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【課題】 高い信頼性の半導体メモリを提供する。【解決手段】 本実施形態の半導体メモリは、半導体基板上方に積層された複数のメモリセルMCを含む第1メモリセル領域MRと、第1メモリセル領域MRに隣接する多層の第1ダミー領域DRと、第1ダミー領域DRとで第1メモリセル領域MRを挟み、第1メモリセル領域MRに隣接する多層の第2ダミー領域DRと、同層の前記第1ダミー領域DR...