秋元健吾 さんに関する公開一覧

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  1. 技術 表示装置

    【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いた表示装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたチャネル保護型の薄膜トランジスタ470であって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層423を活性層に用い、ゲート電極層421aとゲート絶縁層402を介して重なり、且つ、酸化物絶...

    表示装置

  2. 【課題】画素部を駆動する駆動回路の少なくとも一部の回路に酸化物半導体を用いる薄膜トランジスタを用い、製造コストを低減する。【解決手段】表示装置において、駆動回路に用いる薄膜トランジスタ480と、画素部に用いる薄膜トランジスタ170とを同一基板上に設ける。薄膜トランジスタ480において、絶縁表面を有する基板400上に設けられた第1のゲート電極401は、第1のゲート絶縁層...

    半導体装置及び表示装置

  3. 技術 表示装置

    【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層104...

    表示装置

  4. 【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、上下をゲー...

    半導体装置

  5. 【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。また、オフ電流を低減することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化...

    半導体装置

  6. 【課題】インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層とIGZO半導体層との間に、IGZO半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設け...

    トランジスタ

  7. 【課題】表示パネルに設けられるパッド部に適した構造並びに酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される、薄膜の剥がれに起因する不良を防止する各種用途の表示装置を提供する。【解決手段】表示装置(半導体装置)において、走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層110と、画素電極層に対応して設けられた画素部を有する。画素部に酸素の含有量が異なる少なくと...

    半導体装置

  8. 【課題】撮像品質が高く、低コストで作製することのできる撮像装置を提供する。【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、フォトダイオードと、容量素子を有する撮像装置であって、第1乃至第4のトランジスタは、それぞれ第1のゲート電極および第2のゲート電極を有し、第1乃至第4のトランジスタが有するそれぞれの第2のゲート電...

    撮像装置及び電子機器

  9. 【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、n型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして...

    半導体装置の作製方法

  10. 【課題】インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上にIGZO半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、IGZ...

    半導体装置

  11. 【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置をバラツキなく作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層...

    半導体装置

  12. 【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜...

    半導体装置

  13. 【課題】適切な構成を備えた保護回路を有する、動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。【解決手段】ゲート電極15を被覆するゲート絶縁層37と、ゲート絶縁層37上においてゲート電極15と端部が重畳し、第2酸化物半導体層40と導電層41が積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39と、少なくともゲート電極15と重畳しゲート絶縁層37及び該第...

    半導体装置及び表示装置

  14. 【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型(トップゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレ...

    半導体装置

  15. 技術 発光装置

    【課題】有機EL素子を含み、軽量であり、信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】第1の有機樹脂層100aと、第1の有機樹脂層上の、第1の有機樹脂層の一方の面に接する第1のガラス層101aと、発光素子上の第2のガラス層101bと、第2のガラス層上の、第2のガラス層の一方の面と接する第2の有機樹脂層100bと、を備え、第1の有機樹脂層及び第1のガラス層が、可視光に対す...

    発光装置

  16. 【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも...

    半導体装置の作製方法

  17. 【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタに水素を徹底的に排除した酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をス...

    半導体装置

  18. 技術 表示装置

    【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。【解決手段】ゲート電極111を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極111と重畳する第1酸化物半導体層113と、第1酸化物半導体層113上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層と第2酸化物半導体...

    表示装置

  19. 【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の...

    トランジスタ

  20. 【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレ...

    半導体装置

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