図面 (/)

この項目の情報は公開日時点(1995年6月27日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (6)

目的

基板1表面に単分子膜で共役系を作り、さらにドーパントとなる単分子膜もその中に組み込み従来よりも透明性がよく、しかも耐久性にも富み、導電率も高い帯電防止膜、及びその製造方法を提供する。

構成

基体1表面にSi分子を含む共有結合によって形成された単分子膜4であって、単分子膜4は少なくとも単分子間で共役系を形成した単分子と、親水性基を含む単分子を共に有することにより、透明性及び耐久性がよく、しかも導電率の高い化学吸着膜となる。この化学吸着膜4は、例えば二重または三重結合を有するクロロシラン化合物と親水性基を有するクロロシラン化合物とを共に基板表面に縮合反応によって固定する。

概要

背景

セラミックガラス合成樹脂、繊維などは使用する用途によって静電気がたまりやすく、帯電することにより、周りに浮遊している埃やごみが付着し、表面が汚れ易いという欠点があった。そこでその対策として、表面を導電性高分子コーティングしたり、導電性フィルム張りつけたり、ITO(酸化インジウム酸化すず)等の酸化物蒸着する方法が知られている。

また、化学吸着単分子膜を用いた帯電防止膜の製造方法としては、小川(米国特許第4673474号明細書他)の方法によって提案されているが、これは親水性の機能を有する化学吸着試薬基体表面吸着させ、帯電防止を狙ったものである。

概要

基板1表面に単分子膜で共役系を作り、さらにドーパントとなる単分子膜もその中に組み込み従来よりも透明性がよく、しかも耐久性にも富み、導電率も高い帯電防止膜、及びその製造方法を提供する。

基体1表面にSi分子を含む共有結合によって形成された単分子膜4であって、単分子膜4は少なくとも単分子間で共役系を形成した単分子と、親水性基を含む単分子を共に有することにより、透明性及び耐久性がよく、しかも導電率の高い化学吸着膜となる。この化学吸着膜4は、例えば二重または三重結合を有するクロロシラン化合物と親水性基を有するクロロシラン化合物とを共に基板表面に縮合反応によって固定する。

目的

本発明は、前記従来技術の課題を解決するため、透明性や耐久性がよく、しかも導電率の高い化学吸着膜の帯電防止膜とその製造方法を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
1件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

基体表面にSi分子を含む共有結合によって形成された単分子膜であって、前記単分子膜は少なくとも単分子間で共役系を形成した単分子と、親水性基を含む単分子を共に有することを特徴とする帯電防止膜

請求項2

共有結合が、−Si−O−、−Si−N<、及び−Si−S−から選ばれる少なくとも一つの結合である請求項1に記載の帯電防止膜。

請求項3

活性水素を有する基板表面に、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤非水系溶媒に溶解して調製した溶液を接触させて、前記基体表面の活性水素と前記シラン系界面活性剤のシリル基との間で縮合反応を起こさせ、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させ、その後前記単分子膜の二重結合または三重結合部分を重合し共役系を形成する工程と、親水性基を有するシラン系界面活性剤を非水系溶媒に溶解して調製した溶液を基体表面に接触させて、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させる工程とを含むことを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

請求項4

活性水素を有する基板表面に、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤及び親水性基を有するシラン系界面活性剤をそれぞれ非水系の溶媒に共に混合溶解して調製した溶液を接触し、前記基体表面の活性水素と前記シラン系界面活性剤のシリル基との間で縮合反応を起こさせ、前記基体表面に前記二重結合または三重結合を有するシラン界面活性分子と前記親水性基を有するシラン系界面活性分子からなる単分子膜を形成し、その後前記単分子膜の二重結合または三重結合部分を重合し共役系を形成させることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

