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技術 基板を被覆する装置

出願人 エリコンドイチュラントホールディングゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
発明者 マンフレートアーノルドグイドブラングライナーゲーゲンヴァルトクラウスミヒャエルミヒャエルシェーラーヨーヘンリッターオリバーブルクハート
出願日 1994年1月19日 (26年11ヶ月経過) 出願番号 1994-004227
公開日 1995年3月14日 (25年9ヶ月経過) 公開番号 1995-070754
状態 特許登録済
技術分野 CVD
主要キーワード 側方境界 下方境界 静止基板 インライン設備 導電性対象物 移動基板 電極シールド プラズマ帯域
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この項目の情報は公開日時点(1995年3月14日)のものです。
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図面 (3)

目的

本発明は寄生プラズマを発生させることなくプラズマボリューム内への基板キャリアを介してインライン設備エネルギを供給するようにした基板被覆する装置を提供することを目的とする。

構成

本発明の基板を被覆する装置は、被覆設備キャリヤ背面へ暗黒部距離のところに配置した容量結合電極を経て無接触でRFが接続される。被覆側の暗黒部シールドはプラズマ帯域を構成し、寄生プラズマの生成を防ぐ。それによって、定まったプラズマ帯域で移動している基板キャリヤにHF基バイアス電圧を与えることができ、寄生プラズマの発生を回避できる。

概要

背景

種々のエッチングコーティング法では、イオン基板に向かって加速するプラズマを用いている。層の厚みすなわちエッチング深さを制御できるようにするために、プラズマを取り囲む2つの電極の間に直流電圧が与えられる。

非導電性層を基板上に積層しようとする場合、直流電圧の代わりに交流電圧印加して基板に直流電位を発生させなければならない。このことは、基板の方向に特にイオンの荷電粒子を加速するために必要である。

コーティングまたはエッチング効果を得るためには、プラズマと電極との間における一定の電位差の発生が必須である。電極にHF電圧が印加される場合、正の半周期中、かなりの多くの電子が電極面に流れ得るが、負の半周期中には電極面から正イオン逃げる可能性がある。しかしながら、時間平均されるので、同量正負電荷キャリヤがプラズマから運ばれ、電極は周期を通じてプラズマに対して負に荷電されることになり、最終的には、ほぼ全周期を通じて正イオンが電極に流れ得る。電極が正スペース電荷領域を発生し、これが整流効果と、バリヤ層キャパシタンスの生成に通じる(DEP37 08 717、第5欄第20行〜第6欄第6行参照)。

カソードスパッタリングあるいは誘電体酸化物反応スパッタリングの場合、2つの電極の間に存在する直流電圧に交流電圧を重畳することは既に知られている(米国特許第3 461 054 )。カソードの上、アノードの下には、スパッタダイアフラムが設けてあり、加工しようとしている基板がアノードの上に配置してある。静止アノード上に基板を配置することにより、このタイプの装置では、基板が移動している場合、たとえば、スパッタリング・プロセスがインライン・システムにおけるダイナミック・コーティング・プロセスである場合には、スパッタリング・プロセスを維持することは不可能である。

同じことがプラズマ・ボリュームを囲んでいる電極に電流を供給する方法にも当てはまる(米国特許第4 719 154 号、 米国特許第4 424 101 号、 米国特許第3767 551 号、 米国特許第3 617 459 号、 米国特許第4 572 842 号; 1967年 5月 Electrochem. Soc.の第114巻、第5号、第506 頁、 第1 図のF. Vratny 「Deposition of Tantalum and Tantalum Oxide by Superimposed RF and DC Sputtering」; EP-A-O 347 567; 1985年 1月、 J. Appl. Phys. 51 (1) 第59-66 頁、 K. Koehler, J. W. Coburn, D. E. Horne, E. Kay 「Plasma potential of 13.56MHz rf argon glow discharge in a planar system」)。

