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技術 処理装置

出願人 東京エレクトロン株式会社
発明者 寺本正史
出願日 1993年2月22日 (27年4ヶ月経過) 出願番号 1993-056424
公開日 1994年9月9日 (25年9ヶ月経過) 公開番号 1994-252122
状態 特許登録済
技術分野 拡散 洗浄、機械加工 半導体の洗浄、乾燥
主要キーワード 処理液循環ポンプ オーバーフロー処理 処理液排出管 処理液供給管路 処理液排出口 酸処理槽 乾燥処理室 回収側
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(1994年9月9日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (7)

目的

処理液の濃度を常に一定に維持でき、処理精度の向上及び処理能力の向上を図れるようにした処理装置を提供する。

構成

半導体ウエハWの処理液Lを処理槽1内に循環供給する循環系2に新しい処理液を供給する処理液供給手段3を接続する。処理液供給手段3の処理液供給側に供給流量制御弁14a,14b,14cを設け、この供給流量制御弁14a,14b,14cを処理槽1内の処理液Lの濃度に応じて連続的に制御する。これにより、処理槽1内の処理液Lの濃度を常に一定に維持でき、処理精度の向上及び処理能力の向上を図ることができる。

概要

背景

一般に、半導体デバイスの製造工程において、被処理体である半導体ウエハ(以下にウエハという)の表面に付着した被膜パーティクル等の不純物を除去するために洗浄処理装置が使用されている。この洗浄処理装置は、ウエハに対して、例えばアンモニア処理水洗処理、フッ酸処理あるいは塩酸処理等の各処理を順次施してウエハの表面を清浄化するものである。

そこで、従来の洗浄処理装置では、アンモニア処理槽水洗処理槽、フッ酸処理槽等の各処理槽を配置する複数の処理室を配列し、ウエハを搬送手段にて載置保持して各処理室内外搬入搬出して処理を施している。この場合、各処理室において、処理槽内に収容された処理液にウエハを浸漬してウエハの表面を洗浄処理し、順次所定の処理室で処理して最終の洗浄工程後のウエハの表面を清浄な状態にしている。

ところで、処理槽内に収容される処理液はその性質の違いにより温度や処理時間等によってその濃度が変化する。例えばアンモニア処理においては、アンモニア(NH4 OH)と過酸化水素(H2 O2 )及び純水を混合した処理液を例えば60℃〜80℃の温度範囲で使用しているが、このうちアンモニアは、図6に示すように、時間の経過と共に濃度が低下する傾向にあり、このような濃度が低下した状態で処理を行うと、洗浄が不均一となる。そこで、従来では最適状態で洗浄処理するには、例えば10分後、20分後に処理槽内の処理液を全部交換する方法、所定処理回数毎に処理液を全部交換するか処理液を断続的に一部補充する方法が採られている。。

概要

処理液の濃度を常に一定に維持でき、処理精度の向上及び処理能力の向上を図れるようにした処理装置を提供する。

半導体ウエハWの処理液Lを処理槽1内に循環供給する循環系2に新しい処理液を供給する処理液供給手段3を接続する。処理液供給手段3の処理液供給側に供給流量制御弁14a,14b,14cを設け、この供給流量制御弁14a,14b,14cを処理槽1内の処理液Lの濃度に応じて連続的に制御する。これにより、処理槽1内の処理液Lの濃度を常に一定に維持でき、処理精度の向上及び処理能力の向上を図ることができる。

目的

この発明は上記事情に鑑みなされたもので、処理液の濃度を常に一定に維持でき、処理精度の向上及び処理能力の向上を可能にする処理装置を提供することを目的とするものである。

効果

実績

技術文献被引用数
2件
牽制数
7件

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請求項1

被処理体を処理する処理液を収容する処理槽と、上記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段とを具備する処理装置において、上記処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設けると共に、この供給流量制御機構を上記処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御することを特徴とする処理装置。

