肥塚純一 さんに関する公開一覧

一部、同姓同名の別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ご了承くださいませ。

  1. 【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。【解決手段】第1の領域と、第1の領域を介して対向する一対の第2の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられて、かつ第1の領域に重畳する第1の電極と、を有し、第1の領域は、c軸配向した結晶部を有する非単結晶の酸化物半導体領域であり、一対の第2の領...

    半導体装置

  2. 【課題】酸化物半導体膜を有する半導体装置において、電気特性の優れたトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第1の電極と、第1の電極上の第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上の第2の電極と、を有し、酸化物半導体膜は、第1の酸化物半導体膜と、第...

    半導体装置

  3. 【課題】欠陥準位密度の少ない酸化物半導体膜を成膜する。または、発明の一態様は、不純物の濃度の少ない酸化物半導体膜を成膜する。酸化物半導体膜を用いた半導体装置などにおいて、電気特性を向上させる。【解決手段】透過電子回折測定装置を用いて、一次元的に300nmの範囲で観察箇所を変化させたとき、配向性を示す輝点を有する回折パターンが観察される割合が70%以上100%未満である...

    半導体装置

  4. 【課題】電気特性の良好な半導体装置を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1の絶縁層、第2の絶縁層、半導体層、及び第1の導電層を有する。第1の絶縁層上に、半導体層、第2の絶縁層、及び第1の導電層が、この順で積層されている。第2の絶縁層は、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜、及び第3の絶縁膜が、この順で積...

    半導体装置

  5. 【課題】酸化物半導体を用いたオン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】駆動回路部に設けられた第1のトランジスタと、画素部に設けられた第2のトランジスタとを有する半導体装置であって、第1のトランジスタと第2のトランジスタは構造が異なる。また、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタであって、ゲート電極とソース...

    半導体装置

  6. 【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制する。【解決手段】トランジスタ100は、基板102上の第1のゲート電極として機能する導電膜104と、基板102及び導電膜104上の絶縁膜106と、絶縁膜106上の絶縁膜107と、絶縁膜107上の酸化物半導体膜108と、酸化物半導体膜108に電気的に接続されるソース電極として機能する導電膜112aと...

    半導体装置の作製方法

  7. 【課題】導電性を有する酸化物半導体膜を備えたタッチパネルを提供する。【解決手段】トランジスタと、第2の絶縁膜と、タッチセンサと、を有するタッチパネルであって、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極と、第1の絶縁膜と、第2の酸化物半導体膜と、を有し、第2の絶縁膜は、第2の酸化物半導体膜が第1の絶縁膜と第2の絶縁膜...

    半導体装置

  8. 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】ソース電極層410a及びドレイン電極層410bと接する第1の酸化物半導体層408aと、トランジスタの電流経路(チャネル)となる第2の酸化物半導体層408bとを含んで構成されるトランジスタ300であって、第1の酸化物半導体層は、ソース電極層及びドレイン電...

    半導体装置

  9. 【課題】酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】第1のゲート電極と、第1のゲート電極上の第1のゲート絶縁膜と、第1のゲート絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜上の第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜上の第2の酸化物半導体膜と、を有し、第1の酸化物半導体膜は、第2の酸化物半導体膜が重...

    半導体装置

  10. 【課題】酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】絶縁表面上のゲート電極と、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、ゲート電極及び酸化物半導体膜の間であって、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜と接する面と反対側の面において接する保護膜と、酸化物半導体膜...

    半導体装置

  11. 【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。【解決手段】抵抗素子354に適用される第1の酸化物半導体層905上にシラン(SiH4)及びアンモニア(NH3)などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するよう...

    半導体装置

  12. 【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられたボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層と酸化物半導体膜との間に、少なくとも第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜を設け、450℃以上、好ましくは650℃以上の加熱処理を行った後...

    半導体装置

  13. 【課題】酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】トランジスタ100は、基板102上のゲート電極として機能する導電膜104と、基板102及び導電膜104上の絶縁膜106と、絶縁膜106上の絶縁膜107と、絶縁膜107上の酸化物半導体膜108と、酸化物半導体膜108に電気的に接続される導電...

    半導体装置

  14. 【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過し...

    半導体装置

  15. 【課題】酸化物半導体を用いたオン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】駆動回路部に設けられた第1のトランジスタと、画素部に設けられた第2のトランジスタとを有する半導体装置であって、第1のトランジスタと第2のトランジスタは構造が異なる。また、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタであって、ゲート電極とソース...

    半導体装置

  16. 【課題】撮像品質が高く、低コストで作製することのできる撮像装置を提供する。【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、フォトダイオードと、容量素子を有する撮像装置であって、第1乃至第4のトランジスタは、それぞれ第1のゲート電極および第2のゲート電極を有し、第1乃至第4のトランジスタが有するそれぞれの第2のゲート電...

    撮像装置及び電子機器

  17. 【課題】酸化物半導体を有する半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】第1乃至第4の工程を有する半導体装置の作製方法であって、第1の工程は、酸化物半導体膜を形成する工程を有し、第2の工程は、酸化物半導体膜上に、酸化物絶縁膜を形成する工程を有し、第3の工程は、酸化物絶縁膜上に、保護膜を形成する工程を有し、第4の工程は、保護膜を介...

    半導体装置の作製方法

  18. 【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、酸化物半導体膜の欠陥を低減する。また、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。また、酸化物半導体膜を用いた半導体装置において、信頼性を向上させる。【解決手段】基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に、酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に接する一対の電極を形成し、酸化物半導...

    半導体装置

  19. 技術 表示装置

    【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第1のゲート電極と、第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン...

    表示装置

  20. 【課題】安定な電気特性をもつ半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、酸化物半導体膜、ゲート電極、第1の導電膜、第2の導電膜及び第3の導電膜を有する。ゲート電極と第3の導電膜とは電気的に接続されている。第1、第2の導電膜は、ソース電極またはドレイン電極として機能する。酸化物半導体膜は、第1の導電膜と重なる第1の領域と、第2の導電膜と重なる第2の領域と、ゲート電極...

    半導体装置

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