高周波作動式スパッタリング装置も知られており、これは基板キャリヤとしての扁平アノードと、このアノードに対向して配置した扁平カソードからなる(DEOS 21 02 353)。この装置は、さらに、基板上に積層しようとしている材料からなるアンチカソードを包含し、このアンチカソードはカソードに向いた側に配置してある。この装置もインライン作業で基板を加工するには向いていない。

さらに、レセプタクル内被覆しようとしている基板が動く装置も公知である(DE-OS 29 09 804) 。プラズマの発生のための高周波電圧ラインを経て基板ホルダターゲットホルダに印加される。基板の積層および装着の詳細は図示されていない。

さらにまた、スクリーン電源電圧に接続したターゲットの背後に設け、プラズマによって導電性対象物注意深く被覆する装置も知られている(DE-OS 37 00633) 。しかしながら、この装置は平行プレートリアクタであり、キャリヤへのHFエネルギの安定した供給が不可能であり、むしろ、二次プラズマが添加することになる。

概要

本発明は寄生プラズマを発生させることなくプラズマ・ボリューム内への基板キャリアを介してインライン設備へエネルギを供給するようにした基板を被覆する装置を提供することを目的とする。

本発明の基板を被覆する装置は、被覆設備のキャリヤ背面へ暗黒部距離のところに配置した容量結合電極を経て無接触でRFが接続される。被覆側の暗黒部シールドはプラズマ帯域を構成し、寄生プラズマの生成を防ぐ。それによって、定まったプラズマ帯域で移動している基板キャリヤにHF基バイアス電圧を与えることができ、寄生プラズマの発生を回避できる。

目的

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、寄生プラズマを発生させることなくプラズマ・ボリューム内への基板キャリヤを介してインライン設備へエネルギを供給するように構成した基板を被覆するための装置を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
3件

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請求項1

直流電位または交流電位を持つ第1の平坦電極(5;38、39)と、直流電位または交流電位を持つ第2の平坦な電極(6、31)と、第1の平坦な電極(5;38、39)のための第1シールド(9;55−58)と、第1電極(5;38、39)から所定の距離のところに配置した基板キャリヤ(18;52)とを包含する基板(17;48、49)を被覆する装置において、基板キャリヤ(18;52)が2つの平坦な電極(5、6;31、38;31、39)の間に設けてあり、これらの電極(5、6;31、38;31、39)の面に対して平行に移動でき、第1シールド(9;55−58)が第1の平坦な電極(5;38、39)から基板キャリヤ(18;52)の片面付近へあるいは基板(17;48、49)へ延びており、この第1シールド(9;55−58)が第1電極(5;38、39)と共にガス入口(14、15;36、37;34、35)を持つプラズマボリューム(4;32,33)を囲んでおり、第2の平坦な電極(6、31)がシールド(19、52)を備えており、シールド(9;55−58、19、52)からの電極(5;38、39;61、31)の距離(d、c、a)が暗黒部距離よりも小さいことを特徴とする基板を被覆する装置。

請求項2

第1電極(5)のシールド(9)がポット形状に設けてあり、開口領域が基板(17)に向いていることを特徴とする請求項1に記載の装置。

請求項3

第2電極(8)のシールド(19)がくぼみ(21)を備えたプレートであり、このくぼみ内に大面積の電極(8)が収容してあることを特徴とする請求項1に記載の装置。

請求項4

移送装置(18)が、その上面にくぼみを有し、このくぼみ内に基板(17)が収容されることを特徴とする請求項1に記載の装置。

請求項5

第1、第2の電極(5、8)によってプラズマ・ボリューム(4)が形成され、そこにガス管路(14、15)が通じていることを特徴とする請求項1に記載の装置。

請求項6

ポット形状のシールド(9)が基板キャリヤ(18)上方へ近接してかつその面に対して平行に配置した縁(60、61)を包含することを特徴とする請求項2に記載の装置。

請求項7

シールド(9、19)が、それぞれ、接続片(10、20)を包含し、この接続片を介して電極(5、8)のウェブ(11、22)が電圧源(12)と電気接続していることを特徴とする請求項1に記載の装置。

