白土猛英 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】絶縁膜構造が異なる半導体層に設けた全周囲等チャネル長のMISFET【解決手段】Si基板1の一部上に絶縁膜7により包囲された一対の空孔8を設け、絶縁膜7により包囲された空孔8上に一対のSi層4を設け、Si層4間に1側面をそれぞれ接して一対のSiGe層5を設け、SiGe層5間に対向する側面をそれぞれ接して歪Si層6を挟んで設け、Si層4に端部がすべて平面からなるn...

    半導体装置及びその製造方法

  2. 【課題】側面及び下面を絶縁膜で包囲された空孔上のソースドレイン領域を備えた歪半導体基板上のMISFETの提供【解決手段】Si基板1の一部上にSiGe層2(第1の半導体層)が設けられ、SiGe層2直上に歪Si層3(第2の半導体層)が設けられ、SiGe層2の両側面にはそれぞれ側面及び下面をシリコン酸化膜7に包囲された一対の空孔8が設けられ、側面及び下面をシリコン酸化膜7に...

    半導体装置及びその製造方法

  3. 【課題】上層包囲型ゲート電極で、下層ゲート電極を代行した積層CMOSの提供【解決手段】半導体基板1上に下層半導体層(2、12)が設けられ、下層半導体層上に層間絶縁膜7を介して上層半導体層(9、11、13)が設けられ、上層半導体層の一部13の全周囲に上層ゲート絶縁膜15を介して包囲する構造の、下層ゲート電極を含む包囲型ゲート電極16が、下層半導体層の一部12直上に下層ゲ...

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