市川幸司 さんに関する公開一覧

一部、同姓同名の別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ご了承くださいませ。

  1. 【課題】良好なCD均一性(CDU)又は良好なフォーカスマージン(DOF)でレジストパターンを製造することができる塩、及び該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩[式(I)中、Xは、酸素原子、硫黄原子又は−N(SO2R5)−を表す。R5は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基又は炭素数6〜12の芳香族炭化水素基を表す。Ar...

  2. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる塩、該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩。[式中、Q1及びQ2は、互いにフッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。R1及びR2は、互いに水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。zは、0〜6のいずれかの整数を表す。L1は、置換基を有し...

  3. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる塩、該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩。[式中、R1及びR2は、それぞれ置換基を有していてもよい鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基もしくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表すか、又はR1とR2とが、互いに結合してそ...

  4. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造できる塩、該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(aa)で表される基を有する塩。[式(aa)中、Xa及びXbは、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。X1は、炭素数2〜36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。...

  5. 【課題】良好なラインエッジラフネスを有するポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する酸不安定性樹脂及び特定構造の酸発生剤を含有するポジ型レジスト組成物。[式中、R1、R2及びR3はメチル基等を表しX1は単結合等を表しR4は酸不安定基等を表す。]。

  6. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる樹脂及び該樹脂を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される構造単位を含む樹脂。[式(I)中、R1はメチル基等を表す。L1は単結合等を表す。W1は炭素数3〜18の2価の環状炭化水素基等を表す。L2は炭素数1〜6のアルカンジイル基等を表す。R3、R4及びR5は、...

  7. 【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)でレジストパターンを製造できる塩及び前記塩を含有するレジスト組成物の提供。【解決手段】下式(aa)で表される基を有する塩。[Xa及びXbは各々独立にO又はS;X1は下式(2a)で表される基等を有する炭素数1〜12の飽和炭化水素基;*は結合手。][Raa1’及びRaa2’は各々独立にH又は炭素数1〜8のアルキル基等;Raa3...

  8. 【課題】低いラインエッジラフネスでレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(I)で表される構造単位を含む樹脂及び、置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を有するスルホン酸アニオンを含む特定の酸発生剤を含有するレジスト組成物。[式(I)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、水素原子又は炭素数1〜6の炭化水...

  9. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造できる塩、該塩を含有する酸発生剤、及び該酸発生剤を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(aa)で表される基を有する塩。[式(aa)中、 Xa及びXbは、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。環Wは、炭酸エステル結合を環の構成に含む炭素数3〜18の複素環を表し、該複素環は...

  10. 【課題】レジストパターンの製造時の+デフォーカス側のフォーカスマージン(DOF)が良好であるレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I0)で表される化合物と、酸不安定基を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物[式(I0)中、R01は、炭素数1〜24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わって...

  11. 【課題】ラインエッジラフネス(LER)が低減されたレジストパターンを製造できる塩及び該塩を含有するレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[Q1及びQ2は、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。R1及びR2は、互いに独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。zは、0〜6の整数を表す。L1は、置換基を...

  12. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる塩、該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[式中、R1及びR2は、ヒドロキシ基又は式(R−1)で表される基を表し、少なくとも一つは、式(R−1)で表される基;Qr1及びQr2は、それぞれフッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基;Rr1及びRr2は、それぞれ水...

  13. 【課題】良好なラインエッジラフネスでレジストパターンを製造できる塩の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[式中、R1及びR2は、OH基又は式(R−1)基;Qr1及びQr2は、F原子又はペルフルオロアルキル基;Rr1及びRr2は、H、F原子又はペルフルオロアルキル基;zrは、0〜6の整数;Xr1は、−CO−O−、−O−CO−等;Lr1は、単結合又は−CH2−が、−O...

  14. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる化合物、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び該樹脂を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される化合物。[R1、R2はOH又は式(R−1)〜(R−3)で表される基。*はAr2又はAr3との結合位。Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数6〜36の芳香族炭化水素環。Ar2及びAr...

  15. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる化合物、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び該樹脂を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される化合物。[R1、R2はOH又は式(R−1)〜(R−3)で表される基。*はAr1又はAr2との結合位。Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数6〜36の芳香族炭化水素環。Ar2は、置換...

  16. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造することができる化合物、樹脂、及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂。[式(I)中、 R1は、水素原子又はメチル基を表す。X1は、単結合又は−CO−O−*(*は、Arとの結合位を表す。)を表す。Arは、置換基を有し...

  17. 【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)でレジストパターンを製造できる塩及びレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[Q1及びQ2は、其々独立に、F又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基;R1及びR2は、其々独立に、H、F又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基;zは、0〜6のいずれかの整数を表し、zが2以上のとき、複数のR1及びR2は互いに同...

  18. 【課題】レジストパターンの製造時のラインエッジラフネス(LER)が良好であるレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される化合物と、酸不安定基を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物[式(I)中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原...

  19. 【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩と、1−エチル又は1−イソプロピルアダマンチル基を有する(メタ)アクリレート誘導体で表される構造単位を含む樹脂とを含有するレジスト組成物。[式(I)中、R1及びR2は、水素原子等を表す。m及びnは、それぞれ独立に、1又は2を表す。...

  20. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる塩、酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、該塩を含むレジスト組成物。[式中、Q1、Q2、Q11及びQ12は、それぞれ、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;R1、R2、R11及びR12は、それぞれ、水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;...

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