森数洋司 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】 III−V族化合物結晶を基板から分離する(剥離させる)ことが容易なIII−V族化合物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上にIII−V族化合物種結晶12aが形成された種結晶形成基板を提供する種結晶形成基板提供工程と、 III−V族化合物種結晶12aの、基板11と接触している部分の一部を基板11から分離させる種結晶一部分離工程と、 前記種結...

    III−V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法

  2. 【課題】単結晶シリコンウエーハに適正なシールドトンネルを形成することができ、シールドトンネル形成とプラズマエッチングとの複合加工により単結晶シリコンウエーハを個々のデバイスに分割することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハの加工方法は、ウエーハ2の表面2aに保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハ2の裏面2bから分割予定ライン4に対応する領...

    ウエーハの加工方法

  3. 【課題】本発明の解決すべき課題は、設備費が高額になることなく、照射されるレーザー光線のパルス幅を調整できるレーザー加工装置を提供することにある。【解決手段】本発明によれば、被加工物(10)を保持する保持手段(34)と、該保持手段(34)に保持された被加工物(10)に線幅をもった波長のパルスレーザー光線LBを照射するレーザー光線照射手段(24)と、該保持手段(34)と該...

    レーザー加工装置

  4. 【課題】単結晶シリコンウエーハに適正なシールドトンネルを形成することができるレーザー加工装置を提供する。【解決手段】レーザー光線照射手段は、単結晶シリコンウエーハに対して透過性を有する範囲で1950nm以上の波長のレーザー光線LBを発振する発振器を備える。レーザー加工方法は、被加工物として、単結晶シリコンウエーハを選択する単結晶シリコンウエーハ選択工程と、単結晶シリコ...

    レーザー加工装置およびレーザー加工方法

  5. 【課題】確実にウエーハの表面から支持基板を剥離することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハの加工方法は、波長が300nm以下の紫外線を透過しウエーハ2を支持できる支持基板8を準備する支持基板準備工程と、ウエーハ2の表面2aと支持基板8とを紫外線の照射によって粘着力が低下するUV硬化型樹脂10を介在して貼着し一体化する一体化工程と、ウエーハ2の裏面...

    ウエーハの加工方法