桑原秀明 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイ...

    半導体装置の作製方法及び液晶表示装置の作製方法

  2. 【課題】可撓性を有する入力装置のボタンの配置を決定し表示する入力装置、およびシステムを提供する。【解決手段】入力装置100は、表示部121と、タッチパネル101と、ハプティック素子123と、ハプティックコントローラー140と、制御部120とを有する。タッチパネル101は、使用者が操作に用いる部位の大きさに関する情報を取得する機能と、制御部120に情報を送信する機能とを...

    入力装置及び入力装置のシステム

  3. 【課題】基板を用いて封止を行い、パッケージ内部の気密性を長時間確保する気密封止パッケージ、または外部からの圧力による破壊を低減する封止構造を実現することを課題とする。【解決手段】第1の基板に半導体材料からなる枠を設け、半導体素子を有する第2の基板に接合することにより、枠の内側に半導体素子が位置するように第1の基板と第2の基板を貼り合わせる。枠を構成する枠部材としてL字...

    半導体装置

  4. 【課題】駆動回路の信頼性の向上を図る。【解決手段】ドレイン電極層405b(及びソース電極層405a)と重畳した酸化物半導体層において第2の高抵抗ドレイン領域432(または第1の高抵抗ドレイン領域431)を形成する。第2の高抵抗ドレイン領域432を形成することで、ドレイン電極層から第2の高抵抗ドレイン領域432、チャネル形成領域にかけて、導電性を段階的に変化させうるよう...

    半導体装置

  5. 【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、該酸化物半導体層の上に、該酸化物半導体より導電率が高い半導体層又は導電層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ...

    半導体装置

  6. 技術 表示装置

    【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チ...

    表示装置

  7. 技術 表示装置

    【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。

    表示装置

  8. 【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チ...

    半導体装置

  9. 技術 表示装置

    【課題】半導体装置のコストを低減し、開口率を向上させ、高精細化及び高速化する。【解決手段】同一基板上に設けられた駆動回路の第1の薄膜トランジスタ410及び画素の第2の薄膜トランジスタ420は、ゲート電極層411、421と、ゲート電極層上にゲート絶縁層402a、402bと、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層412、422と、酸化物半導体層上にソース電極層415a、409a及...

    表示装置

  10. 技術 成膜装置

    【課題】共蒸着を行う場合、蒸着材料を収納する容器を取り囲むヒータまでも傾けることになるため、容器同士の間隔が大きくなってしまい、蒸着材料を均一に混合することが困難になることに鑑み、容器同士の間隔を狭め、均一に混合しながら蒸着することを課題とする。【解決手段】蒸着装置の蒸着源に設置される蒸着材料を収納する容器であって、前記容器は、開口部と、ガイド部と、を有することを特徴...

    成膜装置

  11. 【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。

    半導体装置

  12. 【課題】本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供する。【解決手段】反射表示モードと、発光表示モードの2種類の表示手段を有する表示装置であり、発光表示モードにおいては、反射型の表示素子の画素電極は開口部を有し、開口部と重なる発光素子からの発光が開口部を通過して表示がなされる構成を有している。反射型の表示素子のスイッチング素子と、発光素子に電気的...

    表示パネルおよびその作製方法

  13. 技術 電子機器

    【課題】体に装着して使用する利便性の高い電子機器を提供する。【解決手段】表示パネル、蓄電装置、回路、及び封止体を有する腕装着型電子機器である。表示パネルは、蓄電装置から供給される電力を用いて表示を行う。回路は、アンテナを有し、無線で蓄電装置を充電する。封止体は、内部に、表示パネル、蓄電装置、及び回路を有する。封止体は、可視光を透過する部分を有する。封止体は、腕に装着可...

    電子機器

  14. 【課題】LSIやCPUやメモリに用いるトランジスタのリーク電流及び寄生容量を低減する。【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体(ドナー)となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体442でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタ440を用い、LSIやCPUやメモリなどの半導体集積回路を作製...

    半導体装置

  15. 【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一とする。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導...

    半導体装置

  16. 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の...

    半導体装置の作製方法

  17. 技術 表示装置

    【課題】工程を増やすことなく、蒸着時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良を防ぐ構造を有し、上面形状を縮小し、さらなる高精細な表示を可能とする隔壁を備えた表示装置を提供する。【解決手段】基板上方のトランジスタと、トランジスタ上方の絶縁膜と、絶縁膜上方の第1の電極と、第1の電極上方の隔壁と、隔壁上方及び第1の電極上方の有機化合物を含む層と、隔壁上方及び有機化合物を含...

    表示装置