田中智晴 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】 ベリファイ動作を高速化し、データの書き込み速度を向上する。【解決手段】 メモリセルアレイ1は、ワード線、及びビット線に接続され、n値(nは3以上の自然数)のうちの1値を記憶する複数のメモリセルが配置されて構成されている。制御回路7は、入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルにデータを書き込む。データ記憶回路10は、前記ビット...

    半導体記憶装置

  2. 【課題】 ベリファイ動作を高速化し、データの書き込み速度を向上する。【解決手段】 制御回路7は、第1の書き込み動作によりメモリセルの閾値電圧を第1の閾値電圧から第1の閾値電圧又は第2の閾値電圧(第1の閾値電圧<第2の閾値電圧)とし、第2の書き込み動作によりメモリセルの閾値電圧が第1の閾値電圧である場合、第1の閾値電圧又は第3の閾値電圧(第1の閾値電圧<第3の閾値電...

    半導体記憶装置

  3. 【課題】 ベリファイ動作を高速化し、データの書き込み速度を向上する。【解決手段】 メモリセルMCは、第1閾値電圧乃至第n閾値電圧(nは2以上の自然数)により、データを記憶する。制御回路7は、入力データに応じて前記メモリセルに前記第1乃至第n閾値電圧のいずれかを書き込む。制御回路7は、第1回目の書き込み動作により、メモリセルに第n閾値電圧、第(n−1)閾値電圧…第(...

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