遠藤政孝 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】ブロックコポリマーの自己組織化によるパターン形成のスループットを向上できるようにする。【解決手段】基板の上に、ブロックコポリマー膜303を形成する。続いて、ブロックコポリマー膜303の上に、水溶性ポリマー膜304を形成する。その後、ブロックコポリマー膜303膜と水溶性ポリマー膜304とをアニーリングする。

    ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

  2. 【課題】ブロックコポリマーの自己組織化によるパターン形成のスループットを向上できるようにする。【解決手段】基板201の上に、ブロックコポリマー膜203を形成する。続いて、ブロックコポリマー膜203を、例えば湿度が約40%の加湿下でアニーリングする。

    ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

  3. 【課題】レジストパターンの被処理膜との密着性を向上して、パターンの形状不良を防止できるようにする。【解決手段】基板301の上に、ヘテロ環式スルホンであるブタン-1,4-スルタムを含むレジストからなるレジスト膜302を形成し、続いて、レジスト膜302に対して露光光303を選択的に照射することによりパターン露光を行なう。続いて、パターン露光が行なわれたレジスト膜302に対...

    レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

  4. 【課題】極紫外線露光におけるパターン不良を防止して、良好な形状を有する微細パターンを形成できるようにする。【解決手段】まず、基板101の上に、ポジ型の化学増幅型レジスト材料から膜厚が50nm以下のレジスト膜102を形成する。続いて、形成されたレジスト膜102に、極紫外線からなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト...

    パターン形成方法

  5. 【課題】自己組織化によるパターン形状を良好に且つより短時間で形成できるようにする。【解決手段】まず、基板101の上に中性化膜102を形成する。続いて、中性化膜102の上に、親水性を有し且つ開口部103aを有するガイドパターン103を形成する。続いて、ガイドパターン103の少なくとも側面に対して、該ガイドパターン103の親水性を増長する表面処理である水素化処理を行う。そ...

    自己組織化パターン形成方法

  6. 【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。【解決手段】まず、基板101の上に、化学増幅型レジスト材料からレジスト膜102を形成する。次に、レジスト膜102に極紫外線からなる露光光を選択的に照射してパターン露光を行う。続いて、パターン露光されたレジスト膜102を加熱し、加熱されたレジスト膜102を現像して...

    化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

  7. 【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。【解決手段】基板101の上に、アニオン部及びカチオン部を持つオニウム塩を有し且つアニオン部であるスルフォン酸基と共有結合するマレイン酸の誘導体と酸脱離基とを含むポリマーを含む化学増幅型レジスト材料からレジスト膜を形成する。続いて、レジスト膜102に露光光を選択的...

    化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法