請求項5

二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の前記二重結合部分または前記三重結合部分を重合し、その後、前記重合したシラン系界面活性剤を非水系の溶媒に溶解して化学吸着溶液調製し、前記化学吸着溶液を活性水素を有する基板表面に接触させ、前記基体表面の活性水素と前記シラン系界面活性剤のシリル基との間で縮合反応を起こさせて単分子膜を形成する工程と、親水性基を有するシラン系界面活性剤を非水系溶媒に溶解して調製した溶液を、活性水素を有する基板表面に接触させ、前記基体表面の活性水素と前記シラン系界面活性剤のシリル基との間で縮合反応を起こさせて単分子膜を形成する工程とを含むことを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

請求項6

二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の前記二重結合部分または前記三重結合部分を重合し、その後、前記重合したシラン系界面活性剤と親水性基を有するシラン系界面活性剤とをともに非水系の溶媒に溶解し調製した溶液に、活性水素を表面に有する基体を接触し、前記基体表面の活性水素と前記シラン系界面活性剤のシリル基との間で縮合反応を起こさせて単分子膜を形成することを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

請求項7

親水性基が、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、及び−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)から選ばれる少なくとも一つの基]で表される請求項1に記載の帯電防止膜または請求項3〜6に記載されたいずれかの帯電防止膜の製造方法。

請求項8

基体表面に−Si−O−、−Si−N<、または−Si−S−結合を介して、分子間同士が共役系で結ばれた単分子膜が形成されており、前記単分子膜の分子間に親水性基を含む下記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物が存在することを特徴とする帯電防止膜。

請求項

ID=000003HE=005 WI=013 LX=1435 LY=1500

請求項9

活性水素を有する基体表面に二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤を非水系溶媒に溶解して調製した溶液を接触させて、前記基体表面と前記シラン系界面活性剤シリル基とを反応させ、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させ、前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物を基体に接触し、前記基体表面に形成した前記シラン系界面活性剤の単分子膜の中に前記有機化合物を組み込み単分子膜を形成し、その後前記単分子膜の二重結合または三重結合の部分を重合することを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

請求項10

活性水素を有する基体表面に二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤を非水系溶媒に溶解して調製した溶液を接触させて、前記基体表面と前記シラン系界面活性剤シリル基とを反応させ、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させ、その後前記単分子膜の二重結合または三重結合の部分を重合し、さらに前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物を前記基体に接触し、超音波で処理し前記基体表面に形成した前記シラン系界面活性剤の単分子膜の中に前記有機化合物を組み込むことを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

請求項11

二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の前記二重結合部分または前記三重結合部分を重合し、その後、前記重合したシラン系界面活性剤を非水系の溶媒に溶解し調製した溶液を活性水素を有する基体表面に接触し、前記重合したシラン系界面活性剤を前記基体表面に吸着し、その後、前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物を前記基体に接触し、超音波で処理し前記基体表面に形成した前記シラン系界面活性剤の単分子膜の中に前記有機化合物を組み込むことを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

請求項12

二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤と、下記一般式(化2)[R”は炭素数が3以上のアルキル基、Yは−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NR3 X(Rはアルキル基、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物とを非水系溶媒に溶解し調製した溶液に基体を接触し、基体表面に有機化合物が組み込まれた前記二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の単分子膜を形成し、その後前記二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤による単分子膜の二重結合または三重結合の部分を重合することを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

請求項

ID=000004HE=005 WI=013 LX=0535 LY=2200

請求項13

二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の前記二重結合部分または前記三重結合部分を重合し、その後、前記重合したシラン系界面活性剤と前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物とを非水系溶媒に溶解して調製した溶液に基体に接触し、基体表面に前記有機化合物が組み込まれた前記シラン系界面活性剤形成することを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、単分子吸着膜を用いた帯電防止膜及びその製造方法に関するもので、さらに詳しくは、ガラスセラミックプラスチック、繊維などの帯電を防止するための帯電防止膜及びその製造方法である。

背景技術

0002

セラミック、ガラス、合成樹脂、繊維などは使用する用途によって静電気がたまりやすく、帯電することにより、周りに浮遊している埃やごみが付着し、表面が汚れ易いという欠点があった。そこでその対策として、表面を導電性高分子コーティングしたり、導電性フィルム張りつけたり、ITO(酸化インジウム酸化すず)等の酸化物蒸着する方法が知られている。