請求項2

被処理体を処理する処理液を収容すると共に処理液排出路を接続する処理槽と、上記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段とを具備する処理装置において、上記処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設けると共に、この供給流量制御機構を上記処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御し、上記処理液排出路に排出流量制御機構を設けると共に、この排出流量制御機構を、処理に供される処理液の汚れを検出する汚れ検出手段からの検出信号に基いて連続的に制御することを特徴とする処理装置。

請求項3

処理に供される処理液の濃度を濃度検出手段にて検出し、その検出信号に基いて供給流量制御機構を連続的に制御することを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。

技術分野

0001

この発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理体処理液により処理する処理装置に関するものである。

背景技術

0002

一般に、半導体デバイスの製造工程において、被処理体である半導体ウエハ(以下にウエハという)の表面に付着した被膜パーティクル等の不純物を除去するために洗浄処理装置が使用されている。この洗浄処理装置は、ウエハに対して、例えばアンモニア処理水洗処理、フッ酸処理あるいは塩酸処理等の各処理を順次施してウエハの表面を清浄化するものである。

0003

そこで、従来の洗浄処理装置では、アンモニア処理槽水洗処理槽、フッ酸処理槽等の各処理槽を配置する複数の処理室を配列し、ウエハを搬送手段にて載置保持して各処理室内外搬入搬出して処理を施している。この場合、各処理室において、処理槽内に収容された処理液にウエハを浸漬してウエハの表面を洗浄処理し、順次所定の処理室で処理して最終の洗浄工程後のウエハの表面を清浄な状態にしている。

0004

ところで、処理槽内に収容される処理液はその性質の違いにより温度や処理時間等によってその濃度が変化する。例えばアンモニア処理においては、アンモニア(NH4 OH)と過酸化水素(H2 O2 )及び純水を混合した処理液を例えば60℃〜80℃の温度範囲で使用しているが、このうちアンモニアは、図6に示すように、時間の経過と共に濃度が低下する傾向にあり、このような濃度が低下した状態で処理を行うと、洗浄が不均一となる。そこで、従来では最適状態で洗浄処理するには、例えば10分後、20分後に処理槽内の処理液を全部交換する方法、所定処理回数毎に処理液を全部交換するか処理液を断続的に一部補充する方法が採られている。。

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、上記のように所定時間や所定処理回数後に処理槽内の処理液を全部交換することは、多くの労力及び時間を要するため、処理能力の低下を招くという問題があった。しかも、処理装置の処理液を全部交換することは、大量の処理液を排出するため、処理液の無駄が生じるばかりか、大量の処理液を頻繁に排出することは、処理済みの処理液の廃棄問題をも惹起する虞れもあった。

0006

この問題を解決する方法として、所定時間あるいは所定処理回数後に処理槽内に新しい処理液を補充する方法が考えられる。この方法によれば、処理液の交換時期延ばすことができるが、この方法においては新しい処理液の補充のタイミングが難しい上、処理液の濃度を常に一定に維持することは難しいという問題がある。

0007

この発明は上記事情に鑑みなされたもので、処理液の濃度を常に一定に維持でき、処理精度の向上及び処理能力の向上を可能にする処理装置を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段

0008

上記目的を達成するために、この発明の第1の処理装置は、被処理体を処理する処理液を収容する処理槽と、上記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段とを具備する処理装置において、上記処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設けると共に、この供給流量制御機構を上記処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御することを特徴とするものである。

0009

また、この発明の第2の処理装置は、被処理体を処理する処理液を収容すると共に処理液排出路を接続する処理槽と、上記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段とを具備する処理装置において、上記処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設けると共に、この供給流量制御機構を上記処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御し、上記処理液排出路に排出流量制御機構を設けると共に、この排出流量制御機構を、処理に供される処理液の汚れを検出する汚れ検出手段からの検出信号に基いて連続的に制御することを特徴とするものである。

