後藤裕史 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】ストレス耐性に優れた薄膜トランジスタを得ることができる酸化物半導体薄膜を提供する。【解決手段】酸化物半導体薄膜は、第1の酸化物半導体層4Aと、第2の酸化物半導体層4Bとを有する。第1及び第2の酸化物半導体層は、それぞれ金属元素としてIn、Ga、Zn及びSnと、Oとを含む。第1の酸化物半導体層において、0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.2...

    酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット

  2. 【課題】エッチストップ構造のTFTにおいて、従来技術よりも、素子面積を大きくすることなく、チャネルの長さを短縮してオン電流の増加を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース電極16およびドレイン電極17の一方と、酸化物半導体膜14が、エッチストップ層1、2(15A、B)の非形成部分において当接する、多角形(例えば矩形)をなす接触領域18を備え、...

    薄膜トランジスタ