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【課題】特性の良い半導体薄膜を高速且つ安価に製造することができる薄膜製造装置を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室31に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室12及び22と、前記原料ガス生...