木村肇 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】正確な表示を行う表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】オフ電流の低い酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、回路を構成する。回路として、画素回路の他に、プリチャージ回路または検査回路を形成する。酸化物半導体を用いているため、オフ電流が低く、そのため、プリチャージ回路や検査回路において、信号や電圧が漏れて、表示に不具合を起こすという可能性が低い。その...

    液晶表示装置

  2. 【課題】微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に配置された第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の酸化物と、酸化物上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の導電体と、導電体上の第3の絶縁体と、導電体の側面に接する第4の絶縁体と、酸化物の少なくとも上面に接し、かつ第4の絶縁体の側面および第3の絶縁体の上面に接する第5の絶縁体と、を有し、酸化物は、第2の絶...

    半導体装置、および半導体装置の作製方法

  3. 【課題】半導体装置の回路規模を縮小する、または半導体装置の駆動能力の向上を図る。【解決手段】酸化物半導体によりチャネル領域が形成されるトランジスタをプルダウントランジスタ102として適用する。当該酸化物半導体は、2.0eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3.0eV以上のバンドギャップを有する。そのため、トランジスタにおけるホットキャリア劣化を抑制すること...

    ゲートドライバ

  4. 【課題】信頼性を向上しうる、新規な表示装置を提供する。【解決手段】第1の配線と第2の配線との間に設けられた絶縁層を有し、絶縁層は、第1の絶縁層、及び第1の絶縁層に重畳して設けられた第2の絶縁層を有し、絶縁層は、第2の絶縁層の一部が除去された領域を有し、該領域は保護回路として機能する表示装置とする。また、絶縁層とトランジスタが有する半導体層とが重畳する領域では、第1の絶...

    半導体装置

  5. 技術 表示装置

    【課題】表示装置において、画素への信号の書き込み時間を短縮すること、また、高い電圧を印加する場合でも、信号の書き込みを高速に行うことを目的とする。【解決手段】トランジスタと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続された液晶素子とが設けられた画素を有し、前記トランジスタは、半導体材料として真性又は実質的に真性な酸化物半導体が用いられており、且つオフ電流が1×...

    表示装置

  6. 【課題】液晶素子に印加される電圧を異ならせて視野角特性を改善する。【解決手段】本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせるには、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせるためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。

    液晶表示装置

  7. 技術 表示装置

    【課題】視野角特性に優れた高品質な液晶表示装置を提供する。【解決手段】第1のスイッチ111と、第2のスイッチ112と、第1のスイッチ及び第2のスイッチとは異なるタイミングで制御される第3のスイッチ113と、第1の抵抗114と、第2の抵抗115と、第1の液晶素子121と、第2の液晶素子122とを含む画素を有し、第1の液晶素子の画素電極は、第1のスイッチを介して信号線に電...

    表示装置

  8. 【課題】画素中の発光素子の輝度が同輝度の場合、画素中の発光領域の面積が大きくなれば一画素から高い光度を得ることができる。つまり、一画素中の光を通さない領域(ブラックマトリクスともいう)を除いた光を通す領域の面積と、一画素の面積の割合で示される開口率が高ければ、高精細化により一画素の面積が小さくなっても一画素から所望の光度を得ることができる。ここで、画素を構成するトラン...

    半導体装置

  9. 【課題】フローティングノードに接続された接続電極と配線との間のリーク電流を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の第1の導電体と、第1の絶縁体上の第2の導電体と、第1の絶縁体、第1の導電体、および第2の導電体上の第2の絶縁体と、を有し、第1の導電体、および第2の導電体は、金属A(アルミニウム、銅、タングステン、クロム、銀、...

    半導体装置、および半導体装置の作製方法

  10. 【課題】解像度の低い画像を、解像度を高くして表示しつつ、残像を低減することを課題とする。【解決手段】超解像処理を用いて、解像度を高くする。そのとき、フレーム補間処理を行った後で、超解像処理を行う。また、そのとき、複数の処理系を用いて、超解像処理を行う。そのため、フレーム周波数が高くなっても、高速に超解像処理を行うことが出来る。そして、フレーム補間処理を行って倍速駆動す...

