布上真也 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】効率的な検査ができる半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の検査装置は、前記半導体装置の第1部分と接触可能な第1プローブと、前記半導体装置の第2部分と対向可能な導電部材と、前記半導体装置と前記第1プローブとの間に第1電圧を印加し、前記半導体装置と前記導電部材との間に導電部材電圧を印加して、前記第1プロー...

    半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法

  2. 【課題】特性の向上が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1〜第3電極、第1、第2半導体層、及び第1絶縁層を含む。第1電極から第2電極への第1方向における第3電極の位置は、第1方向における第1電極の位置と、第1方向における第2電極の位置と、の間にある。第1半導体層は、第1〜第3部分領域を含む。第1部分領域から第1電極...

    半導体装置及びその製造方法

  3. 【課題】高いしきい値を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1〜第3電極、第1〜第3層及び絶縁層を含む。第1層は、第1電極から離れた第1面、第2電極から離れた第2面、及び、第3電極から離れ傾斜した第3面を含む。第2層は、第1電極と第1面との間に設けられた第1部分領域、第2電極と第2面との間に設けられた第2部...

    半導体装置及びその製造方法

  4. 【課題】耐圧を向上可能な半導体基板及び半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体基板は、Alx1Ga1−x1N(0<x1≦1)を含み、炭素及び酸素を含む第1半導体層と、Alx2Ga1−x2N(0<x2<x1)を含み、炭素及び酸素を含む第2半導体層と、を含む。前記第2半導体層における酸素濃度に対する前記第2半導体層における炭素濃度の第2比は、730以上である。

    半導体基板及び半導体装置

  5. 【課題】特性の向上が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1〜第3電極、第1〜第5層、及び、絶縁部を含む。第2電極から第1電極への方向は第1方向に沿う。第3電極の第1方向における位置は、第1電極の第1方向における位置と、第2電極の第1方向における位置と、の間にある。第1層の第1部分領域中の第1位置における第1元素の第...

    半導体装置及びその製造方法