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技術 半田ブリッジ修正方法

出願人 株式会社日立製作所
発明者 中野博之
出願日 1993年1月19日 (27年5ヶ月経過) 出願番号 1993-006425
公開日 1994年8月5日 (25年10ヶ月経過) 公開番号 1994-216517
状態 未査定
技術分野 印刷回路に対する電気部品等の電気的接続
主要キーワード ヒートチップ 搭載ずれ 修正ヘッド 加熱用電源 フィレット形状 取り除去 修正装置 半田ブリッジ
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(1994年8月5日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (8)

目的

本来必要な半田を除去しないようにして、半田の接合強度の低下を防止可能とした半田ブリッジ修正方法を提供すること。

構成

基板上に実装されている電子部品の半田ブリッジを修正する方法であって、半田ブリッジが生じているリードを局部的に高速加熱することにより、半田ブリッジを形成している半田を溶融させ、この際、前記リードと半田ブリッジが生じているリード間(半田ブリッジ部)に温度差を生じさせて、前記半田ブリッジを形成していた半田を前記リード上に移動させることを特徴とする半田ブリッジ修正方法。

概要

背景

従来、この種の半田不良の修正技術としては、例えば、特開平2-200376号公報に開示された技術が知られている。この技術は、バキュームを利用した半田吸い取り機を用いて、基板上の半田不良個所から過剰あるいは不要な半田を吸い取るものである。また、特開平1-237073号公報に開示された技術は、プリント基板の不良半田に吸い取りワイヤを押し当て、不良半田を溶融させて、不良半田をワイヤによる毛管現象を利用して、吸い取り除去するものである。

概要

本来必要な半田を除去しないようにして、半田の接合強度の低下を防止可能とした半田ブリッジ修正方法を提供すること。

基板上に実装されている電子部品の半田ブリッジを修正する方法であって、半田ブリッジが生じているリードを局部的に高速加熱することにより、半田ブリッジを形成している半田を溶融させ、この際、前記リードと半田ブリッジが生じているリード間(半田ブリッジ部)に温度差を生じさせて、前記半田ブリッジを形成していた半田を前記リード上に移動させることを特徴とする半田ブリッジ修正方法。

目的

上記従来技術は、いずれも、半田ブリッジを形成している半田を溶融し、その後、何等かの手段で半田を吸い取り、除去するものであった。しかしながら、この種の方法による場合には、半田ブリッジ修正時に、半田ブリッジを形成している半田以外の半田、すなわち、本来必要な半田をも吸い取り・除去し、半田の接合強度が低下するという問題がある。これについて詳述すると、以下の通りである。近年、基板への各電子部品の高密度実装化が要求され、例えば、ICパッケージリードピッチは 当初2.54mmであったものが、現在では、0.5mmと狭ピッチ化され、更に、最近では0.3mmピッチ化が検討されていることで、より重要になってきている。このように狭ピッチ化が進んだICパッケージの半田接合部の半田量は、従来のリードピッチのものに比較して著しく少なくなっており、半田ブリッジ修正時に吸い取りによる修正を行うと、半田接合部の接合強度が低下して、信頼性がなくなるので、該当リード部への半田の供給が必要となる。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、従来の技術における上述の如き問題を解消し、半田を不必要に除去しないようにして、半田の接合強度の低下を防止可能とした半田ブリッジ修正方法を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
1件

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請求項1

基板上に実装されている電子部品半田ブリッジ修正する方法であって、半田ブリッジが生じているリードを局部的に高速加熱することにより、半田ブリッジを形成している半田溶融させ、この際、前記リードと半田ブリッジが生じているリード間(半田ブリッジ部)に温度差を生じさせて、前記半田ブリッジを形成していた半田を前記リード上に移動させることを特徴とする半田ブリッジ修正方法

技術分野

0001

本発明は基板上に実装されている電子部品半田ブリッジ修正方法に関し、特に半田を不必要に除去しないようにした半田ブリッジ修正方法に関する。

背景技術

0002

従来、この種の半田不良の修正技術としては、例えば、特開平2-200376号公報に開示された技術が知られている。この技術は、バキュームを利用した半田吸い取り機を用いて、基板上の半田不良個所から過剰あるいは不要な半田を吸い取るものである。また、特開平1-237073号公報に開示された技術は、プリント基板の不良半田に吸い取りワイヤを押し当て、不良半田を溶融させて、不良半田をワイヤによる毛管現象を利用して、吸い取り除去するものである。

発明が解決しようとする課題

0003

上記従来技術は、いずれも、半田ブリッジを形成している半田を溶融し、その後、何等かの手段で半田を吸い取り、除去するものであった。しかしながら、この種の方法による場合には、半田ブリッジ修正時に、半田ブリッジを形成している半田以外の半田、すなわち、本来必要な半田をも吸い取り・除去し、半田の接合強度が低下するという問題がある。これについて詳述すると、以下の通りである。近年、基板への各電子部品の高密度実装化が要求され、例えば、ICパッケージリードピッチは 当初2.54mmであったものが、現在では、0.5mmと狭ピッチ化され、更に、最近では0.3mmピッチ化が検討されていることで、より重要になってきている。このように狭ピッチ化が進んだICパッケージの半田接合部の半田量は、従来のリードピッチのものに比較して著しく少なくなっており、半田ブリッジ修正時に吸い取りによる修正を行うと、半田接合部の接合強度が低下して、信頼性がなくなるので、該当リード部への半田の供給が必要となる。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、従来の技術における上述の如き問題を解消し、半田を不必要に除去しないようにして、半田の接合強度の低下を防止可能とした半田ブリッジ修正方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

