秋山昌次 さんに関する公開一覧

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  1. 技術 複合基板

    【課題】300℃のプロセス後に高抵抗を保つことができる複合基板および複合基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る複合基板は、圧電材料基板に、格子間酸素濃度が2から10ppmaのシリコン(Si)ウェーハを支持基板として貼り合わせ、貼り合わせ後に圧電材料基板を薄化することにより作製されることを特徴とする。圧電材料基板は、タンタル酸リチウムウェーハ(LT)基板...

    複合基板

  2. 【課題】電材料層の外周端にチップが生じ難く、外周端からの剥離が生じ難い、表面弾性波デバイス用の複合基板を提供する。【解決手段】 表面弾性波デバイス用複合基板は、圧電材料単結晶薄膜と支持基板とが接合面で接合された複合基板であって、支持基板は閉じた第1の輪郭線を備え、接合面は閉じた第2の輪郭線を備え、圧電材料単結晶薄膜は閉じた第3の輪郭線を備え、接合面を含む平面に第1の...

    表面弾性波デバイス用複合基板とその製造方法

  3. 【課題】熱膨張係数が高いタンタル酸リチウム膜が熱膨張係数の低い支持基板に積層された複合ウェーハにおいて、入射した信号がタンタル酸リチウム膜と支持基板との接合界面で反射することにより生じるスプリアスを低減することが可能な複合ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】熱膨張係数が高いタンタル酸リチウムウェーハを熱膨張係数が小さい支持ウェーハと貼り合わせることにより複合ウェ...

    複合ウェーハの製造方法

  4. 【課題】熱処理プロセスによる焦電性上昇を抑制した複合基板を提供する。【解決手段】複合基板は、圧電材料の単結晶薄膜である酸化物単結晶薄膜と、支持基板と、酸化物単結晶薄膜と支持基板の間に設けられ、酸素の拡散を防止する拡散防止層とを備える。拡散防止層は、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、スピネル、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、窒化タングステン、酸...

    複合基板および複合基板の製造方法