隔室噴き出し孔11の大きさとシャワー室噴き出し孔27の大きさとが反対になるように構成することも可能である。またこれら噴き出し孔の大きさはこの例に限らず、所望の成膜条件によって適宜変えることができる。

0014

例えば、TEOSガスと酸素ガスを用いてSiO2膜を成膜する場合、基板中央部における酸素ガスの流量がTEOSガスの流量よりも多くなるように、ガスを供給することによって、基板中央部での中間生成物の生成を低減することができる。このことは、図3および図5に示した装置においては、シャワー室17にTEOSガスを供給し、隔室10に酸素ガスを供給ことによって達成できる。さらに、特に2つのソースガスのうちの一方のガスに有機シランガス等を用いる場合は、反応する有機シランガスの基板上へのガス供給量を変化させずに、中央部での反応をより促進するためにもう一方のガスの基板上への供給量を変化させて膜質の面内不均一を小さくすることができる。

0015

(実施例1)上記第3の例の装置を用いて成膜を行った。5”角基板をサセプター3にセットし、シャワー室ガス供給管13からTEOSガスを供給し、隔室ガス供給管12からO2ガスを供給した。13.56MHz、300W以下のRFを印加し、プラズマCVDにより基板上にSiO2膜を成膜した。得られたSiO2膜についてその基板内の25点での屈折率の分布を測定したところ、1.46±0.01であった。また成膜したSiO2を用いてMOSキャパシタを作製し、このキャパシタ50個の絶縁耐圧度数分布を調べた。その結果を図8に示す。得られたキャパシタの絶縁耐圧の平均値は7.95(MV/cm)、分散値は1.76(MV/cm)であった。

0016

(比較例1)図6に示した従来の装置を用いて成膜を行った。TEOSガスおよびO2ガスを混合した状態でガス供給管8からシャワー室17に供給した他は、上記実施例1と同様にしてSiO2膜を成膜した。得られたSiO2膜についてその基板内の25点での屈折率の分布を測定したところ、1.45±0.04であった。また成膜したSiO2を用いてMOSキャパシタを作製し、このキャパシタ50個の絶縁耐圧の度数分布を調べた。その結果を図9に示す。得られたキャパシタの絶縁耐圧の平均値は6.99(MV/cm)、分散値は1.93(MV/cm)であった。これら実施例1および比較例1の結果より、本発明によれば、従来のものに比べて、屈折率の面内均一性が大幅に改善されたSiO2膜が得られ、そのSiO2膜を用いたMOSキャパシタは、絶縁耐圧の平均値が向上され、分散値も大幅に改善されることが認められた。

0017

上記実施例においてはプラズマCVD法を用いた成膜方法について説明したが、本発明はこれに限らず、他のCVD法にも適用が可能である。また、上記の実施例においてソースガスの例としてTEOSガスおよびO2を例に挙げて説明したが、本発明はこれらに限られるものではなく、2種類の異なるガスを反応させて成膜を行なうものであれば、広く適用可能である。

発明の効果

0018

以上説明したように本発明によれば、成膜装置のシャワー噴き出し面内における、噴き出し孔の分布密度を不均一にする、あるいは噴き出し孔の大きさを不均一にして、基板に供給されるガスの量を、その成膜面内において不均一に制御することによって、成膜時の中間生成物の生成を制御することができる。その結果、成膜を効率的に行なうことができる。特に、成膜装置のシャワー噴き出し孔の分布密度が噴き出し面の周辺部より中央部のほうが高くなるようにする、あるいは噴き出し孔の大きさが噴き出し面の周辺部より中央部のほうが大きくなるようにして、基板中央部へのガスの供給量が周辺部への供給量よりも多くなるようにすることによって、基板中央部での反応を促進させて中間生成物の生成を低減させることができる。その結果、膜質が均一で高品質の膜を得ることができ、良好な半導体集積回路、特に液晶ディスプレイのような大面積のものの作製も可能となる。

0019

また2種類のガスを反応させて薄膜を成膜する際に、シャワー室内に、隔壁で仕切られた隔室を設け、それぞれにガスを供給する管を設けるとともに、シャワーの噴き出し面には、シャワー室内のガスが噴き出されるシャワー室噴き出し孔と隔室内のガスが噴き出される隔室噴き出し孔とをそれぞれ形成し、かつこれらシャワー室噴き出し孔と隔室噴き出し孔の少なくとも一方の分布密度あるいは大きさを不均一にして、2つのガスがシャワー室内で分離した状態とされ、それぞれが基板に供給されるようにすることによって、2つのガスの供給条件をそれぞれ制御することが可能となり、成膜条件を精密に制御することができる。その結果、高品質で膜質のばらつきが少ない膜を成膜することができる。

図面の簡単な説明

0020

図1本発明の成膜装置の第1の例におけるシャワー噴き出し面の平面図である。
図2本発明の成膜装置の第2の例におけるシャワー噴き出し面の平面図である。
図3本発明の成膜装置の第3の例を示したもので、(a)は装置の概略断面図、(b)はシャワー機構の要部断面図である。
図4本発明の成膜装置の第3の例におけるシャワー噴き出し面の平面図である。
図5本発明の成膜装置の第4の例におけるシャワー噴き出し面の平面図である。
図6従来の成膜装置を示した概略断面図である。
図7従来の成膜装置におけるシャワー噴き出し面の平面図である。
図8本発明によるMOSキャパシタの絶縁耐圧を示すグラフである。
図9従来例によるMOSキャパシタの絶縁耐圧を示すグラフである。

--

0021

4基板
6シャワー
6a 噴き出し面
7 噴き出し孔
8ガス供給管
10隔室
11 隔室噴き出し孔
12 隔室ガス供給管
13シャワー室ガス供給管
17 シャワー室
27 シャワー室噴き出し孔

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