0003

また、化学吸着単分子膜を用いた帯電防止膜の製造方法としては、小川(米国特許第4673474号明細書他)の方法によって提案されているが、これは親水性の機能を有する化学吸着試薬基体表面吸着させ、帯電防止を狙ったものである。

発明が解決しようとする課題

0004

しかしながら、導電性高分子を塗布したり導電性フィルムを張りつける方法では、透明性が劣るだけでなく、表面に傷が付き易いなどの欠点があった。またITOなどの酸化物を蒸着する方法では非常にコストが高くつくという欠点があった。さらに、従来の小川の化学吸着法は親水性の化学吸着膜基板表面に吸着させるというものであり、基板表面の導電性をあまりあげることができず、帯電防止膜としてさらに改良が望まれていた。

0005

本発明は、前記従来技術の課題を解決するため、透明性や耐久性がよく、しかも導電率の高い化学吸着膜の帯電防止膜とその製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

前記目的を達成するために、本発明の第一の帯電防止膜は、基体表面にSi分子を含む共有結合によって形成された単分子膜であって、前記単分子膜は少なくとも単分子間で共役系を形成した単分子と、親水性基を含む単分子を共に有することを特徴とする。

0007

前記構成においては、共有結合が−Si−O−、−Si−N<、及び−Si−S−から選ばれる少なくとも一つの結合であることが望ましい。また前記構成においては、単分子に結合した親水性基が、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NR3 X(Rはアルキル基、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)で表されることが望ましい。

0008

また、本発明の第一の帯電防止膜の第一の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤非水系溶媒に溶解して調製した溶液を基体表面に接触させて、前記基体表面と前記シラン系界面活性剤シリル基とを反応させ、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させ、その後前記単分子膜の二重結合または三重結合部分を重合し共役系を形成する工程と、親水性基を有するシラン系界面活性剤を非水系溶媒に溶解して調製した溶液を基体表面に接触させて、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させる工程とを含むという構成を備えたものである。

0009

さらに第一の帯電防止膜の第二の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤及び親水性基を有するシラン系界面活性剤をそれぞれ非水系の溶媒に共に溶解して調製した溶液を基体表面に接触し、前記基体表面に前記二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤と前記親水性基を有するシラン系界面活性剤とからなる単分子膜を形成し、その後前記単分子膜の二重結合または三重結合部分を重合し共役系を形成させるという構成を備えたものである。

0010

さらに第一の帯電防止膜の第三の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の前記二重結合部分または前記三重結合部分を重合し、その後、前記重合したシラン系界面活性剤を非水系の溶媒に溶解し調製した溶液に基体表面を接触し、前記重合したシラン系界面活性剤を前記基体表面に吸着する工程と、親水性基を有するシラン系界面活性剤を非水系溶媒に溶解して調製した溶液を基体表面に接触させて、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させる工程とを含むという構成を備えている。

0011

さらに第一の帯電防止膜の第四の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の前記二重結合部分または前記三重結合部分を重合し、その後、前記重合したシラン系界面活性剤と親水性基を有するシラン系界面活性剤とをともに非水系の溶媒に溶解し調製した溶液に、基体を接触し、前記重合したシラン系界面活性剤と前記親水性基を有するシラン系界面活性剤とを基体に吸着するという構成を備えている。

0012

前記構成において、親水性基が−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NR3 X(Rはアルキル基、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、または−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)のうち少なくとも一つであることが好ましい。

0013

また本発明の第二の帯電防止膜は、基体表面に−Si−O−、−Si−N−、または−Si−S−結合を介して、分子間同士が共役系で結ばれた単分子膜が形成されており、前記単分子膜の分子間に親水性基を含む前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物が存在するという特徴を備えている。

0014

さらに、第二の帯電防止膜の第一の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤を非水系溶媒に溶解して調製した溶液を基体表面に接触させて、前記基体表面と前記シラン系界面活性剤シリル基とを反応させ、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させ、前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物を基体に接触し、前記基体表面に形成した前記シラン系界面活性剤の単分子膜の中に前記有機化合物を組み込み単分子膜を形成し、その後前記単分子膜の二重結合または三重結合の部分を重合するという構成を備えたものである。

