岸達也 さんに関する公開一覧

一部、同姓同名の別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ご了承くださいませ。

  1. 【課題】 安定したメモリ動作を行うことが可能な磁気抵抗効果素子を有する磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 実施形態に係る磁気記憶装置は、可変の磁化方向を有する第1の磁性層10と、固定された磁化方向を有する第2の磁性層20と、第1の磁性層と第2の磁性層との間に設けられた非磁性層30と、を含む磁気抵抗効果素子100を備え、第1の磁性層は、ニッケル(Ni)、コバルト(...

    磁気記憶装置

  2. 【課題】書込み電流を低減しつつ、誤書き込みを抑制する。【解決手段】一実施形態の磁気記憶装置は、第1配線と、磁気抵抗効果素子と、を備える。上記第1配線は、軽金属を含む第1非磁性体と、上記第1非磁性体上において重金属を含む第2非磁性体と、を含む。上記磁気抵抗効果素子は、上記第2非磁性体上の第3非磁性体と、上記第3非磁性体上の第1強磁性体と、第2強磁性体と、上記第1強磁性体...

    磁気記憶装置

  3. 【課題】参照層の安定性を維持しつつ、メモリセルアレイを微細化する。【解決手段】一実施形態の磁気記憶装置は、第1及び第2強磁性体をそれぞれ含む第1及び第2積層体と、第1及び第3強磁性体と、第1及び第3強磁性体の間の第1非磁性体と、を含む第1磁気抵抗効果素子と、第1及び第4強磁性体と、第1及び第4強磁性体の間の第2非磁性体と、を含む第2磁気抵抗効果素子と、第2及び第5強磁...

    磁気記憶装置

  4. 【課題】シンプルな構成で拡がり角を調整することが可能なレーザ装置を提供する。【解決手段】レーザ装置1は、レーザ光を出力するレーザユニット2と、レーザ光を出射する出射端5と、レーザ光が伝搬するコア及びコアを囲うクラッドを有する2本のマルチモードファイバ同士が融着接続されてなる第1融着接続部P1および第2融着接続部P2と、を備える。第1融着接続部P1におけるコアの少なくと...

    レーザ装置およびレーザ装置の製造方法

  5. 【課題】シンプルな構成で拡がり角を調整することが可能な光デバイスを提供する。【解決手段】光デバイス10は、光がマルチモードで伝搬可能なコア11と、コアを囲い、少なくとコアとの界面における部分の屈折率がコアより低いクラッド12と、クラッドを覆う被覆13と、を有するマルチモードファイバFを備える。被覆の一部は不連続部13aであり、不連続部が位置している長手方向における範囲...

    光デバイスおよびレーザ装置の製造方法

  6. 【課題】皮膚への密着耐久性が向上し、装着した皮膚から剥がれ難く、皮膚に非導電性布帛層が残りにくい布帛電極及びその製造方法の提供。【解決手段】本願発明の布帛電極1は、導電性布帛層2と、前記導電性布帛層2の上面に積層された第1非導電性布帛層3と、該第1非導電性布帛層3の上面に積層された第2非導電性布帛層4、とを備え、前記第2非導電性布帛層4を構成する第2樹脂の融点が、前記...

    布帛電極及びその製造方法

  7. 【課題・解決手段】波長1000nm以上1100nm以下の少なくとも一部の波長の光が少なくともLP01モードとLP11モードとでコアを伝搬可能な光ファイバであって、LP01モードの光の伝搬定数とLP11モードの光の伝搬定数との差が1735rad/m以上4000rad/m以下であることを特徴とする。

    光ファイバ、及び、レーザ装置

  8. 【課題・解決手段】少なくとも波長1060nmの光が少なくともLP01モードとLP11モードとでコアを伝搬可能な光ファイバであって、LP01モードの光の伝搬定数とLP11モードの光の伝搬定数との差Δβが2000rad/m以下であり、光ファイバを伝搬することよるM2で示される光のビーム品質の劣化量をΔM2とする場合に、長さLが下記式を満たす。

    光ファイバ、及び、レーザ装置

  9. 【課題】余計な手間をかけずに端子に対する配線作業を簡便に行うことができる端子用アタッチメントを提供する。【解決手段】端子用アタッチメント100は、所定の端子(軌道リレーRの測定端子MT)を継ぎ足すための継足用端子部材10と、継足用端子部材10を挿設するとともに、当該継足用端子部材10の軸方向に沿ってスライド可能なスリーブ20と、を備え、スリーブ20は、継足用端子部材1...

    端子用アタッチメント

  10. 【課題】 積層された各磁気抵抗効果素子の最適化がはかられた磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 実施形態に係る磁気記憶装置は、磁性層を含む第1の積層構造21aを含む第1のメモリセル21と、第1のメモリセル上に設けられ且つ磁性層を含む第2の積層構造22aを含む第2のメモリセル22とを備え、第1の積層構造及び第2の積層構造はそれぞれ、所定の層を含む複数の層が積層された...

    磁気記憶装置