大島祐一 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】 半導体素子に適用可能なα−Ga2O3単結晶、その製造装置、および、それを用いた半導体素子を提供すること。【解決手段】 本発明によるα−Ga2O3単結晶は、5×1018cm−3以下であり、波長300nm以上の光に対する吸収係数は、200cm−1以下である。

    α−Ga2O3単結晶、その製造装置、および、それを用いた半導体素子

  2. 【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、前記基板が、表面に凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの...

    結晶膜の製造方法