0015

さらに、第二の帯電防止膜の第二の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤を非水系溶媒に溶解して調製した溶液を基体表面に接触させて、前記基体表面と前記シラン系界面活性剤シリル基とを反応させ、前記基体表面に前記シラン系界面活性剤の単分子膜を形成させ、その後前記単分子膜の二重結合または三重結合の部分を重合し、さらに前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物を前記基体に接触し、超音波で処理し前記基体表面に形成した前記シラン系界面活性剤の単分子膜の中に前記有機化合物を組み込むという構成を備えたものである。

0016

さらに、第二の帯電防止膜の第三の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の前記二重結合部分または前記三重結合部分を重合し、その後、前記重合したシラン系界面活性剤を非水系の溶媒に溶解し調製した溶液に基体表面を接触し、前記重合したシラン系界面活性剤を前記基体表面に吸着し、その後、前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物を前記基体に接触し、超音波で処理し前記基体表面に形成した前記シラン系界面活性剤の単分子膜の中に前記有機化合物を組み込むという構成を備えたものである。

0017

さらに、第二の帯電防止膜の第四の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤と、前記一般式(化2)[R”は炭素数が3以上のアルキル基、Yは−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NR3 X(Rはアルキル基、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物とを非水系溶媒に溶解し調製した溶液に基体を接触し、基体表面に有機化合物が組み込まれた前記二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の単分子膜を形成し、その後前記二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤による単分子膜の二重結合または三重結合の部分を重合するという構成を備えたものである。

0018

さらに、第二の帯電防止膜の第五の製造方法は、二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤の前記二重結合部分または前記三重結合部分を重合し、その後、前記重合したシラン系界面活性剤と前記一般式(化1)[R’は炭素数が3以上のアルキル基、Zは−OH、−COOH、−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NH2 、−NR3 X(Rはアルキル基または水素原子、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、−SO3 H、−SO3 M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)]で表される有機化合物とを非水系溶媒に溶解して調製した溶液に基体に接触し、基体表面に前記有機化合物が組み込まれた前記シラン系界面活性剤形成するという構成を備えたものである。

0019

前記本発明の構成によれば、基体表面にSi分子を含む共有結合によって形成された単分子膜であって、前記単分子膜は少なくとも単分子間で共役系を形成した単分子と、親水性基を含む単分子を共に有することにより、透明性及び耐久性がよく、しかも導電率の高い化学吸着膜の帯電防止膜とすることができる。すなわち、基体にシロキサン結合を介して単分子膜が形成されており、前記単分子膜は、少なくとも分子間同士が共役系でつながれている単分子膜と、親水性基を有する単分子膜が存在している帯電防止膜であるため、剥離することがなく、透過性に優れている。しかも、共役系の分子鎖と親水性基が隣接しているため、非常に導電性が高く帯電防止効果が大きいという特徴がある。

0020

また前記記本発明の第1〜4番目の製造方法によれば、導電性が高く帯電防止効果が大きい単分子膜を効率良く合理的に製造できる。

0021

本発明に用いる基体は、表面に活性水素原子を有するものであれば、いずれも吸着可能である。例えば表面に、−OH,−NH2 ,>NH,−SH,−COOH,−CHO等の活性水素を有するものは吸着可能である。

0022

二重結合または三重結合を有するシラン系界面活性剤は、>C=C<基を含む化合物、下記式(化3)に示す基を含む化合物、>C=N−基を含む化合物などである。またこれらの官能基を重合させて共役系を形成させる方法は、触媒重合電解重合電子線照射などがあるがどれを用いてもよい。

0023

0024

本発明で使用可能な親水性基を有するシラン系界面活性剤は、親水性基として−COOM(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)、−NR3X(Rはアルキル基、Xはハロゲン原子を表わす)、−NO2 、または−SO3M(Mはアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を表わす)を有するものであればいずれでも可能であるが、−COOM、−NR3 X、−SO3 Mが最もよい。本発明で使用可能な親水性基を含む有機化合物は、一般式(化1)で示されるものであればいずれも使用可能であるが、親水性基として、−COOM、−NR3X、−SO3 Mが最もよく、またアルキル基は、炭素数が3以上であれば使用可能であるが、炭素数が長いほど、単分子膜の中に固定され易く良い。最も良いのは、単分子膜の厚みとほぼ同じくらいの長さになるものである。

