ウォン,キースタットスン さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】基板上に形成された相互接続からボイド、シーム及び粒界のうちの一又は複数を除去するために基板を処理する方法を提供する。【解決手段】その上に形成された相互接続を有し、相互接続がその中にシーム又はボイドのうちの一又は複数を有する導電性材料を含む基板を処理するための方法は、基板を位置決めすることと、基板を摂氏約300度から摂氏約400度の温度まで加熱することと、基板を...

    拡散促進雰囲気中の超大気プロセスにおけるシーム修復法

  2. 【課題】自己組織化単分子膜(SAM)をマスク材料として利用して、その後の材料堆積の選択性を改善する。【解決手段】露出した第1の材料216および露出した第2の材料218を含む基板210を自己組織化単分子膜(SAM)分子に曝して、第1の材料上にSAMの選択的堆積を達成する。基板がヒドロキシル部分に曝され、基板をSAM分子に曝すことと、基板をヒドロキシル部分に曝すことが、そ...

    断続的な空気−水暴露による自己組織化単分子膜のブロッキングの改良

  3. 【課題・解決手段】高圧処理システムは、第1のチャンバと、第1のチャンバに隣接した第2のチャンバと、第2のチャンバからガスを除去するフォアラインと、第2のチャンバ内の圧力を真空近くまで低下させるように構成された真空処理システムと、第1のチャンバ内の圧力を第2のチャンバ内の圧力から分離させるバルブアセンブリと、第1のチャンバへガスを導入して、第1のチャンバ内の圧力を少なく...

    高圧処理チャンバ用のガス供給システム

  4. 【課題・解決手段】加工対象物上の窒化ケイ素膜を処理するためのプロセスに関連した方法及びシステムであって、該プロセスが、チャンバ内で加工対象物を支持すること、チャンバの中にアミンガスを導入すること、少なくとも5気圧の圧力を確立すること、及び、チャンバ内の圧力が少なくとも5気圧である間に、加工対象物上の窒化ケイ素膜をアミンガスに曝露することを含む。

    窒化ケイ素膜の高圧処理

  5. 【課題・解決手段】加工対象物上のタングステン膜を処理するためのプロセスに関連した方法及びシステムであって、該プロセスが、チャンバ内で加工対象物を支持すること、チャンバの中に水素ガスを導入すること、少なくとも5気圧の圧力を確立すること、及び、チャンバ内の圧力が少なくとも5気圧である間に、加工対象物上のタングステン膜を水素ガスに曝露することを含む。

    高圧処理によるタングステンの脱フッ素化

  6. 【課題・解決手段】基板を処理するための高圧処理システムは、第1のチャンバと、基板を支持するように第1のチャンバ内部に位置づけされたペデスタルと、第1のチャンバに隣接した第2のチャンバと、第2のチャンバ内部の圧力を真空近くまで低下させるように構成された真空処理システムと、第1のチャンバ内部の圧力を第2のチャンバ内部の圧力から分離させるための、第1のチャンバと第2のチャン...

    高圧ウエハ処理システム及び関連方法