請求項8

2つの外側電極(38、39)と1つの内側電極(31)が設けてあり、内側電極(31)が基板キャリヤ(52)によって左右両方向で囲まれていることを特徴とする請求項1に記載の装置。

請求項9

基板キャリヤ(18、52)が少なくとも1つの電極(8、31)に対して変位できることを特徴とする請求項1に記載の装置。

請求項10

第1の外側電極(38)と内側電極(31)との間に第1の基板(48)が設けてあり、第2の外側電極(39)と内側電極(31)の間に第2の基板(49)が設けてあることを特徴とする請求項8に記載の装置。

請求項11

2つの外側電極がそれぞれ電圧源(46)の第1端子に接続してあり、内側電極がこの電圧源(46)の第2端子に接続していることを特徴とする請求項8に記載の装置。

請求項12

プラズマ・ボリューム(4;32,33)のガス入口がプロセス室(1)とプラズマ・ボリューム(4;32,33)の間のスロットであり、それによって、プロセス室(1)から前記プラズマ・ボリューム(4;32,33)へガスが流れることができることを特徴とする請求項1に記載の装置。

技術分野

0001

本発明は特許請求の範囲1の前文部分に記載した基板被覆装置に関する。

背景技術

0002

種々のエッチングコーティング法では、イオンを基板に向かって加速するプラズマを用いている。層の厚みすなわちエッチング深さを制御できるようにするために、プラズマを取り囲む2つの電極の間に直流電圧が与えられる。

0003

非導電性層を基板上に積層しようとする場合、直流電圧の代わりに交流電圧印加して基板に直流電位を発生させなければならない。このことは、基板の方向に特にイオンの荷電粒子を加速するために必要である。

0004

コーティングまたはエッチング効果を得るためには、プラズマと電極との間における一定の電位差の発生が必須である。電極にHF電圧が印加される場合、正の半周期中、かなりの多くの電子が電極面に流れ得るが、負の半周期中には電極面から正イオン逃げる可能性がある。しかしながら、時間平均されるので、同量正負電荷キャリヤがプラズマから運ばれ、電極は周期を通じてプラズマに対して負に荷電されることになり、最終的には、ほぼ全周期を通じて正イオンが電極に流れ得る。電極が正スペース電荷領域を発生し、これが整流効果と、バリヤ層キャパシタンスの生成に通じる(DEP37 08 717、第5欄第20行〜第6欄第6行参照)。

0005

カソードスパッタリングあるいは誘電体酸化物反応スパッタリングの場合、2つの電極の間に存在する直流電圧に交流電圧を重畳することは既に知られている(米国特許第3 461 054 )。カソードの上、アノードの下には、スパッタダイアフラムが設けてあり、加工しようとしている基板がアノードの上に配置してある。静止アノード上に基板を配置することにより、このタイプの装置では、基板が移動している場合、たとえば、スパッタリング・プロセスがインライン・システムにおけるダイナミック・コーティング・プロセスである場合には、スパッタリング・プロセスを維持することは不可能である。

0006

同じことがプラズマ・ボリュームを囲んでいる電極に電流を供給する方法にも当てはまる(米国特許第4 719 154 号、 米国特許第4 424 101 号、 米国特許第3767 551 号、 米国特許第3 617 459 号、 米国特許第4 572 842 号; 1967年 5月 Electrochem. Soc.の第114巻、第5号、第506 頁、 第1 図のF. Vratny 「Deposition of Tantalum and Tantalum Oxide by Superimposed RF and DC Sputtering」; EP-A-O 347 567; 1985年 1月、 J. Appl. Phys. 51 (1) 第59-66 頁、 K. Koehler, J. W. Coburn, D. E. Horne, E. Kay 「Plasma potential of 13.56MHz rf argon glow discharge in a planar system」)。