0025

以下、具体的実施例を説明する。
(実施例1)ω−(3−チエニルデシルトリクロロシランを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、化学吸着剤を調製した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。図1に示すように、この化学吸着剤の中によく乾燥したガラス基板1を1時間浸漬し、脱塩化水素反応を行わせた。その後クロロホルムで洗浄し、未反応物洗浄除去した。更に水洗を行い、化学吸着単分子膜2を形成した。この様にして化学吸着単分子膜の形成されたガラス基板を、FeCl3 のクロロホルム飽和溶液に1時間浸漬すると、図2に示すように単分子膜の末端チオフェン部分の2重結合を重合させた化学吸着単分子膜3を得た。さらに水洗を行った後、よく乾燥させて、ω−トリクロロシリルウンデカン酸ナトリウムを1.0容量%の濃度で.水系混合溶媒に溶解し、調製した化学吸着剤に、2時間浸漬することにより、図3に示すように、ω−トリクロロシリルウンデカン酸ナトリウムが組み込まれた化学吸着単分子膜4を得た。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。その後基板を取り出し、乾燥させて、導電率を測定したところ1.2×10-3S/cmであった。

0026

(実施例2)ω−(3−チエニル)デシルトリクロロシランとω−トリクロロシリルウンデカン酸ナトリウムとを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、化学吸着剤を調製した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。この化学吸着剤の中によく乾燥したガラス基板を2時間浸漬し、脱塩化水素反応を行わせた。その後クロロホルムで洗浄し、未反応物を洗浄除去した。更に水洗を行い、化学吸着単分子膜を形成した。この様にして化学吸着単分子膜の形成されたガラス基板をFeCl3のクロロホルム飽和溶液に1時間浸漬し、単分子膜の末端のチオフェン部分の2重結合を重合させた。その後基板を取り出し、乾燥させて導電率を測定したところ、5.5×10-3S/cmであった。

0027

(実施例3)ω−(3−チエニル)デシルトリクロロシラン0.1mlをFeCl3 のクロロホルム飽和溶液8mlに加え30分反応させた。その後ヘキサデカン80mlと四塩化炭素12mlを加え、その溶液の中にガラス基板を2時間浸漬させ、重合した単分子膜を形成させ、その後クロロホルムで洗浄し、さらに水洗した後、ω−トリクロロシリルウンデカン酸ナトリウムを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、調製した吸着溶液に2時間浸漬した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。その後基板を取り出しクロロホルムで洗浄して、水洗を行い乾燥させた後、導電率を測定したところ8.2×10-3S/cmであった。

0028

(実施例4)ω−(3−チエニル)デシルトリクロロシラン0.1mlをFeCl3 のクロロホルム飽和溶液8mlに加え30分反応させた。その後ヘキサデカン80ml、四塩化炭素12ml、ω−トリクロロシリルウンデカン酸ナトリウムを加え、その溶液の中にガラス基板を2時間浸漬させ、その後クロロホルムで洗浄し、さらに水洗し乾燥させた後、導電率を測定したところ6.5×10-3S/cmであった。

0029

(実施例5)ω−(3−チエニル)オクチルトリクロロシランを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、化学吸着剤を調製した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。図4に示すように、この化学吸着剤の中によく乾燥した石英基板5を1時間浸漬し、脱塩化水素反応を行わせた。その後クロロホルムで洗浄し、未反応物を洗浄除去した。更に水洗を行い、化学吸着単分子膜6を形成した。この様にして化学吸着単分子膜6の形成された石英基板を、ノナン酸ナトリウム1.0容量%のヘキサデカン溶液に2時間浸漬し、さらにFeCl3 のクロロホルム飽和溶液に1時間浸漬することにより、図5に示すように、単分子膜の末端のチオフェン部分の2重結合が重合し、ノナン酸ナトリウムが組み込まれた化学吸着単分子膜7が形成された。その後乾燥させて、導電率を測定したところ1.2×10-4S/cmであった。

