田中研一 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】密着性と接触抵抗の低減化とを両立することができるパワーモジュールを提供する。【解決手段】パワーモジュール10は、金属導電層1と、金属導電層1に積層された絶縁層2と、絶縁層2に積層された焼結配線層4とを備える。絶縁層2は、開口部3が設けられている。焼結配線層4は、絶縁層2から開口部3内へ延伸されて開口部3を部分的に覆い、開口部3内に位置する周縁部4cが、金属導電...

    パワーモジュール

  2. 技術 電源回路

    【課題】GaN系半導体材料をスイッチとして用いた場合にも、誤ってスイッチがオンになる誤オンが生じることを防止することが可能な電源装置を提供する。【解決手段】電源回路は、GaN系半導体材料で構成されたFETである第1スイッチUH1と、GaN系半導体材料で構成されたFETである第2スイッチUL1を備える。第1スイッチUH1のソースが入力電位側に接続され、第1スイッチUH1...

    電源回路

  3. 【課題】スイッチングノイズの低減効果が高いパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワー半導体モジュール10は、絶縁層121の一方の主面に第1〜第4電極部111〜114からなる第1導電層が形成され、他方の主面に第2導電層である導電性基板101が形成されており、第1導電層の表面に配置された第1トランジスタ131および第2トランジスタ132のスイッチング制御によって...

    パワー半導体モジュールおよび電子機器