バスラー,トーマス さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】トレンチ構造を含む半導体デバイス及び製作方法を提供する。【解決手段】半導体デバイス100において、第1の導電型のソース領域104は、第1の表面のソース接触区域113においてコンタクト112に直接隣接した第1のソース部分領域1041、第2のソース部分領域1042及び第3のソース部分領域1043を含む。第2のソース部分領域は、鉛直方向に沿って第1のソース部分領域と...

    トレンチ構造を含む半導体デバイス及び製作方法

  2. 【課題】本体ダイオードのバイポーラ劣化を抑制し、ショットキー接触への遮蔽効果も改善するSiC(シリコンカーバイド)半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子500は、第1表面101からSiC半導体本体100内に延在するゲート構造体150を備える。SiC半導体本体100内の本体領域120は少なくともゲート構造体150の第1側壁151に接する。本体領域120の導電性タイ...

    シリコンカーバイド半導体素子