張宏勇 さんに関する公開一覧
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- 公開年
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技術 半導体装置
【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクト...
- 公開日:2015/09/24
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 張宏勇
- 公開番号:2015-167261号
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技術 半導体装置
【課題】IPSにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できない。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部における個々の液晶にかかる電界が不均一であった。【解決手段】本発明は、ゲイト線102、105とコモン線103、104を最初に同時に形成し、層間膜形成後、画素電極108とコモン電極110、111とソ─ス線106、10...
- 公開日:2015/06/11
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 発明者: 張宏勇 、...
- 公開番号:2015-108850号