清水達雄 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】オン抵抗の低減が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1及び第2の面を有する半導体層と、第1導電型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域と第1の面との間の第2導電型の第2及び第3の半導体領域と、第2の半導体領域と第1の面との間の第1導電型の第4の半導体領域と、第3の半導体領域と第1の面との間の第1導電型の第5の半導体領域と、第4と第...

    半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

  2. 【課題】特性の向上が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1層、第1電極及び第1窒化物領域を含む。前記第1層は、炭化シリコン、シリコン、カーボン及びゲルマニウムよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1材料を含む。前記第1層は、第1部分領域を含む。前記第1部分領域は、n形及びp形の一方の第1導電形である。前記第...

    半導体装置及びその製造方法

  3. 【課題】オン抵抗の低減が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の面と第1の面に対向する第2の面とを有する炭化珪素層と、ゲート電極と、炭化珪素層とゲート電極との間に位置する結晶質の窒化アルミニウム層と、炭化珪素層と窒化アルミニウム層との間に位置する第1の絶縁層と、窒化アルミニウム層とゲート電極との間に位置し、窒化アルミニウム層よりもバンドギ...

    半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

  4. 【課題】オン抵抗の低減が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の面と第1の面に対向する第2の面とを有する炭化珪素層と、炭化珪素層の中に存在する第1導電型の第1の炭化珪素領域と、炭化珪素層の中に存在し、第1の炭化珪素領域と第1の面との間に位置する第2導電型の第2の炭化珪素領域と、炭化珪素層の中に存在し、第2の炭化珪素領域と第1の面との間に位...

    半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

  5. 【課題】特性の向上が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1〜第3電極、半導体部材及び第1結晶部材を含む。第1電極から第2電極への方向は、第1方向に沿う。第3電極の第1方向における位置は、前記第1電極と第2電極との間にある。半導体部材は、炭化シリコン、シリコン、カーボン及びゲルマニウムの少なくとも1つを含む。半導体部材は、第1領域、...

    半導体装置

  6. 【課題】オン抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1〜第4半導体領域、及び、第1、第2電極を含む。第1半導体領域は、第1部分領域、第2部分領域及び中間部分領域を含み、第1導電形である。第1電極は、第1方向において第1部分領域から離れる。第2電極は、第1方向において第2部分領域から離れた第1導電領域...

    半導体装置及びその製造方法

  7. 【課題】本発明が解決しようとする課題は、短絡耐量の向上が可能な半導体装置を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体装置は、炭化珪素層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソース電極と炭化珪素層の間に位置するゲート電極と、ゲート電極と第1の面との間に位置するゲート絶縁層と、を備え、炭化珪素層は、n型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域とドレイン電極の間に位置するn型...

    半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、および昇降機

  8. 【課題】キャリアの移動度の低下を抑制する半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、{111}面に対するオフ角が10度以下の表面を有するダイヤモンド層と、ゲート電極と、ダイヤモンド層とゲート電極との間に位置し、酸化物を含むゲート絶縁層と、ダイヤモンド層とゲート絶縁層との間に位置し、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、及び、ビスマス(...

    半導体装置、及び、半導体装置の製造方法

  9. 【課題】高品質なダイヤモンド基板を提供する。【解決手段】実施形態のダイヤモンド基板は、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、及び、ビスマス(Bi)からなる群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素を含み、3配位の第1の元素が4配位の第1の元素よりも多く、(111)面に対するオフ角が10度以下の表面を有するダイヤモンド層を、備える。

    ダイヤモンド基板、量子デバイス、量子システム、及び、ダイヤモンド基板の製造方法

  10. 【課題】キャリアの移動度の低下を抑制する半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、ゲート電極と、炭化珪素層とゲート電極との間のゲート絶縁層と、炭化珪素層とゲート絶縁層との間に位置し、3個の第1のシリコン原子と結合する3配位の第1の窒素原子と、3個の第2のシリコン原子と結合する3配位の第2の窒素原子と、3個の第3のシリコン原子と結合する3配...

    半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

  11. 【課題】閾値電圧の変動の抑制が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素又はダイヤモンドの半導体層と、半導体層の上に位置し、第1の炭素と、第1の炭素に結合する3個の第1の原子と、第1の炭素に結合する1個の第2の原子と、を有し、第1の原子は、シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、ハフニウム(Hf)、及び、ジルコニウム(Zr)から成る群から...

    半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

  12. 【課題】キャリアの移動度の向上が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素又はダイヤモンドの半導体層と、半導体層の上に位置し、第1の炭素と、第1の炭素に結合する第1の原子と、第1の炭素に結合する第2の原子と、第1の炭素に結合する第1の終端基と、第1の炭素に結合する第2の終端基と、を有し、第1の原子は、Si、C、O、N、及び、Alから成る群...

    半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

  13. 【課題】閾値変動が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層上に設けられたソース電極と、第1の窒化物半導体層上に設けられたドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極の間に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられ、シリコンとアルミニウムと酸素と窒素を含む第1の膜と、ゲート電極と第1の膜の間に設けら...

    半導体装置

  14. 【課題】短絡耐量を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の方向及び第1の方向に垂直な第2の方向に平行な第1の面と第2の面を有する炭化珪素層、第1の方向に延伸する第1のトレンチと第2のトレンチ、炭化珪素層の中の、n型の第1の領域、n型の第1の領域と第1の面との間にあり、第1のトレンチと第2のトレンチとの間のp型の第2の領域と...

    半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機