矢野公規 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】オン抵抗を低減した半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】B、Al、Ga、In、P及びAsからなる群から選択される1以上の元素の窒化物を含む半導体層40と、半導体層と接する絶縁体層60とを含み、絶縁体層60の平均水素濃度が1.0×1021cm−3以上であり、半導体層40の平均水素濃度が1.0×1020cm−3以下とすることにより、p型ドーパントの不...

    半導体装置、及びその製造方法

  2. 【課題】ノーマリーオフが実現可能であって、生産性に優れる窒化物半導体を用いたトランジスタを提供する。【解決手段】半導体層、前記半導体層と接する第1の絶縁体層、及び前記第1の絶縁体層と接する第2の絶縁体層をこの順に含み、前記半導体層が、III−V族元素窒化物を含み、前記第1の絶縁体層の前記第2の絶縁体層との界面の酸素単位面密度をσO1、及び前記第2の絶縁体層の前記第1の...

    半導体装置及び半導体装置の製造方法

  3. 【課題】Si基板上にバンドギャップの広い化合物半導体を安価で量産性に優れた方法で形成し、優れた電流−電圧特性を有するショットキーバリアダイオード素子を提供する。また、ショットキーバリアダイオード素子、ダイオード素子、パワー半導体素子に好適な酸化物半導体基板を提供する。【解決手段】シリコン(Si)基板と、酸化物半導体層と、ショットキー電極層とを有するショットキーバリアダ...

    酸化物半導体基板及びショットキーバリアダイオード

  4. 【課題】一実施形態は、プロセスの起動完了を検出するための汎用性の高い技術を提供することができる。【解決手段】一実施形態に係る判定プログラムは、起動指示に応じて起動したプロセスが第1の時刻に実行する処理の内容を示す第1の情報と、プロセスが第2の時刻に実行する処理の内容を示す第2の情報とを取得し、取得した第1の情報及び第2の情報の比較結果に基づき、プロセスの起動処理が完了...

    判定プログラム、情報処理装置、及び判定方法

  5. 【課題】逆方向破壊電圧の低下を防ぎ、生産性にも優れる半導体装置を提供する。【解決手段】p型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層と保護膜層を含み、前記保護膜層が、Ga、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから選ばれる1種類以上の元素及び酸素元素を含み、前記p型窒化物半導体層と前記n型窒化物半導体層が接しており、前記n型窒...

    半導体装置及び半導体装置の製造方法