藤倉序章 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】GaN基板上にHVPEによりGaN層を成長させることで得られる新規なGaN積層体を提供する。【解決手段】GaN積層体は、GaN単結晶で構成され、主面に対して最も近い低指数の結晶面がc面であるGaN基板と、GaN基板の前記主面上にエピタキシャル成長され、10μm以上の厚さを有するGaN層と、を有し、GaN層の表面は、GaNの複数分子層以上の高さを有し所定方向に延...

    GaN積層体およびその製造方法

  2. 【課題】GaN基板上にHVPEによりGaN層を成長させることで得られる新規なGaN積層体を提供する。【解決手段】GaN積層体は、GaN単結晶で構成され、主面に対して最も近い低指数の結晶面がc面であるGaN基板と、GaN基板の前記主面上にエピタキシャル成長されたGaN層と、を有し、GaN層の表面は、マクロステップと、マクロテラスと、が交互に並んだマクロステップ・テラス構...

    GaN積層体およびその製造方法

  3. 【課題】(0001)面の曲率半径を大きくし、オフ角分布を狭くすることができる技術を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体の結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が(0001)面である主面を有する窒化物半導体基板であって、<1−100>軸に沿った方向および<1−100>軸に直交する<11−20>軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の(0001)面は、主面に対して凹の...

    窒化物半導体基板、半導体積層物、積層構造体、窒化物半導体基板の製造方法および半導体積層物の製造方法

  4. 【課題】窒化物半導体積層物、窒化物半導体自立基板および半導体装置をそれぞれ高純度に製造することができる技術を提供する。【解決手段】窒素極性面からなる表面と、表面と反対側のIII族元素極性面からなる裏面とを有し、III族窒化物半導体からなる基板と、少なくとも基板の裏面側に設けられ、耐熱性が基板の裏面よりも高い保護層と、基板の表面側に設けられ、III族窒化物半導体からなる...

    窒化物半導体積層物、半導体装置、窒化物半導体積層物の製造方法、窒化物半導体自立基板の製造方法および半導体装置の製造方法