菅野裕士 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】高集積化及び高速化の可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】一の実施形態に係る半導体記憶装置は、基板と、基板の表面と交差する第1方向に並ぶ複数のゲート電極と、第1方向に延伸して複数のゲート電極と対向する第1半導体層と、ゲート電極及び第1半導体層の間に設けられたゲート絶縁膜と、複数のゲート電極よりも基板側に設けられ、第1半導体層の第1方向と交差する第2方向の...

    半導体記憶装置

  2. 【課題】半導体層内の結晶粒の粒径を小さくすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】一の実施形態によれば、半導体装置は、導電性を有する多結晶半導体層である第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられ、導電性を有し前記第1半導体層よりも粒径の小さい多結晶半導体層である第2半導体層と、前記第2半導体層上に、第1方向に互いに離間して積層された複数の電...

    半導体装置およびその製造方法

  3. 【課題】消去動作の速度向上を図ることができる半導体記憶装置を提供することである。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基体部と積層体と第2導電層と柱状体とを備える。前記柱状体は、半導体ボディと電荷蓄積膜とを備える。前記半導体ボディは、第1領域と、第2領域とを有する。前記第1領域は、前記半導体ボディと前記第1半導体部との接続部から前記第2導電層内に至る。前記第1領域は...

    半導体記憶装置