緒方潔 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】低コストが容易な光起電力素子を提供する。【解決手段】光起電力素子10は、p層3、i層4、n層5および電極6を透明導電膜2が形成された絶縁基板1上に順次積層した構造からなる。p層3は、p型a−Si:Hからなり、n層5は、n型a−Si:Hからなる。i層4は、複数の非晶質薄膜41と複数の結晶薄膜42とからなる。そして、複数の非晶質薄膜41および複数の結晶薄膜42は、...

    光起電力素子およびその製造方法

  2. 【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。【解決手段】チャンバ10内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板100上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ1へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ1内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プ...

    シリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置

  3. 【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。【解決手段】シリコンスパッタターゲット30と基体Sを配置したチャンバ1内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加してチャンバ1内に、プラズマ発光において波長288nmにおけるシリコン原子の発光強度Si(288nm) と波長484nmにおける水素原子の発光強度Hβと...

    シリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置

  4. 【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。【解決手段】チャンバ1内に水素ガスとシラン系ガスを導入し、該ガスに高周波電力印加することでチャンバ1内に、プラズマ発光において波長288nmにおけるシリコン原子の発光強度Si(288nm)と波長484nmにおける水素原子の発光強度Hβとの比〔Si(288nm)/Hβ〕...

    シリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置

  5. 【課題】p層および/またはn層におけるドーピング効率を向上可能な光起電力素子を提供する。【解決手段】光起電力素子10は、下地層3、p層4、i層5、n層6および電極7を基板1の透明導電膜2上に順次積層した構造からなる。下地層3は、p型poly−Siからなり、p層4は、p型a−Si:Hからなり、i層5は、i型a−Si:Hからなり、n層6は、n型a−Si:Hからなり、電極7...

    光起電力素子およびその製造方法

  6. 【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する装置を提供する。【解決手段】基板Sのホルダ2を有するチャンバ1と、チャンバに接続された水素ガス供給装置5及びシラン系ガス供給装置6並びに排気装置7と、ガス供給装置5、6から供給されるガスからチャンバ内壁にシリコン膜を形成するプラズマを形成する第1高周波電力印加装置と、該シリコン膜をケミカルス...

    シリコンドット形成装置