0007

高周波作動式スパッタリング装置も知られており、これは基板キャリヤとしての扁平アノードと、このアノードに対向して配置した扁平カソードからなる(DEOS 21 02 353)。この装置は、さらに、基板上に積層しようとしている材料からなるアンチカソードを包含し、このアンチカソードはカソードに向いた側に配置してある。この装置もインライン作業で基板を加工するには向いていない。

0008

さらに、レセプタクル内被覆しようとしている基板が動く装置も公知である(DE-OS 29 09 804) 。プラズマの発生のための高周波電圧ラインを経て基板ホルダターゲットホルダに印加される。基板の積層および装着の詳細は図示されていない。

0009

さらにまた、スクリーン電源電圧に接続したターゲットの背後に設け、プラズマによって導電性対象物注意深く被覆する装置も知られている(DE-OS 37 00633) 。しかしながら、この装置は平行プレートリアクタであり、キャリヤへのHFエネルギの安定した供給が不可能であり、むしろ、二次プラズマが添加することになる。

発明が解決しようとする課題

0010

インライン装置でダイナミック・コーティングを可能とし、被覆中に基板を被覆源を通過して移送装置によって運び、高周波電圧を電極に印加するためには、電極を摺動接点またはローラ接点を経てガルバニック的に接続することが考えられる。しかしながら、電圧接続領域に寄生プラズマが生じ、移送装置の技術的に高価な暗黒部シールドを通してしかこれを抑制することができない。さらに、摺動接点またはローラ接点は時間中に被覆され、特にコーティングが電気絶縁体からなる場合には動力分配装置上に負の効果を与えることになる。これに加えて、摺動接点またはローラ接点を用いる場合に生じる強い機械的なひずみが粒子の生成を支援することになり、これが順次に層の品質を低下させることになるという事実がある。

0011

最後に、グロー放電を介して基板をエッチングする装置も知られており、ここでは、電極と基板あるいは基板キャリヤとの間のボリュームが約5mmのギャップを残して架橋されており、グロー放電が基板キャリヤと電極との間のボリュームに限られる。しかしながら、静止基板キャリヤを包含しているので、この装置もインライン設備に不向きである。

0012

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、寄生プラズマを発生させることなくプラズマ・ボリューム内への基板キャリヤを介してインライン設備へエネルギを供給するように構成した基板を被覆するための装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

0013

上記目的を達成するために、本発明によれば、基板を被覆する装置であって、直流電位または交流電位を持つ第1の平坦な電極と、直流電位または交流電位を持つ第2の平坦な電極と、第1の平坦な電極のための第1シールドと、第1電極から所定の距離のところに配置した基板キャリヤと、を包含する装置において、基板キャリヤが2つの平坦な電極の間に設けてあり、これらの電極の面に対して平行に移動でき、第1シールドが第1の平坦な電極から基板キャリヤの片面付近へあるいは基板へ延びており、この第1シールドが第1電極と共にガス入口を持つプラズマ・ボリュームを囲んでおり、第2の平坦な電極がシールドを備えており、シールドからの電極の距離が暗黒部距離よりも小さいことを特徴とする装置、が提供される。

0014

本発明のいくつかの実施例を図面に示してあるが、これらの実施例を以下にさらに詳しく説明する。

0015

図1には、上壁2と下壁3とによって構成されたプロセス室1が概略的に示してある。プロセス室1のこれら2つの壁2、3の間には、上方電極5と下方電極6を包含するプラズマ・ボリューム4が配置してある。これらの電極5、6はT字形であり、上方電極5の面積7が下方電極6の面積8よりも幾分大きくなっている。

