小川一幸 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】本発明は、表面に複雑な形状の凹凸を有する基板上において、該凹凸における上面、側面、及び底面に略均一に薄くITO導電膜を成膜する方法を提供することを目的とする。【解決手段】ITO導電膜をミストCVD法で成膜する方法であって、1)インジウム化合物、スズ化合物、及びβ−ジケトン化合物若しくはC1〜C6アルコール類を含有するITO導電膜成膜用原料液を、ミスト化する工程...

    ITO導電膜の成膜方法

  2. 【課題】表面に複雑な形状の凹凸を有する基板と、該凹凸における底、側壁面および頂に略均一な厚さで積層された導電膜とを有する積層体とその製造方法を提供する。【解決手段】インジウム化合物とスズ化合物とを含有する溶液を超音波振動で霧化し、アスペクト比が1.5〜100である凹凸を表面に有する基板を450〜600℃で加熱し、前記霧化物をキャリアガスに同伴させ、加熱された前記基板の...

    積層体およびそれの製造方法