0030

(実施例6)ω−(3−チエニル)オクチルトリクロロシランを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、化学吸着剤を調製した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。この化学吸着剤の中によく乾燥した石英基板を1時間浸漬し、脱塩化水素反応を行わせた。その後クロロホルムで洗浄し、未反応物を洗浄除去した。更に水洗を行い、化学吸着単分子膜を形成した。この様にして化学吸着単分子膜の形成されたガラス基板を、FeCl3 のクロロホルム飽和溶液に1時間浸漬し、単分子膜の末端のチオフェン部分の2重結合を重合させた。さらに水洗を行った後、よく乾燥させて、ノナン酸ナトリウム1.0容量%のヘキサデカン溶液に超音波をかけながら2時間浸漬し、その後基板を取り出し、クロロホルムで洗浄し、乾燥させて、導電率を測定したところ、2.8×10-4S/cmであった。

0031

(実施例7)ω−(3−チエニル)オクチルトリクロロシラン0.1mlをFeCl3 のクロロホルム飽和溶液8mlに加え30分反応させた、その後ヘキサデカン80mlと四塩化炭素12mlを加え、その溶液の中に石英基板を2時間浸漬させ、重合した単分子膜を形成させ、その後クロロホルムで洗浄し、さらに水洗した後、ノナン酸ナトリウム1.0容量%のヘキサデカン溶液に超音波をかけながら2時間浸漬し、その後基板を取り出し、クロロホルムで洗浄して、乾燥させた後、導電率を測定したところ、8.0×10-4S/cmであった。

0032

(実施例8)ω−(3−チエニル)オクチルトリクロロシランとノナン酸ナトリウムとを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、化学吸着剤を調製した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。この化学吸着剤の中によく乾燥した石英基板を2時間浸漬し、脱塩化水素反応を行わせた。その後クロロホルムで洗浄し、化学吸着膜の形成された石英基板を、FeCl3 のクロロホルム飽和溶液に1時間浸漬し、単分子膜の末端のチオフェン部分の2重結合を重合させた。その後基板を取り出し、乾燥させて、導電率を測定したところ、5.1×10-4S/cmであった。

0033

(実施例9)ω−(3−チエニル)オクチルトリクロロシラン0.1mlをFeCl3 のクロロホルム飽和溶液8mlに加え30分反応させた。その後ヘキサデカン80ml、四塩化炭素12ml、ノナン酸100mgを加え、その溶液の中に石英基板を2時間浸漬させ、その後クロロホルムで洗浄し、さらに水洗した後、基板を取り出し、クロロホルムで洗浄して、乾燥させた後、導電率を測定したところ7.2×10-4S/cmであった。

0034

(実施例10)19−トリメチルシリル−18−ノナデシニルトリクロロシラン{(CH3 )3 SiC〓C(CH2 )17SiCl3 を1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、化学吸着剤を調製した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。この化学吸着剤の中によく乾燥したガラス基板を1時間浸漬し、脱塩化水素反応を行わせた。その後クロロホルムで洗浄し、未反応物を洗浄除去する。更に水洗を行い、化学吸着単分子膜を形成する。この様にして化学吸着単分子膜の形成されたガラス基板を、FeCl3 のクロロホルム飽和溶液に1時間浸漬すると、単分子膜の末端の三重結合部分を重合させた化学吸着単分子膜を得た。さらに水洗を行った後、よく乾燥させて、ω−トリクロロシリルウンデカン酸ナトリウムを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、調製した化学吸着剤に、2時間浸漬することにより、ω−トリクロロシリルウンデカン酸ナトリウムが組み込まれた化学吸着単分子膜を得る。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。その後基板を取り出し、乾燥させて、導電率を測定したところ、3.5×10-3S/cmであった。

