市川幸司 さんに関する公開一覧

一部、同姓同名の別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ご了承くださいませ。

  1. 【課題】良好なCD均一性を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される構造単位及びベンゼン環上にヘキサフルオロイソプルピリデン連結基を介して水酸基を有したスチレン又は(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構造単位を含む樹脂。[式中、R1は水素原子又はメチル基;X1は、7種の特定構造から選ばれる連結基を有し;L1は、...

  2. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造することができる化合物、樹脂及びこれを含むレジスト組成物を提供する。【解決手段】下記式(I−1)で例示される化合物及び該化合物に由来する構造単位を含む樹脂。

  3. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる樹脂及びこれを含むレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(I)で表される構造単位及び式(III)で表される構造単位を含む樹脂。

  4. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる樹脂及びこれを含むレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(I)で表される構造単位及び式(a2−A)で表される構造単位を含む樹脂。

  5. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる化合物及びこれを含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される化合物及びこれを含むレジスト組成物。[式中、R1は、フッ素原子又は環状炭化水素基を有する炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−に置き換わっていてもよい;m1は1〜3...

  6. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及びこれを含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩及びこれを含むレジスト組成物[式中、L1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。L2は、単結合又は炭素数1〜36の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O...

  7. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩と、式(a2−A)で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。[式中、L1は、単結合又は炭素数1〜6のフッ素化アルカンジイル基;A1は、単結合又は置換基を有してもよい環...

  8. 【課題】良好なCD均一性を有するレジストパターンを製造することができる樹脂、レジスト組成物の提供。【解決手段】式(a1−5)及び式(I)を含む樹脂並びにレジスト組成物。[式中、Ra8はアルキル基、H等;Za1は単結合等;L51、L52、L53は−O−又は−S−;s1は1〜3;s1’は0〜3;R1はH又はメチル基;A1は単結合又は*−CO−O−;R2はハロゲン原子、OH...

  9. 【課題】良好なCD均一性を有するレジストパターンを製造することができる樹脂、レジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)及び式(a2−A)の構造単位を含む樹脂並びにレジスト組成物。[R1はH又はメチル基;L1及びL2は−O−又は−S−;s1は1〜3の整数;s2は0〜3の整数;Ra50はH、ハロゲン原子又はアルキル基;Ra51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルキル基等;...

  10. 【課題】ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物。[式中、Q1、Q2、Q11及びQ12はそれぞれ、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;R1、R2、R11及びR12はそれぞれ、水素原子、フ...

  11. 【課題】ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物。[式中、Q1及びQ2は、それぞれ、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;R1及びR2は、それぞれ、水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアル...

  12. 【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤、レジスト組成物。[Q1、Q2、Q11及びQ12は、各々F又はペルフルオロアルキル基;R1、R2、R11及びR12は、各々H、F又はペルフルオロアルキル基;z及びz1は各々0〜6の整数;X1及びX...

  13. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤、該酸発生剤を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤、レジスト組成物。[Q1及びQ2は、F又はペルフルオロアルキル基;R1及びR2は、H、F又はペルフルオロアルキル基;zは0〜6の整数;X1は、*−CO−O−、*−O−CO−、*−O−CO−O−又は...

  14. 【課題】良好なマスクエラーファクタ(MEF)でレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。[式中、Q1及びQ2は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基等を表す。R1及びR2は、それぞれ水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基等を表す...

  15. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造できるレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される化合物と、酸不安定基を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。[式(I)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のフッ素化アルキル基を表す。R3は、ハロゲン原子、炭素数1〜6のフッ素化アルキル基又は炭素数1〜1...

  16. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造できるレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される化合物と、酸不安定基を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。[式(I)中、R1は、炭素数1〜6のフッ素化アルキル基を表す。R2は、ハロゲン原子、炭素数1〜6のフッ素化アルキル基又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、該...

  17. 【課題】CD均一性が良好なレジストパターンを製造することができる化合物の提供。【解決手段】式(I)の化合物及びレジスト組成物。[式中、R1はH又はメチル基;L1はアルカンジイル基;R3はH、式(1a)又は式(2a)の基;Raa1、Raa2及びRaa3はアルキル基;naaは0又は1;Raa1’及びRaa2’はH又はアルキル基;Raa3’はアルキル基;Xcは、O又はS;m...

  18. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[Q1及びQ2:それぞれF又はペルフルオロアルキル基;R1及びR2:それぞれH、F又はペルフルオロアルキル基;z:0〜6の整数;X1:*−CO−O−、*−O−CO−等;A1:**−L21−W1−L22−CO−O−L23−;W1:置換基を有してい...

  19. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造できるカルボン酸塩、該塩を含有するカルボン酸発生剤及びレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩。[R1は、C1〜C12の脂肪族炭化水素基(但し、該脂肪族炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい);R2は、ハロゲン原子、C1〜C4のフッ素化アルキル...

  20. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造できる塩、該塩を含有するレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[式(I)中、R1はC1〜4のフッ化アルキル基、R2〜4はそれぞれ独立に、ハロゲン原子等、m2は0〜4のいずれかの整数、m3及びm4は0〜5のいずれかの整数、Q1及びQ2はそれぞれ独立にF等、R11及びR12はそれぞれ独立にH...

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