松嵜隆徳 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】電源の瞬間的な低下又は停止に対してデータを保持し続けることができる半導体装置を提供する。【解決手段】第1−第6のトランジスタを有し、第1及び第4のトランジスタはpチャネル型トランジスタであり、第2及び第5のトランジスタはnチャネル型トランジスタであり、第3及び第6のトランジスタのチャネルが形成される領域は酸化物半導体層を有する。第1及び第4のトランジスタのソー...

    半導体装置

  2. 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いること...

    半導体装置の作製方法

  3. 【課題】高集積化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】プラグ、2つの容量素子、および1つの酸化物半導体を共有する2つのトランジスタ、を有する半導体装置であり、各トランジスタは、酸化物半導体上のゲート絶縁体とゲート電極からなる積層体と、ゲート電極の側面に接して設けられた絶縁体を有する。プラグは、2つのゲート電極との間の領域に、各ゲート電極側面に接して設けられた絶縁体...

    半導体装置、および半導体装置の作製方法

  4. 【課題】単位面積あたりの記憶容量の大きい半導体装置を提供する。【解決手段】第1の開口を有する第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の、第2の開口を有する第1の導電体と、第1の絶縁体上の、第3の開口を有する第2の絶縁体と、第1の開口、第2の開口、および第3の開口を貫通するように設けられた酸化物と、を有し、酸化物は、少なくとも第1の開口内において、第1の領域を有し、少なくとも第2...

    半導体装置、および半導体装置の作製方法

  5. 【課題】記憶装置の周辺回路の占有面積を縮小する。単位面積当たりの記憶容量の大きい記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルアレイと、高耐圧のトランジスタを含む回路部と、が同じ基板上に設けられた構成とする。メモリセルアレイは、複数のメモリトランジスタが縦方向に積層された構成を有する。そして、メモリトランジスタが有する半導体層と、高耐圧のトランジスタが有する半導体層とを、...

    半導体装置