増山達郎 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(a2−A)で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂、露光によりスルホン酸を発生する酸発生剤ならびに式(I)で表される塩を含有するレジスト組成物。

  2. 【課題】良好なパターン倒れ耐性のレジストパターンを製造可能なカルボン酸塩の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩。[式中、R1a及びR2aは、H又はFを有してもよい炭化水素基、又は、R1aとR2aとが互いに結合し、F又はアルキル基を有してもよい環;R3aはH、又はR1aとR2aとR3aとが結合し、F又はアルキル基を有してもよい環;R4及びR5は、ハロゲン原子...

  3. 【課題】良好なMEFのレジストパターンが製造可能なカルボン酸塩の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩。[式中、R1a及びR2aは、H又はFを有してもよい炭化水素基、またはR1aとR2aとが結合し、F等を有してもよい環;R3aは、H、またはR1aとR2aとR3aとが結合し、フッ素原子等を有してもよい環;R4及びR5は、ハロゲン原子、フッ化アルキル基等を表す。...

  4. 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[R1a及びR2aは、夫々H又はFで置換/非置換の炭化水素基を表すか、互いに結合し環を形成する;R3aはHを表すか、R1a、R2a、R3aが互いに結合し環を形成する;R4は、ハロゲ...

  5. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)のレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[R1a及びR2aは夫々H又はFで置換/非置換の炭化水素基又はR1aとR2aとが互いに結合し環を形成する;R3aは、H又はR1aとR2aとR3aとが互いに結合環を形成する;R4...

  6. 【課題】良好な解像度のレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩。[式中、R1及びR2は、H、F又はFを有するアルキル基;R3は、F又はFを有するアルキル基;L11は、−CH2−が、−O−又は−CO−に置き換わっていてもよいアルカンジイル基;R4及びR5は、ハロゲン原子、−CH2−が、−O−又は−CO−で置き換...

  7. 【課題】良好なマスクエラーファクタ(MEF)のレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[R1及びR2は、夫々独立に、H、F又はフッ化アルキル基;R3は、F又はフッ化アルキル基;L11は、置換/非置換のアルカンジイル基;R4及びR5は、夫々独立に、ハロゲン原子、置...

  8. 【課題】良好なラインエッジラフネスでレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩及びこれを含有するレジスト組成物。[R1aはH又は酸不安定基;R2はハロゲン原子、置換/非置換のフッ化アルキル基又は置換/非置換のアルキル基;R3は、ハロゲン原子、置換/非置換のフッ化アルキル基、置...

  9. 【課題】良好なCD均一性(CDU)のレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[R1aはH又は酸不安定基;R2はハロゲン原子、置換/非置換のフッ化アルキル基又は置換/非置換のアルキル基;R3は、ハロゲン原子、置換/非置換のフッ化アルキル基、置換/非置換のアルキル基...

  10. 【課題】良好なCD均一性(CDU)のレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物。[R1及びR2は、夫々独立に、H、F又はフッ化アルキル基;R3は、F又はフッ化アルキル基;L11は置換/非置換のアルカンジイル基;R4及びR5は、夫々...

  11. 【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)のレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[R1及びR2は、夫々独立に、H、F又はフッ化アルキル基;R3は、F原子又はフッ化アルキル基;L11は、置換/非置換のアルカンジイル基;R4及びR5は、夫々独立に、ハロゲン原...

  12. 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)のレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物。[R1aはH又は酸不安定基;R2はハロゲン原子、置換/非置換のフッ化アルキル基又は置換/非置換のアルキル基;R3はハロゲン原子、置換/非置換...

  13. 【課題】良好な解像度のレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[R1aはH又は酸不安定基;R2はハロゲン原子、置換/非置換のフッ化アルキル基又は置換/非置換のアルキル基;R3はハロゲン原子、置換/非置換のフッ化アルキル基、置換/非置換の炭素数1〜12のアルキル基...