0016

上方電極5は、ポット形暗黒部シールド9によって囲まれており、この暗黒部シールド9は、その底にチューブ形の接続片10を包含する。この接続片10の外面は壁2に設けた孔の内壁面に乗っている。電極5は面7に直角に配置した軸11を備えた接続片10を通して案内され、この軸11は高周波交流電圧源12の端子に接続してある。交流電圧源12の他方の端子は、壁2と共に、アース電位13に接続している。暗黒部シールド9において、電極5の面7の下方には、ガス管路14または15が配置してあり、このガス管路を通してプロセスガスがプラズマ・ボリューム4内へ導入される。これらのプロセスガスは、たとえば、SiH4 およびN2 Oである。ガス管路14、15を通す代わりに、プロセスガスを電極5と暗黒部シールド9の間の内部空間16を通してプラズマ・ボリューム4へ導入してもよい。プラズマが存在することによって、ガスは分離されて反応性の高いラジカルを生成し、これが好ましくは室壁などと衝突することによって反応して最終製品、たとえば、SiO2 を生成する。

0017

プラズマ室4の下方境界は基板キャリヤ18内に埋め込まれた基板17によって形成される。この基板キャリヤ18は、下方電極6のための下方暗黒部シールド19上を案内され得る。上方暗黒部シールド9と同様に、下方暗黒部シールド19もチューブ状の接続片20を有し、これがその外面で壁3に設けた貫通孔の内壁面と衝合する。しかしながら、上方暗黒部シールド9と異なり、下方暗黒部シールド19はポット形状とはなっておらず、むしろ、下方電極6の面8を受け入れくぼみ21を設けた円板状である。面8に直角なウェブ22が高周波源12の端子に接続してあり、壁3はアース電位13となっている。

0018

プラズマ室4内に配置されたプラズマは電圧源12の電圧を上方電極5に印加することによって点火される。この電圧は13.56MHzの高周波電圧であると好ましい。より高い被覆率を得るためには、永久磁石を電極内に組み込み、RFマグネトロン動作が生じるようにするとよい。

0019

暗黒部シールド9および19は、電極5または8の背面に寄生プラズマが発生するのを防ぐ。さらに、放電帯域の側方境界も形成する。

0020

被覆しようとしている基板17は基板キャリヤ18のくぼみ内に起き、この基板キャリヤによって電極5またはプラズマ・スペース4を通過して運ばれる。基板キャリヤ18の動きは矢印25で示してある。基板キャリヤ18は、第1図に示すよりもかなり大きくしてもよく、前後方向にいくつかの基板を支持するようにしてもよい。こうして、異なった基板を順次に被覆することが可能となる。

0021

電極5、8の配置により、電圧源12のHFエネルギーがプラズマ・ボリューム4に容量的に送り込まれる。

0022

下方電極6と基板キャリヤ18の間の距離dは、寄生プラズマが発生することがないように暗黒部距離を超えてはならない。同じ理由のために、上方電極5の暗黒部シールド9からの距離aまたはbは暗黒部距離よりも小さい。キャリヤ18に対する電極5のキャパシタンスはできるだけ大きくなければならず、また、電極の質量はできるだけ小さくて、基板キャリヤ19のところに効率よく直流電位を発生させなければならない。基板キャリヤ19も暗黒部距離のところで被覆領域を越えた前後の面をシールドされている。それによって、プラズマ帯域エントレインメントと寄生プラズマの発生が打ち消し合うことになる。基板キャリヤ19その自体は、図示しない移送装置からの直流電流によって分離されたままとなり、それによって、移送装置が一定の方法でアース電位に接続され得るように設けてある。

0023

図2において、ここにはHFエネルギーの容量結合の別の実施例が示してある。ここでも、基板は、たとえば、スパッタリング法によって動的に、たとえば、プラズマ源を通過して動かすことによってインライン設備で被覆される。ここでの基板の動きは参照符号30で示す図面の平面に生じる。