0010

この発明において、上記供給流量制御機構は処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御されるものであれば、予め実験等により測定された処理液の濃度測定値のデータに基いて供給流量制御機構を制御してもよく、あるいは、処理に供される処理液の濃度を濃度検出手段にて検出し、その検出信号に基いて供給流量制御機構を制御するものであってもよい。

0011

上記のように構成されるこの発明の処理装置によれば、処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設け、この供給流量制御機構を処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御することにより、処理槽内の処理液の濃度を常に一定に維持することができる。したがって、連続的に被処理体の処理を行うことができ、処理精度の向上及び処理能力の向上を図ることができる。

0012

また、処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設け、この供給流量制御機構を処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御し、処理槽に接続する処理液排出路に排出流量制御機構を設け、この排出流量制御機構を、処理に供される処理液の汚れを検出する汚れ検出手段からの検出信号に基いて連続的に制御することにより、処理液の濃度の維持の他に処理液の汚れに応じて処理液を交換することができる。したがって、処理槽内の処理液を濃度及び汚れの2点を監視して常に最適状態で処理に供することができる。

0013

以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置をウエハの洗浄処理装置に適用した場合を示す。

0014

◎第一実施例
図1はこの発明の処理装置の第一実施例の概略断面図が示されている。この発明の処理装置は、被処理体であるウエハWを浸漬処理する処理液Lを収容する処理槽1と、この処理槽1に処理液Lを循環供給する循環系2と、処理槽1に新しい処理液Lを供給する処理液供給手段3とで主要部が構成されている。

0015

上記処理槽1は、図示しないウエハ保持アームによってウエハWを収容する処理槽本体1aの底部に処理液供給口4aと処理液排出口4cを設け、処理槽本体1aの上部外周にオーバーフロー槽1bを設けると共に、オーバーフロー槽1bの底部の適宜箇所に処理液回収口4bを設けてなる。なお、処理槽本体1aの下部には処理液Lを均一にウエハWに当るようにするための整流板5が配設されている。

0016

循環系2は、処理槽1の処理液供給口4aと処理液回収口4bに接続する循環管路6のオーバーフロー回収側から順に処理液循環ポンプ7、ダンパー8、熱交換器9及びフィルタ10を介設してなる。そして、処理槽1の上部からオーバーフロー槽1bにオーバーフローした処理液Lを循環管路6及び処理液循環ポンプ7によって循環しつつ循環管路6に介設された熱交換器9で温度制御し、処理液循環ポンプ7による脈動をダンパー8にて軽減した後、フィルタ10でパーティクルを除去して処理槽1内に戻し、温調及び清浄化した処理液LでウエハWの洗浄処理を行うように構成されている。

0017

上記処理液供給手段3は、新しい処理液(薬液)、例えばアンモニア水過酸化水素水及び純水をそれぞれ収容する処理液供給槽11a,11b,11cと、各処理液供給槽11a〜11cと上記循環管路6とを接続する処理液供給管路12と、処理液供給管路12に介設される処理液供給ポンプ13とで構成されている。そして、このように構成される処理液供給手段3の各処理液供給管路12にそれぞれ供給流量制御機構、例えば供給流量制御弁14a,14b,14cが介設されている。これら供給流量制御弁14a〜14cは、予め実験等によって検出された処理液Lの濃度変化のデータを記憶した制御部15(例えば中央演算処理装置:CPU)によって操作されるようになっている。

0018

上記のように構成される処理装置において、図示しないウエハ搬送アームにより搬送されたウエハWがウエハ保持アームによって処理槽1内に搬入され、処理槽1内に循環供給される処理液Lに所定時間浸漬されて洗浄処理が行われる。この洗浄処理中に処理液Lの濃度が低下するので、予め処理液Lの濃度の低下のデータを記憶したCPU15からの信号によって濃度が低下した新しい処理液(薬液)の供給流量制御弁例えばアンモニアの供給流量制御弁14aが操作されて濃度が低下した量の新しい処理液(アンモニア)が補充される。したがって、処理槽1内の処理液Lは常時濃度が一定に維持され、ウエハWを最適状態で洗浄処理することができる。

