齋藤利彦 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】プロセスを複雑化させることなく、単位面積あたりの記憶容量を高めることができる記憶装置を提案する。【解決手段】複数のメモリセルと、複数のワード線と、複数のビット線とを有し、複数のメモリセルは、スイッチング素子と、第1の電極及び第2の電極を有する容量素子と、をそれぞれ有し、複数のメモリセルの少なくとも1つにおいて、複数のワード線のうち一のワード線に与えられる電位に...

    半導体装置

  2. 【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。【解決手段】酸化物半導体層、第1の導電層及び第2の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第1の導電層と該ゲート絶縁層を介して重...

    半導体装置

  3. 【課題】半導体装置を小型化する。また、メモリセルを有する半導体装置の駆動回路の面積を縮小する。【解決手段】少なくとも第1の半導体素子を有する素子形成層と、素子形成層上に設けられた第1の配線と、第1の配線上に設けられた層間膜と、層間膜を介して第1の配線と重畳する第2の配線と、を有し、第1の配線と、層間膜と、第2の配線と、は、第2の半導体素子を構成し、第1の配線と、第2の...

    半導体装置

  4. 【課題】ゲインセル型のメモリセルを有し、単位面積あたり記憶できるデータ量が多い記憶装置を提供する。【解決手段】記憶装置が有するメモリセルは、複数の書き込みトランジスタと、読み出しトランジスタ、および、プリチャージトランジスタを有し、複数の書き込みトランジスタは互いに直列接続される。書き込みトランジスタ同士が接続されたノード、および、書き込みトランジスタと読み出しトラン...

    記憶装置、半導体装置、および電子機器