霍間勇輝 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】初期キャリア濃度制御を必要としない高耐圧かつ低抵抗な半導体素子を提供する。【解決手段】離間する一対のオーミック電極20及びショットキー電極10と、前記オーミック電極20と前記ショットキー電極10に接する半導体層30を有し、下記式(I)(式中、nは前記半導体層のキャリア濃度(cm−3)、εは前記半導体層の誘電率(F/cm)、Veは前記オーミック電極と前記ショット...

    半導体素子及びそれを用いた電気機器