滝野淳一 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】高いキャリア濃度を達成しながら、低転位及び低抵抗のIII族窒化物基板を提供する。【解決手段】III族窒化物基板は、研磨された面内において、第1不純物濃度を示す第1領域と、第1不純物濃度よりも低い第2不純物濃度を示す第2領域と、を有し、第1領域の第1転位密度は、第2領域の第2転位密度よりも低い。

    III族窒化物基板

  2. 【課題】単峰性の遠視野像を有し、ビーム品質に優れ、且つ、高信頼性のIII族窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】III族窒化物系半導体レーザ素子20は、GaN基板1と、GaN基板の上に設けられた活性層5と、を備え、GaN基板1の酸素濃度は5×1019cm−3以上であり、活性層5の発振波長に対する活性層の吸収係数よりも発振波長に対するGaN基板1の吸収係数が大である。

    III族窒化物系半導体レーザ素子