小山潤 さんに関する公開一覧

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  1. 技術 記憶装置

    【課題】データの信頼性を高める記憶装置を提供する。【解決手段】記憶素子１００において、第１電源電圧が供給されると、入力端子の電位の極性を反転させて出力端子から出力する第１論理素子（インバータ１０１ｉ）と、第１電源電圧とは異なる系統の第２電源電圧が供給されると、入力端子の電位の極性を反転させて出力端子から出力する第２論理素子（インバータ１０２ｉ）と、第１論理素子が有する...

    記憶装置

  2. 技術 表示装置

    【課題】消費電力の低減を実現することができる、タッチパネルを有する半導体表示装置の提案を課題とする。【解決手段】画素部、及び、画素部への画像信号の入力を制御する駆動回路が設けられたパネルと、画素部においてパネルと重なる位置に設けられたタッチパネルとを有する。画素部は、入力される画像信号の電圧に従って表示を行う表示素子と、電圧の保持を制御するトランジスタとを有する。トラ...

    表示装置

  3. 技術 半導体装置

    【課題】高信頼性・高速動作に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、を有し、第１の回路は、演算処理機能を有し、第２の回路は、記憶回路を有し、記憶回路は、トランジスタを有し、トランジスタは、第１の導電体と、第２の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、半導体と、を有し、第１の導電体は、第１の絶縁体を介して半導体と互いに重な...

    半導体装置

  4. 技術 半導体装置

    【課題】ＣＭＯＳ回路を有する半導体装置の構成において、貫通電流を低減する。【解決手段】電源線間に設けられた第１のＣＭＯＳ回路と、電源線間に設けられた、第１のＣＭＯＳ回路が有するトランジスタよりも、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、電源線間に設けられた第２のＣＭＯＳ回路と、第１のＣＭＯＳ回路の出力端子と、第２のＣＭＯＳ回路の入力端子との間に設けられた、第１のＣＭＯＳ...

    半導体装置

  5. 技術 半導体装置

    【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状...

    半導体装置

  6. 技術 半導体装置

    【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態の区別を正確、かつ、容易にする半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセル２００と、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第２信号線及び複数のワード線を駆動する駆動回路２１３と、書き込...

    半導体装置

  7. 技術 半導体装置

    【課題】ＬＳＩやＣＰＵやメモリに用いるトランジスタのリーク電流及び寄生容量を低減することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを用い、ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体集積回...

    半導体装置

  8. 技術 電子機器

    【課題】少ない枚数のマスクで作製でき、なおかつ信頼性が高い液晶表示装置及び発光装置。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置し、ゲート電極と重なる半導体膜と、半導体膜上に位置し、ゲート電極と重なる島状の第１絶縁膜と、半導体膜上に位置する第１導電膜と、第１絶縁膜を間に挟み、なおかつ半導体膜上に位置する一対の第２導電膜と、第１絶...

    電子機器

  9. 技術 トランジスタ及び半導体装置

    【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることを課題の一つとする。【解決手段】チャネル形成層としての機能を有し、水素濃度が５×１０１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いてアナログ回路を構成す...

    トランジスタ及び半導体装置

  10. 技術 半導体装置

    【課題】長い期間においてデータの保持が可能な記憶装置を提供する。【解決手段】記憶素子と、上記記憶素子における電荷の供給、保持、放出を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタとを有する。上記トランジスタは、通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第２のゲート電極が備えられており、また、活性層に酸化物半導体を含むためにオフ電流が極めて低い。上記記憶...

    半導体装置

  11. 技術 表示装置の作製方法

    【課題】信号線及び電源線を削減し、高精細な表示を行うことのできる表示装置及を提供する。【解決手段】第１の画素乃至第３の画素１０９は、それぞれ、第１のトランジスタ１１１、第２のトランジスタ１１２、及び発光素子１１３を有し、第１の画素乃至３の画素は、第１のトランジスタの第１端子が、信号線Ｓｋに電気的に接続され、第１のトランジスタの第２端子が、第２のトランジスタのゲートＧに...

