青柳克信 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】表面を損傷することなくn−またはn型GaNを短時間にp型活性化する。【解決手段】p型不純物がドープされたn−またはn型窒化ガリウム系化合物半導体をp型活性化してp型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法であって、前記n−またはn型窒化ガリウム系化合物半導体に、強度がアブレーション閾値未満のレーザ光L1を照射することにより、前記n−またはn型窒化ガリウム系化合...

    p型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法および装置、並びに、半導体素子を製造する装置