0024

図2に示す配置は、図1の配置に対して90度傾いている。たとえば、電極はもはや頂部、底部のところになく、左右にある。さらに、図2の配置では、中央電極側部電極の間に設けてあるので、被覆は左右両方向に生じる。

0025

中央電極31および2つの側部電極38、39を介して、2つの真空またはプラズマ室32、33が形成され、その中に、個別のガス供給部34、35または36、37がそれぞれ設けてある。頂部および底部のところで、プラズマ室32、33はU字形壁40、41によって閉ざされている。これらの壁40、41は、それぞれ、スリット42、43を包含し、このスリットを通して中央電極31のウェブ44または45が案内される。頂部ウェブ44には直流または交流電圧源46の一端子が接続してあり、他の端子はアース47に接続してある。壁40もアース47に接続してある。

0026

電圧源46が交流電圧源である場合、13.56MHzの電圧を持つと好ましい。電圧源46は電極38、39とも接続してあり、ボリューム32、33内において、稀ガスが入口チューブ34〜37を通して導入され、イオン化されて電極38、39の方向へ加速される場合にプラズマが生じる。衝突するイオン材料高エネルギによって、基板48、49上の層として配置された電極38、39の表面が叩かれる。基板48、49はU字形基板キャリヤ52の外面50、51上に配置されており、ウェブ45に係合する図示しない移送機構によってU字形基板キャリヤが被覆装置を通して移動させられる。できるだけ少ない干渉異物粒子を生じさせるために、移送機構は室の下方領域(壁41に境されている)に配置してある。基板キャリヤ52そのものは移送機構(図示せず)から電気的に絶縁されており、上端も他の物体にはなんら接触していない。摩耗によって粒子汚染にかなり寄与すると思われるガイドローラ類も設けてない。U字形基板キャリヤ52の2つの軸の間には中央電極31が配置してあり、これは暗黒部距離に対応する距離c、2つの軸から隔たっている。

0027

中央電極31は、その結果、U字形基板キャリヤ52のための結合電極として役立つ。寄生プラズマの発生を防ぐために、基板キャリヤはその外面を適当な暗黒シールド55、56または57、58によって囲まれている。

0028

両実施例において、プラズマが燃焼し得る領域は被覆ボリュームそのものに限られる。さらに、HFパワーの無接触結合により、摩耗粒子の生成が回避される。HFパワーの無接触無粒子結合のさらなる利点はプレーナパワー供給により基板面または基板キャリヤ面上でのHFバイアス電圧の変動がパワーを特定の接点側に供給するガルバニック結合の場合よりもかなり少なくなることにある。これによって、層特性あるいはエッチング分布のより良好な均一性が得られる。

発明の効果

0029

本発明で達成される利点は、特に、干渉プラズマまたは粒子あるいはこれら両方を生じさせることなくインライン設備の移動基板へ所定のHFバイアスを接続できることにある。暗黒部距離で平坦な電極を通過して基板キャリヤを移動させることによって、基板キャリヤおよび基板を通してプラズマ・ボリュームへ容量的にHFパワーを導入することができ、それによって、基板にバイアス電位が生じ、同時にイオン・ボンバードメントが生じる。電極シールドはプラズマ・ボリュームからプラズマが逃げられないように選定する。これにより、プラズマCVDプロセスの場合、非制御要領で基板上に層が積層されるのを防止できる。

図面の簡単な説明

0030

図1可動基板を備えたスパッタリング装置を示す説明図であり、2つの電極間にプラズマ・ボリュームが設けてあり、高周波電圧がこれら両電極に印加される。
図2図1の後の設備に従うスパッタリング装置を示す説明図であり、ここでは、2つの対向した基板を同時に被覆し、ソードが電極間の電圧に与えられる。

--

0031

1プロセス室
2上壁
3下壁
5上方電極
6下方電極
ポット型暗黒部シールド(第1シールド)
10接続片
12高周波交流電圧源
18,52 基板キャリア

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