市川幸司 さんに関する公開一覧

一部、同姓同名の別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ご了承くださいませ。

  1. 【課題】良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される基を有する硫酸エステル塩及びこれを含有するレジスト組成物。[式中、X0は、置換基を有してもよい炭素数1〜72の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−、−S−、−CO−又は−SO2−に置き換わってい...

  2. 【課題】良好なマスクエラーファクタ(MEF)でレジストパターンを製造することができる塩及びレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[Q1、Q2、Q1’及びQ2’は、其々F又はペルフルオロアルキル基;R1、R2、R1’及びR2’は、其々H、F等;z及びz’は其々0〜6の整数;X1及びX1’は、其々*−CO−O−、*−O−CO−等;L1は、置換/非置換の炭...

  3. 【課題】良好なCD均一性でレジストパターンを製造することができる塩の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[Q1、Q2、Q1’及びQ2’は其々F等;R1、R2、R1’及びR2’は其々H、F等;z及びz’は其々0〜6の整数;X1及びX1’は其々*−CO−O−等;L1は、置換/非置換炭化水素基;R3及びR4は、其々H、式(1a)又は式(2a)で表される基等;Raa1、R...

  4. 【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及び該塩を含有するレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩及び該塩を含有するレジスト組成物。[式中、R1は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基、水素原子又はハロゲン原子;X0は、置換基を有してもよい2価の炭化水素基。ただし、前記炭化水素基に含まれる水素...

  5. 【課題】良好なマスクエラーファクタでレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及び該塩を含有するレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩及び該塩を含有するレジスト組成物。[式中、R1、R2及びL1はC1〜36;R3はC1〜6;X0はC1〜72の炭化水素基等で、但し、前記基に含まれるHの少なくとも1つは式(IA)で置換されている;RAはC...

  6. 【課題】良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される基を有する塩及びこれを含有するレジスト組成物。[式中、R1は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基;XAは、硫黄原子又はヨウ素;X1は、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基、ただし、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子...

  7. 【課題】良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩及びこれを含むレジスト組成物。[式中、X0は、置換基を有してもよい炭素数1〜72の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−、−S−、−CO−又は−SO2−に置き換わっていてもよい。ただし...

  8. 【課題】良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(aa)で表される基を有する塩及びこれを含有するレジスト組成物。[式中、Xa及びXbは、それぞれ独立に、−O−又は−S−を表す。X1は、置換基を有してもよい炭素数4〜48の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−、...

  9. 【課題】良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂と、酸発生剤と、式(I)で表される化合物とを含有するレジスト組成物。[式中、R1は、置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。X1は、*−CO−O−、*−O−CO−、*−O−CO−O−又は*−O−を表...

  10. 【課題】良好なマスクエラーファクタ(MEF)でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を得ることができる塩、酸発生剤を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、これを含む酸発生剤及びレジストレジスト組成物。[式中、Q1及びQ2、R1及びR2は、それぞれ、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基等;zは0〜6の整数;X1は、*−CO−O−、*−...

  11. 【課題】良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を得ることができる塩、酸発生剤を提供することを目的とする。【解決手段】式(I0)で表される塩、これを含む酸発生剤及びレジストレジスト組成物。[式中、Q1及びQ2は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基;R1及びR2は、それぞれ水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;...

  12. 【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができるレジスト組成物及び化合物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される化合物、及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂と、フッ素原子を有する構造単位を含む樹脂と、酸発生剤と、式(I)で表される化合物とを含有するレジスト組成物。[式中、L1は、単結合又は2価の炭化水素基;W1は炭化水素環...

  13. 【課題】ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物。〔式中、Q1からQ4、R1からR4は、フッ素原子など;z1、z2は、0〜6の整数;X1及びX2は、*−CO−O−**など;R5は炭化水素基など;A1は、アルカ...

  14. 【課題】ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物。〔式中、R4はフッ素化アルキル基;Q1及びQ2は夫々F又はペルフルオロアルキル基;R1及びR2は夫々H、F又はペルフルオロアルキル基;zは0〜6の整数;X1は...

  15. 【課題】良好なラインエッジラフネスでレジストパターンを製造できる塩、該塩を含有するレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[式(I)中、R1は、炭素数1〜4のフッ素化アルキル基を表す。X1は、環状炭化水素基を有する炭化水素基を表し、該環状炭化水素基と該炭化水素基との合計炭素数は4〜36である。前記環状炭化水素基及び前記炭化水素基はいずれも置換基を有して...

  16. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる塩及び該塩を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩。[式(I)中、 X1は、脂環式炭化水素基を有する炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基と該炭化水素基との合計炭素数は4〜36である。前記脂環式炭化水素基及び前記炭化水素基はいずれも置換基を有していても...

  17. 【課題】優れたCD均一性(CDU)のレジストパターンを製造することができる化合物等の提供。【解決手段】式(I)で表される化合物。[式中、R1:H又はメチル基;L1:単結合又は炭素数1〜8のアルカンジイル基;R2a及びR2b:それぞれH、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基、炭素数1〜6のアルキル基又はこれらを組み合わせた基;R3及びR4:それぞれH又はアルキル基、又はR3...

  18. 【課題】優れたCD均一性(CDU)のレジストパターンを製造することができる化合物等の提供。【解決手段】式(I)で表される化合物。[式中、R1;H又はメチル基、L1;単結合又は炭素数1〜8のアルカンジイル基、アルカンジイル基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−に置き換わっていてもよい。L2及びL3;それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜8のアルカンジイル基、R2;置...

  19. 【課題】優れたCD均一性(CDU)のレジストパターンを製造することができる化合物等の提供。【解決手段】式(I)で表される化合物。[式中、R1:H又はメチル;L1:単結合又はアルカンジイル基;環W:脂環式炭化水素基;R2:H又はアルキル基、又は環Wに結合して環を形成;R3及びR4:それぞれHもしくはアルキル基、又はR3及びR4は互いに結合して環を形成;R5:H又はシアノ基。]。

  20. 【課題】優れたCD均一性(CDU)のレジストパターンを製造することができる化合物等の提供。【解決手段】式(I)で表される化合物。[式中、R1:H又はメチル基;L1:単結合又は炭素数1〜8のアルカンジイル基、アルカンジイル基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−に置き換わっていてもよい;R2:置換基を有していてもよい炭素数1〜36の炭化水素基、炭化水素基に含まれる−...

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