0019

なお、上記説明では濃度が低下した量の新しい処理液を循環管路6を介して処理槽1内に補充する場合について述べたが、必ずしもこのような構造とする必要はなく、別の構造としてもよい。すなわち、図2に示すように、処理液供給手段3の各処理液供給管路12を処理槽1のオーバーフロー槽1bの上方へ配管して、新しい処理液(薬液)をオーバーフロー槽1bに供給する方式であってもよい。

0020

◎第二実施例
図3はこの発明の処理装置の第二実施例の概略断面図が示されている。第二実施例における処理装置は、処理槽1内の処理液Lの濃度を検出しつつ処理液Lの濃度を一定に維持できるようにした場合である。すなわち、処理槽1の処理液供給口4aと処理液回収口4bに接続する循環管路6の一部、例えば処理液循環ポンプ7の吐出側と吸入側とを接続するバイパス管路16に濃度検出手段である濃度検出用分光器17を介設すると共に、この濃度検出用分光器17によって検出された濃度信号をCPU15に伝達し、CPU15からの出力信号によって各供給流量制御弁14a〜14cを操作するようにした場合である。この場合、濃度検出用分光器17による処理液濃度の測定は、バイパス管路16内を流れる処理液の近赤外線透過スペクトルが処理液を構成している成分例えばアンモニア水、過酸化水素水の濃度によって変化するという原理基くものである。

0021

第二実施例において、ウエハWを処理槽1内の処理液Lに浸漬してウエハWを洗浄処理を行つている間に、循環管路6を介してバイパス管路16に流れるサンプリング用の処理液の濃度が濃度検出用分光器17によって検出される。そして、この濃度検出用分光器17により検出された濃度信号がCPU15に送られ、CPU15にて所定の情報と比較演算された出力信号に基いて供給流量制御弁14a〜14cが操作され、濃度の低下した処理液成分の新しい処理液が処理液供給槽11a〜11cから処理液供給管路12を介して循環管路6に流れ、処理槽1内に補充される。したがって、処理槽1内の処理液Lの濃度は常時一定に維持され、最適状態でウエハWの洗浄処理を行うことができる。

0022

なお、第二実施例において、その他の部分は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。

0023

◎第三実施例
図4はこの発明の処理装置の第三実施例の概略断面図が示されている。第三実施例における処理装置は、処理液の濃度の維持の他に処理液の汚れを検出して処理液の排出を制御するようにした場合である。

0024

すなわち、第三実施例の処理装置は、図4に示すように、処理槽1の処理槽本体1aの底部に処理液供給口4aとは別に処理液排出口4cを設け、この処理液排出口4cに接続される処理液排出管路18に排出流量制御機構、例えば排出流量制御弁19を介設し、また、循環管路6の処理液循環ポンプ7の吐出側と吸入側とに第2のバイパス管路16aを接続すると共に、この第2のバイパス管路16aに処理液の汚れ検出手段である汚れ検出用分光器17aを介設してなる。そして、汚れ検出用分光器17aによって検出された汚れ信号をCPU15に伝達し、CPU15からの出力信号によって排出流量制御弁19を操作するようにした構造となっている。また、汚れ信号を受けたCPU15からの信号は供給流量制御弁14a〜14cにも伝達されるようになっている。なお、上記汚れ検出用分光器17aは上記濃度検出用分光器17と同様の原理によって処理液中の汚れすなわちパーティクルの量を検出することができる。また、第三実施例において、その他の部分は上記第二実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。