0035

(実施例11)19−トリメチルシリル−18−ノナデシニルトリクロロシラン{(CH3 )3 SiC〓C(CH2 )17SiCl3 }とp−オクチルフェニルスルフォン酸ナトリウムとを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、化学吸着剤を調製した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。この化学吸着剤の中によく乾燥したガラス基板を2時間浸漬し、脱塩化水素反応を行わせた。その後クロロホルムで洗浄し、未反応物を洗浄除去する。更に水洗を行い、化学吸着単分子膜を形成する。この様にして化学吸着単分子膜の形成されたガラス基板を、FeCl3 のクロロホルム飽和溶液に1時間浸漬し、単分子膜の末端のチオフェン部分の2重結合を重合させる。その後基板を取り出し、乾燥させて、導電率を測定したところ、4.5×10-3S/cmであった。

0036

(実施例12)7−オクチニルトリクロロシラン(HC〓C(CH2 )6 SiCl3 )0.1mlをFeCl3 のクロロホルム飽和溶液8mlに加え30分反応させた。その後ヘキサデカン80mlと四塩化炭素12mlを加え、その溶液の中にガラス基板を2時間浸漬させ、重合した単分子膜を形成させ、その後クロロホルムで洗浄し、さらに水洗した後、ω−トリクロロシリルウンデカン酸ナトリウムを1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、調製した吸着溶液に2時間浸漬した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。その後基板を取り出しクロロホルムで洗浄して、水洗を行い乾燥させた後、導電率を測定したところ7.2×10-3S/cmであった。

0037

(実施例13)7−オクチニルトリクロロシラン(HC〓C(CH2 )6 SiCl3 )を1.0容量%の濃度で非水系混合溶媒に溶解し、化学吸着剤を調製した。前記非水系吸着溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム溶液である。この化学吸着剤の中によく乾燥した石英基板を1時間浸漬し、脱塩化水素反応を行わせた。その後クロロホルムで洗浄し、未反応物を洗浄除去する。更に水洗を行い、化学吸着単分子膜を形成する。この様にして化学吸着単分子膜の形成された石英基板を、オクチルトリメチルアンモニウムクロライド(C8 H18N(CH3 )3 Cl)1.0容量%のヘキサデカン溶液に2時間浸漬し、さらにFeCl3 のクロロホルム飽和溶液に1時間浸漬することにより、単分子膜の末端の三重結合部分が重合し、ノナン酸ナトリウムが組み込まれた化学吸着単分子膜7が形成する。その後乾燥させて、導電率を測定したところ、2.2×10-4S/cmであった。

発明の効果

0038

以上のように本発明は、帯電防止膜及びその製造方法に関するもので、基板表面に単分子膜で共役系を作り、さらにドーパントとなる単分子膜もその中に組み込むというものであり、単分子膜であるため、透明性がよく、しかも耐久性にも富み、導電率も高いという特徴を有する。また、基体表面にSi分子を含む共有結合によって形成された単分子膜であって、前記単分子膜は少なくとも単分子間で共役系を形成した単分子と、親水性基を含む単分子を共に有することにより、透明性及び耐久性がよく、しかも導電率の高い化学吸着膜の帯電防止膜とすることができる。

0039

また前記本発明の第1の帯電防止膜の第1〜4番目の製造方法、及び第2の帯電防止膜の第1〜5番目の製造方法によれば、導電性が高く帯電防止効果が大きい単分子膜を効率良く合理的に製造できる。

図面の簡単な説明

0040

図1本発明の一実施例における二重結合を有する化学吸着単分子膜の概念
図2本発明の一実施例における共役系を有する単分子膜の概念図
図3本発明の一実施例における帯電防止膜の概念図
図4本発明の他の実施例における二重結合を有する化学吸着単分子膜の概念図
図5本発明の他の実施例における帯電防止膜の概念図

--

0041

1ガラス基板
2二重結合を有する化学吸着単分子膜
3 共役系を有する化学吸着単分子膜
4帯電防止膜
5石英基板
6 二重結合を有する化学吸着単分子膜
7 帯電防止膜

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い法人

関連性が強い法人一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