市川幸司 さんに関する公開一覧

一部、同姓同名の別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ご了承くださいませ。

  1. 【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、クエンチャー及びこれを含むレジスト組成物。[R1〜R4は、各々ハロゲン、C1〜6のフッ化アルキル基又はC1〜18の炭化水素基等;m1〜m4は、0〜4の整数;m1〜m4が2以上のとき、複数のR1〜R4は、互いに同一であっ...

  2. 【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる化合物、樹脂及び該樹脂を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される化合物、樹脂及びこれを含むレジスト組成物。

  3. 【課題】良好なマスクエラーファクタを有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】下記(I−1)式で例示される化合物。

  4. 【課題】良好なラインエッジラフネスでレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及び該カルボン酸塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】下式(IA)又は式(IB)で表されるカルボン酸塩。

  5. 【課題】良好なラインエッジラフネスでレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及び該カルボン酸塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】下式で表されるカルボン酸塩及び該塩を含むレジスト組成物。

  6. 【課題】良好なCD均一性でレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及び該カルボン酸塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。[式中、R4、R5及びR6は、それぞれハロゲン原子、フッ化アルキル基等;m4、m5はそれぞれ0〜4の整数、m6は0〜5の整数、但し、m4+...

  7. 【課題】良好なマスクエラーファクタでレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。[式中、R4、R5及びR6はそれぞれハロゲン原子、フッ化アルキル基等;m4、m5は0〜4の整数、m6は0〜5の整数、但し、m4+m5+m6≧1、かつ、R4、R5及びR...

  8. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。[式中、R4、R5及びR6はそれぞれハロゲン原子、フッ化アルキル基等;m4、m5はそれぞれ0〜4の整数、m6は0〜5の整数を表し、但し、m4+m5+m6≧1、か...

  9. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(a2−A)で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂、露光によりスルホン酸を発生する酸発生剤ならびに式(I)で表される塩を含有するレジスト組成物。

  10. 【課題】良好なパターン倒れ耐性(PCM)でレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。[式中、L1は、置換基を有してもよい炭化水素基を表し、該基に含まれる−CH2−は、−O−、−S−、−SO2−又は−CO−に置き換わっていてもよい。X1は、*−C...

  11. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。[式中、Q1及びQ2はそれぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。R1及びR2はそれぞれ水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。zは0〜6...

  12. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。[式中、m1は1〜3の整数;R1は環状炭化水素基(該環状炭化水素基は置換基を有してもよい。)を含む炭化水素基を表す;R2はハロゲン原子又はアルキル基;m2は0〜4の整数;Z+はカチ...

  13. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、クエンチャー及びこれを含むレジスト組成物。[式中、R1は、ハロゲン原子、炭化水素基等;R2及びR3は、それぞれハロゲン原子、炭化水素基等、又は、R2とR3が一緒になって、それらが結合する炭素原子とともに、単結合又はアル...

  14. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及び該カルボン酸塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物。[式中、R1はアルキル基を表す。R2は、ハロゲン原子又はフッ化アルキル基を表す。R3は、ハロゲン原子、フッ化アルキル基又はアルキル基...

  15. 【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)を有するレジストパターンを製造できる塩及び該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[式中、R1はアルキル基を表し、R2は、ハロゲン原子又はフッ化アルキル基を表し、R3は、ハロゲン原子、フッ化アルキル基又はアルキル基を表す。m3は0〜3の整数を表す。R4及びR5はそれぞれ...

  16. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及び該カルボン酸塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物。[式中、R1はアルキル基を表す。R2は、ハロゲン原子又はフッ化アルキル基を表す。R3及びR4はそれぞれ、ハロゲン原子、炭素...

  17. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[式中、R1はアルキル基を表す。R2は、ハロゲン原子又はフッ化アルキル基を表す。R3及びR4はそれぞれ、ハロゲン原子、炭素数1〜6のフッ化アルキル基又は炭素数1〜12のア...

  18. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[式中、R1及びR2はそれぞれアルキル基を表す。R3及びR4はそれぞれハロゲン原子、フッ化アルキル基又はアルキル基を表し、該アルキル基又は該フッ化アルキル基に含まれる−C...

  19. 【課題】良好なパターン倒れ耐性のレジストパターンを製造可能なカルボン酸塩の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩。[式中、R1a及びR2aは、H又はFを有してもよい炭化水素基、又は、R1aとR2aとが互いに結合し、F又はアルキル基を有してもよい環;R3aはH、又はR1aとR2aとR3aとが結合し、F又はアルキル基を有してもよい環;R4及びR5は、ハロゲン原子...

  20. 【課題】良好なMEFのレジストパターンが製造可能なカルボン酸塩の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩。[式中、R1a及びR2aは、H又はFを有してもよい炭化水素基、またはR1aとR2aとが結合し、F等を有してもよい環;R3aは、H、またはR1aとR2aとR3aとが結合し、フッ素原子等を有してもよい環;R4及びR5は、ハロゲン原子、フッ化アルキル基等を表す。...

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