高橋勲 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題・解決手段】ファセット成長による転位などの欠陥が低減されたエピタキシャル膜をコランダム構造でも工業的有利に成膜できる成膜方法を提供する。コランダム構造を有する結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、エピタキシャル膜を成膜する際に、結晶成長面上に、少なくとも凹部または凸部を含む凹凸部が形成されている結晶基板を用いて、金属を含む原料溶液を霧化し、液滴を浮...

    成膜方法および結晶性積層構造体

  2. 【課題】方向性結合器の主線路である中心導体に対して、副線路である結合線路を疎結合させつつ、良好な方向性特性を得る技術を提供する。【解決手段】方向性結合器において、中空同軸線路は、主線路を成す中心導体と、中心導体の周囲を囲むように設けられ、開口部が形成された外部導体と、を備え、誘電体基板は、開口部を覆うように設けられ、前記開口部を介して前記中心導体に対向する裏面側と、前...

    方向性結合器、基板を処理する装置、及び基板を処理する方法

  3. 【課題・解決手段】特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。n型半導体層(例えば、酸化物半導体を主成分として含むn型半導体層等)と電極との間に1または2以上のp型半導体(例えば、p型ドーピングされている結晶性酸化物半導体等)が設けられている半導体装置であって、前記p型半導体は前記n型半導体層に埋め込まれており、かつ、前記n型半導体層から前記電極...

    半導体装置

  4. 【課題・解決手段】本発明は、ファセット成長による転位などの欠陥が低減された半導体装置等に有用な結晶品質に優れたコランダム構造を有するエピタキシャル膜を提供する。コランダム構造の横方向成長領域を含む結晶性酸化物膜であって、前記横方向成長領域が、ファセット成長領域を実質的に含まず、結晶成長方向がc軸または略c軸方向であり、c軸または略c軸方向に伸びている転位線を含んでおり...

    結晶性酸化物膜

  5. 【課題】半導体特性、特に電気特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】コランダム構造を有すn−型半導体層101aと、半導体層の第1面側に配置された第1の電極105a(ショットキー電極)と、第1面側の反対側である第2面側に配置された第2電極105b(オーミック電極)とを少なくとも有する半導体装置(ショットキーバリアダイオード)であって、第2の電極が、第1の電極よりも...

    半導体装置

  6. 【課題・解決手段】コランダム構造を有するか、または酸化ガリウムもしくはその混晶を主成分として含む酸化物半導体膜を含むノーマリオフ型の半導体装置であって、3V以上の閾値電圧を有する半導体装置。

    半導体装置および半導体装置を含む半導体システム

  7. 【課題・解決手段】反転チャネル領域を少なくとも有する半導体装置であって、前記反転チャネル領域に、コランダム構造を有する結晶を含む酸化物半導体膜を有することを特徴とする、半導体装置。

    半導体装置および半導体装置を含む半導体システム

  8. 【課題・解決手段】酸化ガリウムまたはその混晶を主成分として含む酸化物半導体膜上に、周期律表第15族の少なくとも1種の元素を含む酸化膜が積層されていることを特徴とする積層構造体。

    積層構造体、積層構造体を含む半導体装置および半導体システム

  9. 【課題・解決手段】反転チャネル領域を少なくとも有する半導体装置であって、前記反転チャネル領域が、少なくとも酸化ガリウムを含有する結晶を含む酸化物半導体膜を有することを特徴とする、半導体装置。

    半導体装置および半導体装置を含む半導体システム

  10. 【課題・解決手段】特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。n型半導体層と電極との間に複数のp型半導体(例えば、マグネシウムドープ酸化ガリウム等)が設けられている半導体装置(例えば、ジャンクションバリアショットキーダイオード等)であって、前記n型半導体層がコランダム構造を有する結晶性酸化物半導体(たとえば、α型酸化ガリウム等)を主成分として含み...

    半導体装置

  11. 【課題・解決手段】特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。n型半導体層と電極との間に複数のp型半導体(例えば、マグネシウムドープ酸化ガリウム等)が設けられている半導体装置(例えば、ジャンクションバリアショットキーダイオード等)であって、前記n型半導体層がガリウムを含み(たとえば、酸化ガリウム等)、前記p型半導体が3つ以上設けられており、かつ、...

    半導体装置

  12. 【課題】複数のエネルギーレベルに分けられた放射線データを用いて三つ以上の物質に弁別するときの演算量を低減する。【解決手段】被写体内の物質を弁別する物質弁別装置であって、三つ以上の物質の内のいずれかの物質を他の二つの物質に弁別することにより予め生成される補正データを記憶するデータ記憶部と、複数のエネルギーレベルに分けられた前記被写体の放射線データが入力されるデータ入力部...

    物質弁別装置、PCCT装置および物質弁別方法

  13. 【課題】汎用の画質評価指標を用いてノイズを定量化することができない医用画像であっても、精度よくノイズを低減させて画質を向上させる。【解決手段】原画像及び原画像よりもノイズが低減された画像を1枚以上含む入力画像を生成する前処理部と、学習済みネットワークを適用して、前記入力画像に基づいて前記原画像からノイズを低減した画像を出力するノイズ低減処理部と、を備え、前記ノイズ低減...

    画像処理装置、画像処理方法及びX線CT装置

  14. 【課題】工業的有利にエッチング対象物をエッチング処理することのできるエッチング処理方法を提供する。【解決手段】エッチング処理装置19において、エッチング対象物20(例えば、α−Ga2O3)にエッチング液を用いてエッチング処理する方法であって、エッチング液として、臭素を含むエッチング液(例えば、臭化水素酸)を用いて、エッチング処理を、200℃よりも高い温度下で行うことに...

    エッチング処理方法

  15. 【課題】工業的有利にエッチング対象物をエッチング処理することのできるエッチング処理方法を提供する。【解決手段】エッチング処理装置19において、エッチング対象物20(例えば、α−Ga2O3)にエッチング液24aを用いてエッチング処理する方法であって、エッチング液として、臭素を含み、エッチング対象物がアルミニウムまたは/およびガリウムを少なくとも含むエッチング液を用いて、...

    エッチング処理方法

  16. 【課題】工業的有利にエッチング対象物をエッチング処理することのできるエッチング処理方法およびエッチング処理装置を提供する。【解決手段】エッチング処理装置19において、エッチング対象物20(例えば、α−Ga2O3、α−Al2O3)にエッチング液24a(例えば、臭化水素酸)を含む霧化液滴(ミスト)24bを用いてエッチング処理する方法であって、200℃より高い温度でエッチン...

    エッチング処理方法およびエッチング処理装置