山崎舜平 さんに関する公開一覧

一部、同姓同名の別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ご了承くださいませ。

  1. 技術 発光装置

    【課題】信頼性の高い発光装置を提供する。外部から物理的な力が与えられた際に、素子が破壊されることを抑制する。または、FPCを圧着する工程において、フレキシブル基板に接する樹脂や配線が熱によるダメージを受けることを抑制する。【解決手段】有機EL素子を含むフレキシブルな発光装置における、変形に対して応力歪みが発生しない中立面が、トランジスタ及び有機EL素子の双方の近傍に位...

    発光装置

  2. 【課題】微細化に伴い顕著となる電気特性の低下を抑制できる構成の酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル幅方向に互いに平行に配置された複数のチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介して、各々のチャネル形成領域の側面及び上面と重なるゲート電極層と、を有する半導体装置を提供する。当該構成とすることで、各々のチャネル形成領域に対して側面方...

    半導体装置

  3. 【課題】負極やセパレータへのコバルトの偏析発生を防ぐためには、正極活物質粒子の表面からコバルト(Co)、酸素(O)が放出されることを防ぐこと、正極活物質粒子のクラックや欠陥の発生を低減する。【解決手段】リチウム、金属元素M1、II価及びIV価の一方または両方の金属元素M2、並びに酸素を含み、金属原子M1は、コバルト、マンガン、及びニッケルの一以上であり、活物質粒子は、...

    リチウムイオン二次電池

  4. 【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワー素子のゲートに第1の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、パワー素子のゲートに第1の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、を有し、上記スイッチ...

    半導体装置

  5. 【課題】信頼性を向上させた表示装置を提供する。又は、表示装置の額縁を狭くする。【解決手段】液晶表示装置などの表示装置において、第1の基板と、第1の基板に重畳する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の間に設けられた液晶層と、第1の基板と第2の基板の間で、液晶層を囲む第1のシール材と、第1のシール材を囲み、第1の基板と第2の基板との間隙を閉塞しつつ、少なくとも第2の基板の...

    液晶表示装置

  6. 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイ...

    半導体装置の作製方法

  7. 技術 表示装置

    【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。【解決手段】スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有する表示装置において、画素部は、第1の逆スタガ型薄膜トランジスタと、第1の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、スイッチ部またはバッファ部は、第1の絶縁層、半導体層、及び第2の絶縁層を挟む第1のゲート電極及び第...

    表示装置

  8. 【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に...

    半導体装置

  9. 【課題】酸化物半導体膜を有する半導体装置において、トランジスタ及び該トランジスタに電気的に接続された電源線または信号線等の配線を高密度に集積した場合、該配線の接続部に不良が生じる。【解決手段】トランジスタ及び接続部を有する半導体装置であって、トランジスタ150は、ゲート電極104aと、ゲート電極上に形成される第1の絶縁膜106と、第1の絶縁膜上に形成され、ゲート電極と...

    半導体装置

  10. 技術 表示装置

    【課題】可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路が壊れることを低減する電子書籍を提供することを目的の一とする。または、構造を簡略化した電子書籍を提供することを目的の一とする。【解決手段】走査線駆動回路及び信号線駆動回路により表示制御が行われる表示部を有する複数の可撓性の表示パネルと、複数の表示パネルを固定する綴じ部とを有し、綴じ部の内側に信号線駆動回路を設け、表示...

    表示装置

  11. 【課題】新規の半導体装置を提供する。【解決手段】基材上に第1の領域と第2の領域を積層させた複合体を少なくとも含む超格子のような構造を利用してスイッチング用素子、具体的にはウェル型ポテンシャル構造を有するトランジスタを作製する。第1の領域の膜厚は、0.5nm以上5nm以下であり、第2の領域の膜厚は、0.5nm以上5nm以下である。積層数を調節することでバンド構造を制御す...

    トランジスタ及び酸化物半導体

  12. 【課題】高容量である蓄電装置を提供する。または、サイクル特性の優れる蓄電装置を提供する。または、充放電効率の高い蓄電装置を提供する。または、抵抗の低い負極を用いた蓄電装置を提供する。【解決手段】多数の粒子状の複合体を備え、複合体は、負極活物質と、第1の機能材料と、化合物と、を有し、化合物は、負極活物質の構成元素および第1の機能材料の構成元素を含み、負極活物質は、第1の...

    蓄電装置用負極

  13. 【課題】開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する半導体装置を提供する。または、狭額縁化を達成した半導体装置を提供する。【解決手段】基板上のトランジスタと、トランジスタのゲート電極と同一表面上に形成される第1の導電膜と、トランジスタの一対の電極と同一表面上に形成される第2の導電膜と、第1の導電膜及び第2の導電膜と電気的に接続する第1の透光性を有...

    半導体装置

  14. 【課題】電界効果移動度の高いトランジスタ構造を提供する。【解決手段】キャリアを流す酸化物半導体層がゲート絶縁膜に接していない構造とするため、キャリアを流す酸化物半導体層がゲート絶縁膜から離れている埋め込みチャネル構造とする。具体的には2つの酸化物半導体層の間に導電率の高い酸化物半導体層を設ける。また、自己整合的に不純物元素を酸化物半導体層に添加して電極層と接触する領域...

    半導体装置

  15. 技術 表示装置

    【課題】表示パネルを曲面に有し、且つ容積または重量の増加が抑制された表示装置を提供する。または、表示パネルを曲面に有し、且つ容積または重量の増加が抑制された電子機器を提供する。【解決手段】曲面に実装された表示パネルと、当該曲面の裏側に曲面に沿って階段状に設けられた複数の平面に実装された回路素子を含む駆動回路と、を有する表示装置。

    表示装置

  16. 【課題】保護回路として適した構造の液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置において、保護回路は、ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103のチャネル形成領域と重なる領域を覆うチャネル保護層と、チャネル保護層上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層1...

    液晶表示装置

  17. 【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過し...

    半導体装置

  18. 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、チャネル形成領域116と、第1のゲート絶縁層108と、第1のゲート電極110と、第1のソース電極及び第1のドレイン電極130a、bと、を有する第1のトランジスタ160と、酸化物半導体層140と、第2のソース電極及び第2のドレイン電極142...

    半導体装置

  19. 【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させると共に信頼性を向上させる。【解決手段】酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、半導体装置は、ゲート電極と、ゲート電極上の絶縁膜と、絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の一対の電極と、を有し、酸化物半導体膜は、第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、第...

    半導体装置

  20. 【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用い...

    トランジスタ

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