0025

上記のように構成される第三実施例の処理装置において、循環管路6を介して第2のバイパス管路16aに流れるサンプリング用の処理液の汚れが汚れ検出用分光器17aによって検出される。そして、この汚れ検出用分光器17aにより検出された汚れ信号がCPU15に送られ、CPU15にて所定の情報と比較演算された出力信号に基いて排出流量制御弁19が操作され、汚れの度合いに応じて処理槽1内の処理液Lが処理液排出管路18を介して外部に排出される。この場合、排出される処理液の量が判るので、その排出量に相当する量の処理液は、CPU15からの出力信号に基いて供給流量制御弁14a〜14cを操作することによって補充することができる。

0026

なお、上記実施例では処理排出口4cに接続する処理液排出管路18に排出流量制御機構である排出流量制御弁19を設けた場合について説明したが、必ずしも排出流量制御弁19を処理液排出管路18に設ける必要はなく、例えば図4想像線で示すように、オーバーフロー槽1bの処理液回収口4bに接続する処理液排出管路18aに排出流量制御弁19を設けてもよい。このように形成することにより、処理槽1内の処理液中のパーティクル等がオーバーフロー槽1bに浮き上がるので、パーティクル等をオーバーフロー槽1bから有効に排出することができる。

0027

上記のように構成される処理装置は具体的には、洗浄処理装置に組込まれて使用される。この洗浄処理装置は、例えば図5に示すように、3つの洗浄処理ユニット21,22,23にて構成されており、搬入側の洗浄処理ユニット21にはローダ24が接続され、搬出側の洗浄処理ユニット23にはアンローダ25が接続されており、更に洗浄処理ユニット21,22間及び洗浄処理ユニット22,23間に、3ユニットのいずれかに含まれている処理室の一部を構成する水中ローダ26が配設されている。

0028

搬入側の洗浄処理ユニット21は、中心位置に搬送アーム35を配設する容器36が位置し、その周囲で容器36の左隣及びローダ24の正面にそれぞれアンモニア処理室27及び水洗処理室28が配設されている。中央の洗浄処理ユニット22は、中心位置に搬送アーム35を配設する容器36が位置し、その周囲の左右両側に水中ローダ26を配設し、その間の前後位置にフッ酸処理室29、水洗オーバーフロー処理室30を配設してなる。また、搬出側の洗浄処理ユニット23は、中心位置に搬送アーム35を配設した容器36が位置し、この容器36の周囲でアンローダ25の正面側には水洗ファイナルリンス処理室31を配設し、容器36の右隣に乾燥処理室32を配設してなる。

0029

上記のように構成される洗浄処理装置において、ローダ24に25枚ずつウエハWが載置されたキャリア33が2つ搬送されてくると、オリフラ合せ機構34が動作して、キャリア33内のウエハWを整列させる。次いで、突き上げ棒(図示せず)が上方に作動して、キャリア33をそのままに、ウエハWのみを上方に取り出した後、突き上げ棒が互いに寄合って50枚のウエハWを等間隔で位置させる。次に、搬送アーム35が作動して水平回転し、かつローダ24方向に伸びて先端のフォーク37を突き上げ棒の下側に位置させる。そして、突き上げ棒が下降し、フォーク37上にウエハWが載置位置決めされる。次いで、フォーク37上にウエハWが載置された状態で、搬送アーム35が水平回転し、かつ伸縮してアンモニア処理室27の開口部からウエハWをアンモニア処理室27の処理槽1内の処理液に浸漬して洗浄処理する。この洗浄処理中において、上述したように処理液の濃度が一定に維持される。

0030

アンモニア処理室27内での洗浄が終了した後、ウエハWは次の水洗処理室28内へ搬入されて水洗処理される。そして、洗浄が終了したウエハWは搬入側の洗浄処理ユニット21と中央の洗浄処理ユニット22との間の水中ローダ26によって中央の洗浄処理ユニット22に搬送され、中央の洗浄処理ユニット22の容器36内に配設された搬送アーム35によって上述と同様に搬送される。そして、ウエハWは、順次フッ酸処理室29内での洗浄処理、オーバーフロー処理室30内での水洗オーバーフロー処理が行われる。上記フッ酸処理室29内の洗浄処理においても上述と同様に処理液の濃度が一定に維持される。