0004

本発明の上記目的は、基板上に実装されている電子部品の半田ブリッジを修正する方法であって、半田ブリッジが生じているリードを局部的に高速加熱することにより、半田ブリッジを形成している半田を溶融させ、この際、前記リードと半田ブリッジが生じているリード間(半田ブリッジ部)に温度差を生じさせて、前記半田ブリッジを形成していた半田を前記リード上に移動させることを特徴とする半田ブリッジ修正方法によって達成される。

0005

本発明に係る半田ブリッジ修正方法においては、基板上に実装されている各電子部品の半田不良として存在している半田ブリッジ部のリード(またはパッド)を局部的に加熱することにより、半田ブリッジ部を形成している半田を熱伝導により溶融すると同時に、リード(またはパッド)と半田ブリッジ部に急激な温度差を与える。これにより、溶融した半田は、その性質により温度の高い方へ濡れ広がり加熱素子によって加熱されているリード(またはパッド)の方へ移動し、しかも良好なフィレット形状を形成するものである。

0006

以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。まず、半田ブリッジについて説明する。半田ブリッジは、電子部品のリード間に発生し易いものである。なお、以下の説明は、狭ピッチ入出力ピンのLSI(以下、単に「LSI」という)を対象として、半田ブリッジの修正を行う場合を説明するものである。図2に、上述の、本発明の対象とするLSI1の一例を示す斜視図であり、半田印刷条件やLSI搭載ずれリフロー条件等により、ピン2相互間に半田ブリッジ3が生じた例を示すものである。以下、第1の実施例を、図1および図3図6に基づいて説明する。図1は、本発明の一実施例に係る半田ブリッジ修正装置概要を示す側面図であり、図3は、修正ヘッドの拡大図で、(a)は正面図、(b)は側面図である。また、図4は、ヒートチップ拡大図であり、(a)は正面図、(b)は側面図、(c)は先端部の拡大図である。

0007

図1に示した半田ブリッジ修正装置5は、半自動または全自動装置として機能するもので、修正ヘッド6,X−Yテーブル9,加熱用電源(図示されていない)および架台10等から構成されている。修正ヘッド6の給電部11に電圧印加することにより、ヒートチップ7は、その抵抗により発熱する。この加熱は高速に行うことが望ましく、例えば、1秒以内に 2800Cになるように行う。また、上述の加熱は、リードまたはパッドを0.01〜0.20mm2の範囲でポイント加熱することが望ましい。図5(a)に示されるように、半田ブリッジを形成しているリード2へ、チップ7を顕微鏡(図示されていない)等による観察により、位置決めを行う。位置決め後、給電部11に電圧を印加し、ヒートチップ7を加熱すると、ヒートチップ7の発熱により溶融した半田が、図に示すように、半田の、温度が高い方へ濡れ広がり移動する性質により、半田が本来あるべきリードへ分離・移動して、半田ブリッジが修正される。

0008

なお、図5(b)は、ヒートチップ7をパッド4に位置決めして加熱した場合を示している。この場合にも、上と同様の作用により、半田の、温度が高い方へ濡れ広がり移動する性質により、半田が本来あるべきリードへ分離・移動して、半田ブリッジが修正される。次に、図6に基づいて、第2の実施例を説明する。本実施例は、加熱手段として、キセノンランプ等からの光ビーム12を用いるものである。半田ブリッジを形成しているリード2またはパッド4へ、光ビーム12を照射することで、半田を溶融し、上述の如き、半田の、温度が高い方へ濡れ広がり移動する性質により、半田が本来あるべきリードへ分離・移動することにより、半田ブリッジの修正が可能にするものである。次に、図7に基づいて、第3の実施例を説明する。第1,第2の実施例では、半田ブリッジが2つのリード2間に形成されている例を示したが、ここでは、半田ブリッジが連続する3つのリード2間に形成されている例を示す。

0009

この場合には、図に示す如く、3点を同時に加熱することにより、半田を溶融し、上述の如き、半田の、温度が高い方へ濡れ広がり移動する性質により、半田が本来あるべきリードへ分離・移動することにより、半田ブリッジの修正が可能になるものである。また、図示は省略したが、半田ブリッジが連続して3つ以上のリード2間に形成されている場合に、連続した半田ブリッジが形成されているリード2の本数以下(例えば、2つ)の個所を加熱することによっても、修正は可能である。なお、上記各実施例はいずれも本発明の一例を示したものであり、本発明はこれらに限定されるべきものではないことは言うまでもないことである。

発明の効果

0010

以上、詳細に説明した如く、本発明によれば、本来必要な半田をも吸い取り・除去しないようにして、半田の接合強度の低下を防止可能とした半田ブリッジ修正方法を実現できるという顕著な効果を奏するものである。

図面の簡単な説明

0011

図1本発明の一実施例に係る半田ブリッジ修正装置の概要を示す側面図である。
図2本発明の対象とするLSIと半田ブリッジが形成されている状況の一例を示す斜視図である。
図3図1に示した半田ブリッジ修正装置の修正ヘッドの拡大図である。
図4図3に示した修正ヘッドのヒートチップ拡大図である。
図5実施例に係る半田ブリッジ修正装置の作用を示す斜視図である。
図6本発明の他の実施例に係る半田ブリッジ修正装置の修正ヘッドとその動作説明図である。
図7本発明の更に他の実施例に係る半田ブリッジ修正装置の修正ヘッドとその動作説明図である。

--

0012

1:LSI、2:リード、3:半田ブリッジ、4:パッド、5:半田ブリッジ修正装置、6:修正ヘッド、7:ヒートチップ、9:X−Yテーブル、10:架台、12:光ビーム。

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