    表示装置の駆動方法

  11. 【課題】開口率が高く、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供する。【解決手段】トランジスタ150aは、絶縁表面を有する基板100上に、酸化物半導体層103aと、酸化物半導体層103aを覆うゲート絶縁膜104と、ゲート絶縁膜104上に設けられたゲート電極として機能する導電層109aと、酸化物半導体層103aと導電層109aを覆う絶縁膜112と、絶縁膜112上に設...

    半導体装置の作製方法

  12. 技術 表示装置

    【課題】電流入力型電流源回路において、信号電流の書き込み動作を素早く行う半導体装置を提供する。【解決手段】プリチャージ動作を行った後、信号電流を書き込む。そのため、すばやく書き込むことが出来る。プリチャージ動作としては、複数の回路に電流を供給する。このとき、電流を供給する回路数に応じて、電流の大きさを大きくする。その結果、すばやく定常状態にすることが出来る。なお、プリ...

    表示装置

  13. 技術 電子機器

    【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつき及び移動度のばらつきを低減する半導体装置の駆動方法を提供することを課題とする。【解決手段】トランジスタと、トランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子とを有し、トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧との和の電圧に応じて容量素子に保持された電荷を、一度トランジスタを介して放電させることで、トランジスタに流れる...

    電子機器

  14. 技術 表示装置

    【課題】電流源から電流源回路に書き込みを行っているときに、電流が流れている配線にノイズがのり正常の範囲の電位からはずれることがある。このとき、なかなか正常の範囲の電位に戻らないため、電流源回路への書き込みが遅れてしまう。【解決手段】本発明は、電流源から電流源回路に書き込みを行っているときに電流が流れる配線にノイズがのり正常の範囲の電位からはずれたときに、電流源とは別の...

    表示装置

  15. 技術 発光装置

    【課題】トランジスタの特性のばらつきの影響が抑えられる半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタ101と、第1の配線と、第2の配線と、第1のスイッチ11と、第2のスイッチ12と、第3のスイッチ13と、第1の容量素子102と、第2の容量素子103と、を有し、第1のスイッチは、第1の配線と第1の容量素子の第1電極との間の導通または非導通を選択し、第1の容量素子の第1電...

    発光装置

  16. 技術 表示装置

    【課題】容量値のばらつきの影響を受けにくい構成によって、TFTのしきい値ばらつきを補正することの出来る構成の画素を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】容量手段2011に、TFT2007のしきい値に等しい電圧を保持しておき、映像信号をソース信号線から入力する際に、前記容量手段にて保持している電圧を上乗せしてTFT2007のゲート電極に印加する。画素ごとにしきい値がば...

    表示装置

  17. 【課題】電源供給線の配線抵抗による電位降下によって生じる電位のずれを軽減することにより、表示領域内のムラを軽減し、鮮明な多階調カラー表示が可能なアクティブマトリクス型のEL表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】電源供給線の引き出し口を複数配置する。また、外部入力端子と画素部電源供給線の間の配線抵抗を、帰還増幅器をもって電源供給線に電位供給することにより、電位...

    EL表示装置

  18. 【課題】開口率が高く、また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板100上に設けられた半導体層103aと、半導体層を覆うゲート絶縁膜110と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電層113aと第2の導電層116aとで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜117と、絶縁...

    半導体装置

  19. 【課題】量産性の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】対向基板601と、遮光膜632と、第1のカラーフィルタ634と、第2のカラーフィルタ636と、第3のカラーフィルタ638と、対向電極640と、スペーサ642とを有し、第1のカラーフィルタ634乃至第3のカラーフィルタ638は、互いに重なり、さらにスペーサとなる有機層642が重なった液晶表示装置である。

    液晶表示装置

  20. 【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう。【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧を高くする。

    表示装置及び電子機器

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