0031

中央の洗浄処理ユニット22での洗浄処理が行われたウエハWは、中央の洗浄処理ユニット22と搬出側の洗浄処理ユニット23との間の水中ローダ26にて搬出側の洗浄処理ユニット23に搬送される。そして、搬出側の洗浄処理ユニット23の搬送アーム35によって上述と同様に搬送されて、ファイナルリンスが行われた後、乾燥処理が行われる。このようにして、搬出側の洗浄処理ユニット23にて洗浄処理されたウエハWはアンローダ25に搬送され、このアンローダ25にてウエハWの25枚ずつの分割、オリフラ合せが行われ、そして、2つのキャリアに載置されて搬出される。

0032

なお、上記実施例の洗浄処理装置では、3つの洗浄処理ユニット21,22及び23を有するタイプの場合について説明したが、このタイプの洗浄処理装置の他に複数の洗浄処理室を直線状に配置したタイプの洗浄処理装置においてもこの発明の処理装置を適用することができる。

0033

また、上記実施例ではこの発明の処理装置がウエハWの洗浄処理装置について説明したが、必ずしもウエハWの洗浄処理装置に限定するものではなく、その他の例えばLCDガラス基板等の洗浄処理装置や洗浄以外の処理液を用いて処理する処理装置にも適用できることは勿論である。

0034

また、上記実施例では、供給流量制御機構について、供給流量制御弁を用いて説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、マスフローコントローラ等の流量を制御できるものであればよいし、マスフローコントローラに制御用CPUを搭載した方式であってもよいことは、いうまでもないことである。

発明の効果

0035

以上に説明したように、この発明の処理装置は上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。

0036

1)請求項1記載の処理装置によれば、処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設け、この供給流量制御機構を処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御するので、処理槽内の処理液の濃度を常に一定にして被処理体の処理を行うことができる。したがって、処理精度を高めることができると共に、処理能力の向上を図ることができる。

0037

2)請求項2記載の処理装置によれば、処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設け、この供給流量制御機構を処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御し、処理槽に接続する処理液排出路に排出流量制御機構を設け、この排出流量制御機構を、処理に供される処理液の汚れを検出する汚れ検出手段からの検出信号に基いて連続的に制御するので、処理液の濃度の維持の他に処理液の汚れに応じて処理液を交換(排出及び補充)することができる。したがって、処理槽内の処理液を濃度及び汚れの2点を監視して常に最適状態で処理に供することができ、上記1)に加えて処理液の有効利用を図ることができる。

0038

3)請求項3記載の処理装置によれば、処理に供される処理液の濃度を濃度検出手段にて検出し、その検出信号に基いて供給流量制御機構を連続的に制御するので、処理液の濃度を更に正確に検出することができ、処理液の濃度を更に確実に一定に維持することができる。

図面の簡単な説明

0039

図1この発明の処理装置の第一実施例の概略断面図である。
図2第一実施例の別の構造を示す概略断面図である。
図3この発明の処理装置の第二実施例の概略断面図である。
図4この発明の処理装置の第三実施例の概略断面図である。
図5この発明の処理装置を有する洗浄処理装置の全体を示す断面図である。
図6処理液として使用されるアンモニアと過酸化水素の温度、濃度及び時間の関係を示すグラフである。

--

0040

W半導体ウエハ(被処理体)
L処理液
1処理槽
2循環系
3 処理液供給手段
11a〜11c 処理液供給槽
12処理液供給管路
14a〜14c供給流量制御弁(供給流量制御機構)
15 CPU(制御部)
16バイパス管路
16a 第2のバイパス管路
17濃度検出用分光器(濃度検出手段)
17a汚れ検出用分光器(汚れ検出手段)
18,18a処理液排出管路
19排出流量制御弁(排出流量制御機構)

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