小山潤 さんに関する公開一覧

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  1. 技術 半導体装置

    【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワー素子のゲートに第１の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、パワー素子のゲートに第１の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、を有し、上記スイッチ...

    半導体装置

  2. 技術 表示装置

    【課題】可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路が壊れることを低減する電子書籍を提供することを目的の一とする。または、構造を簡略化した電子書籍を提供することを目的の一とする。【解決手段】走査線駆動回路及び信号線駆動回路により表示制御が行われる表示部を有する複数の可撓性の表示パネルと、複数の表示パネルを固定する綴じ部とを有し、綴じ部の内側に信号線駆動回路を設け、表示...

    表示装置

  3. 技術 半導体装置

    【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、チャネル形成領域１１６と、第１のゲート絶縁層１０８と、第１のゲート電極１１０と、第１のソース電極及び第１のドレイン電極１３０ａ、ｂと、を有する第１のトランジスタ１６０と、酸化物半導体層１４０と、第２のソース電極及び第２のドレイン電極１４２...

    半導体装置

  4. 技術 半導体装置

    【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、書き込み回数にも制限が無い構造の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、チャネル形成領域１１６と、第１のゲート絶縁層１０８と、第１のゲート電極１１０と、第１のソース電極及び第１のドレイン電極１３０ａ、ｂと、を有する第１のトランジスタ１６０と、酸化物半導体層１４０と、第２のソース電極及び第２のドレイン電極...

    半導体装置

  5. 技術 半導体装置

    【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。...

    半導体装置

  6. 技術 トランジスタ

    【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状...

    トランジスタ

  7. 技術 表示装置

    【課題】シフトレジスタ又は該シフトレジスタを有する表示装置の消費電力を低減すること。【解決手段】シフトレジスタは、クロック信号が１本の配線によって供給されるのではなく、複数の配線によって供給される。さらに、該複数の配線のいずれか一は、シフトレジスタの動作期間を通してクロック信号を供給するのではなく一部の期間においてのみクロック信号を供給する。そのため、クロック信号の供...

    表示装置

  8. 技術 電子機器

    【課題】電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても動作可能な携帯電子機器を提供する。【解決手段】携帯電子機器は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する反射型液晶ディスプレイと、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発性半導体記憶装置を有する信号処理部と、を有する。携帯電子機器において、充電池に蓄えられた電力は、前記反射型液晶ディスプレイ...

    電子機器

  9. 技術 半導体装置

    【課題】新たな構造の半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】多値型の半導体装置は、直列に接続されたメモリセル２００と、メモリセルを選択して第２信号線及びワード線ＷＬを駆動する駆動回路２１３と、書き込み電位のいずれかを選択して第１信号線Ｓ１に出力する駆動回路２１２と、ビット線ＢＬの電位と参照電位とを比較する読み出し回路２１１と、書き込み電位及び参照電位を生成し...

    半導体装置

  10. 技術 表示装置

    【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】駆動回路部及び画素部を有する表示パネルと、駆動回路部を駆動する制御信号及び画素部に供給する画像信号を生成するための信号生成回路と、画像信号をフレーム期間毎に記憶する記憶回路と、記憶回路でフレーム期間毎に記憶された画像信号のうち、連続するフレーム期間の画像信号の差分を検出する比較回路と、比...

    表示装置

  11. 技術 半導体装置

    【課題】作製中にＥＳＤにより半導体素子が破壊されることを抑制する駆動回路および当該駆動回路の作製方法を提供する。また、リーク電流の小さい保護回路が設けられた駆動回路および当該駆動回路の作製方法を提供する。【解決手段】駆動回路中の半導体素子と電気的に接続して、駆動回路中に保護回路を設け、駆動回路中の半導体素子となるトランジスタと駆動回路中の保護回路を形成するトランジスタ...

    半導体装置

  12. 技術 発光装置

    【課題】しきい値補正ができ、回路構成の簡単なアクティブマトリクス型表示装置を提供する。【解決手段】図１に示す回路において、図３に示すタイミングチャートにしたがって第１ゲート信号線１０１と第２ゲート信号線１０２にパルスを入力し、回路のトランジスタのオンオフをおこなう。その結果、第３のノードＮ３と第２のノードＮ２の電位差が第４トランジスタ１１２のしきい値によらず、データ線...

    発光装置

  13. 技術 半導体装置

    【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることを課題の一つとする。【解決手段】チャネル形成層としての機能を有し、水素濃度が５×１０１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いてアナログ回路を構成す...

    半導体装置

  14. 技術 表示装置

    【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、低消費電力化を図る。【解決手段】画像信号が供給される画素が複数設けられた画素部１００６と、信号線を選択的に制御する信号線側駆動回路１００７Ｂ、及びゲート線を選択的に制御するゲート線側駆動回路１００７Ａを有する駆動回路１００５と、画像信号を記憶する記憶回路１００２と、記憶回路１００...

    表示装置

  15. 技術 トランジスタ

    【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体において高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結...

    トランジスタ

  16. 技術 半導体装置

    【課題】電気特性（例えば、オン電流、電界効果移動度、周波数特性等）の優れたトランジスタを提供する。【解決手段】トランジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層、第１、第２のゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を有する。第１、第２のゲート電極は、酸化物半導体層を間に挟んで設けられている。酸化物半導体層は、ソース電極、ドレイン電極に接する一対の側面を有し、また...

    半導体装置

  17. 技術 記憶装置

    【課題】データの保持期間を確保しつつ、単位面積あたりの記憶容量を高めることができる記憶装置の提案すること。【解決手段】複数のビット線を幾つかのグループに分割し、複数のワード線も幾つかのグループに分割する。そして、一のグループに属するビット線に接続されたメモリセルには、一のグループに属するワード線が接続されるようにする。さらに、上記複数のビット線は、複数のビット線駆動回...

    記憶装置

  18. 技術 半導体装置

    【課題】信頼性を向上しうる、新規な表示装置を提供する。【解決手段】第１の配線と第２の配線との間に設けられた絶縁層を有し、絶縁層は、第１の絶縁層、及び第１の絶縁層に重畳して設けられた第２の絶縁層を有し、絶縁層は、第２の絶縁層の一部が除去された領域を有し、該領域は保護回路として機能する表示装置とする。また、絶縁層とトランジスタが有する半導体層とが重畳する領域では、第１の絶...

    半導体装置

  19. 技術 表示装置

    【課題】少ない枚数のマスクで作製でき、なおかつ信頼性が高い液晶表示装置及び発光装置。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置し、ゲート電極と重なる半導体膜と、半導体膜上に位置し、ゲート電極と重なる島状の第１絶縁膜と、半導体膜上に位置する第１導電膜と、第１絶縁膜を間に挟み、なおかつ半導体膜上に位置する一対の第２導電膜と、第１絶...

    表示装置

  20. 技術 半導体装置

    【課題】長い期間においてデータの保持が可能な記憶装置を提供する。【解決手段】記憶素子と、上記記憶素子における電荷の供給、保持、放出を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタとを有する。上記トランジスタは、通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第２のゲート電極が備えられており、また、活性層に酸化物半導体を含むためにオフ電流が極めて低い。上記記憶...

    半導体装置

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