    表示装置の作製方法

  12. 技術 表示装置

    【課題】発光素子に供給される電流を制御するＴＦＴの特性によって、発光素子の輝度がばらつくのを防ぐことができ、有機発光層の劣化による発光素子の輝度の低下を防ぎ、なおかつ有機発光層の劣化や温度変化に左右されずに一定の輝度を得ることができる発光装置の駆動方法の提供。【解決手段】発光素子の輝度をＴＦＴに印加する電圧によって制御するのではなく、ＴＦＴに流れる電流を信号線駆動回路...

    表示装置

  13. 技術 半導体装置

    【課題】電力変換効率の向上を実現するＤＣＤＣコンバータの提供を目的の一とする。【解決手段】出力電力を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタが、通常のゲート電極に加えて、閾値電圧を制御するためのバックゲート電極を備える。そして、ＤＣＤＣコンバータから出力される出力電力の大きさに従って、バックゲート電極に与える電位の高さを制御するための、バックゲート制御...

    半導体装置

  14. 技術 表示装置

    【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用い、同一基板上に画素部と、高速動作が可能な駆動回路部とを有する表示品質及び信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】駆動回路部と画素部において、一方の面に結晶領域を有する酸化物半導体層を活性層として用いた２種類の薄膜トランジスタをそれぞれ形成し、ゲート電極層の配置によりチ...

    表示装置

  15. 技術 液晶表示装置

    【課題】画質の低下を防ぐことができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一とし、周囲が明るい環境でも薄暗い環境でもその環境に合わせて画像表示を認識でき、或いは、外光を照明光源とする反射モードと、光源を用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１の領域及び第２の領域を有する画素部４１２と複数の光源４０７とを有し、第１の...

    液晶表示装置

  16. 技術 半導体装置

    【課題】複数の回路に対する電源供給を個別に制御する。【解決手段】ＣＰＵと、ＣＰＵの演算処理の際に、データの読み出し及び書き込みが行われるメモリと、ＣＰＵの演算処理により生成されるデータ信号を変換して出力信号を生成する信号処理回路と、ＣＰＵに対する電源電圧の供給を制御する第１の電源供給制御スイッチと、メモリに対する電源電圧の供給を制御する第２の電源供給制御スイッチと、信...

    半導体装置

  17. 技術 半導体装置、及び液晶表示装置

    【課題】画素電極と同じ導電層で形成されるバックゲートに印加される閾値電圧のシフトを抑制するための電圧による、液晶材料の劣化を抑制する。【解決手段】液晶層に電界を印加するための画素電極を有する画素回路と、第１のゲートと、画素電極と同じ層に設けられた第２のゲートと、が半導体膜を挟んで対向するように設けられたトランジスタを有し、且つトランジスタが液晶層と重畳して設けられた駆...

    半導体装置、及び液晶表示装置

  18. 技術 発光装置

    【課題】しきい値補正ができ、回路構成の簡単なアクティブマトリクス型表示装置を提供する。【解決手段】第１ゲート信号線１０１と第２ゲート信号線１０２にパルスを入力し、回路のトランジスタのオンオフをおこなう。その結果、第３のノードＮ３と第２のノードＮ２の電位差が第４トランジスタ１１２のしきい値によらず、データ線１０３の電位ＶＤａｔａと第２配線１０５の電位Ｖ２によってのみ決定...

    発光装置

  19. 技術 発光装置

    【課題】特性の異なるトランジスタ、具体的には動特性（オン特性や周波数特性（ｆ特性と呼ばれる））に優れたトランジスタと、オフ電流が抑制されたトランジスタとを同一基板上に有する半導体装置を提供することを課題の一とする。また、当該半導体装置を簡便な方法で作製する方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】真性又は実質的に真性であって、表面に結晶領域を含む酸化物半導体層４...

    発光装置

  20. 技術 ＥＬ表示装置

    【課題】信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。【解決手段】単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用ＦＥＴ２０２は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用ＦＥＴ２０２にホットキャリア対策を施...

    ＥＬ表示装置

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