シーミーニエック,ラルフ さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】トレンチ・ゲート構造を有する炭化ケイ素デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】炭化ケイ素デバイス500において、ボディ領域は、トレンチ・ゲート構造体150のアクティブ状態の側壁151と接触している。ソース領域110は、アクティブ状態の側壁151と接触している。ソース領域110は、ボディ領域と第1の表面101との間に配置されている。ボディ領域は、ソース領...

    トレンチ・ゲート構造を有する炭化ケイ素デバイス及び製造方法

  2. 【課題】 トレンチ下部にオフセットを有するSiC半導体デバイスを提供する。【解決手段】 半導体デバイスは、第1の面からSiC半導体本体内に延在するトレンチを含む。トレンチは、第1の側壁と、第1の側壁に対向する第2の側壁と、トレンチ下部とを有する。ゲート電極は、トレンチ内に配置され、且つトレンチ誘電体によってSiC半導体本体から電気的に絶縁される。第1の導電型の本体...

    トレンチ下部にオフセットを有するSiC半導体デバイス

  3. 【課題】本体ダイオードのバイポーラ劣化を抑制し、ショットキー接触への遮蔽効果も改善するSiC(シリコンカーバイド)半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子500は、第1表面101からSiC半導体本体100内に延在するゲート構造体150を備える。SiC半導体本体100内の本体領域120は少なくともゲート構造体150の第1側壁151に接する。本体領域120の導電性タイ...

    シリコンカーバイド半導体素子