秋元健吾 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】半導体層をゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に設ける場合であっても、素子特性を向上させると共に、素子の信頼性を向上させることを目的の一とする。【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介してゲート電極層の一部と重なるように設けられたソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極...

    トランジスタ

  2. 【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極間に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑える構造及びその作製方法を提供する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極上に酸化物半導体層を有するボトムゲート型の薄膜トランジスタとし、酸化物半導体層と接するソース電極の側面の角度θ1及びドレイン電極の側面の角度θ2を20°以上9...

    半導体装置

  3. 【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜...

    半導体装置

  4. 技術 表示装置

    【課題】画素にメモリを有する画素を備えた表示装置を提供する。【解決手段】画素に、少なくとも、表示素子1613、容量素子1604、インバータ1606およびスイッチ1602を設ける。容量素子1604に保持された信号と、インバータ1606から出力される信号とを用いて、スイッチ1602を制御することにより、表示素子1613に電圧が供給されるようにする。インバータ1606および...

    表示装置

  5. 【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜...

    半導体装置

  6. 【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルストップ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続す...

    アクティブマトリクス型表示装置

  7. 【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタに水素を徹底的に排除した酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をス...

    半導体装置

  8. 技術 発光装置

    【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する...

    発光装置

  9. 【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置をバラツキなく作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層...

    半導体装置

  10. 【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に1nm以上10nm以下...

    半導体装置

  11. 【課題】半導体装置の開口率を向上させる。【解決手段】同一基板上に、駆動回路を有する駆動回路部と、画素を有する画素部と、を有し、前記画素は、透光性を有するゲート電極層と、ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の上に設けられ、透光性を有するソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層を挟んでゲート電極層の上に設けられ、ソース電極層の上面及び側面並びにドレイン電極層の上面及び側面を...

    半導体装置

  12. 【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレ...

    半導体装置

  13. 【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、酸化物半導...

    半導体装置

  14. 【課題】酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタにおいて、活性層を形成する酸化物半導体領域の組成や膜質や界面などの変化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。【解決手段】第1の酸化物半導体領域を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、第1の酸化物半導体領域と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に、第1の酸化物半導体より導電率が低い第...

    半導体装置の作製方法

  15. 技術 発光装置

    【課題】有機EL素子を含み、軽量であり、信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】第1の有機樹脂層と、第1の有機樹脂層上の、第1の有機樹脂層の一方の面に接する第1のガラス層と、発光素子上の第2のガラス層と、第2のガラス層上の、第2のガラス層の一方の面と接する第2の有機樹脂層と、を備え、第1の有機樹脂層及び第1のガラス層が、可視光に対する透光性を有し、第1のガラス層及...

    発光装置

  16. 【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、n型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして...

    半導体装置の作製方法

  17. 技術 表示装置

    【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。【解決手段】ゲート電極15を被覆するゲート絶縁層37と、ゲート絶縁層37上においてゲート電極15と端部が重畳し、第2酸化物半導体層40と導電層41が積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39と、少なくともゲート電極15と重畳しゲート絶縁...

    表示装置

  18. 【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタ460としてソース電極層455a及びドレイン電極層455b上に重なる酸化物半導体層454を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタ450として、チャネルストップ型を用い、画素...

    アクティブマトリクス型表示装置

  19. 【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、上下をゲー...

    半導体装置及び表示装置

  20. 【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすために適切な構成を備えた保護回路を提供する。【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103のチャネル形成領域と重なる領域を覆うチャネル保護層と、チャネル保護層上においてゲ...

    半導体装置

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