四戸孝 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題・解決手段】工業的に有用であり、かつ半導体特性に優れたp型酸化物半導体とその形成方法を提供する。金属酸化物(例えば、酸化イリジウムなど)のガスを原料として用いて、コランダム構造を有する基体(例えば、サファイア基板など)上で膜厚が50nm以上になるまで結晶成長を行うことにより、コランダム構造を有するp型酸化物半導体膜であって、膜厚が50nm以上であり、表面粗さ10...

    p型酸化物半導体膜及びその形成方法

  2. 【課題・解決手段】逆方向のリーク電流を低減することができ、さらに、例えば、SiCよりはるかに絶縁破壊電界強度が高い高電圧で低損失のn型半導体(例えば、酸化ガリウム等)等を用いた場合でも、半導体特性を損うことなく、優れた半導体特性を実現できる半導体装置を提供する。コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体(例えば、α—Ga2O3など)を主成分として含むn型半導体層と、該n...

    半導体装置

  3. 【課題・解決手段】例えば、SiCよりはるかに絶縁破壊電界強度が高い高電圧で低損失のn型半導体(例えば、酸化ガリウム等)等を用いた場合でも、半導体特性を損うことなくpウェル層に適用可能なp型酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供する。n型半導体層とp+型半導体層とを少なくとも備える半導体装置であって、n型半導体層が、周期律表第13族金属を含有する結晶性酸化物半導体(例え...

    半導体装置

  4. 【課題・解決手段】例えば、SiCよりはるかに絶縁破壊電界強度が高い高電圧で低損失のn型半導体(例えば、酸化ガリウム等)等を用いた場合でも、半導体特性を損うことなく、優れた半導体特性を実現できる半導体装置を提供する。ゲート電極と該ゲート電極の側壁に直接または他の層を介して、チャネルの形成されるチャネル層とを少なくとも備える半導体装置であって、前記チャネル層の一部または全...

    半導体装置

  5. 【課題】放熱性が求められる半導体装置等に有用な、結晶品質に優れた結晶性酸化物膜を提供する。【解決手段】第1の結晶軸と第2の結晶軸とを少なくとも含み、ガリウムを含有する金属酸化物を主成分とする結晶性酸化物膜を形成する際に、第2の辺を第1の辺よりも短くし、第1の結晶軸方向の線熱膨張係数を第2の結晶軸方向の線熱膨張係数よりも小さく、第1の辺方向を第1の結晶軸方向と平行または...

    結晶性酸化物膜

  6. 【課題】放熱性が求められる半導体装置等に有用な、結晶品質に優れた結晶性酸化物半導体を提供する。【解決手段】第1の結晶軸と第2の結晶軸とを少なくとも含む結晶性酸化物半導体を形成する際に、第2の辺を第1の辺よりも短くし、第1の結晶軸方向の線熱膨張係数を第2の結晶軸方向の線熱膨張係数よりも小さく、第1の辺方向を第1の結晶軸方向と平行または略平行とし、第2の辺方向を第2の結晶...

    結晶性酸化物半導体

  7. 【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、前記基板が、表面に凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの...

    結晶膜の製造方法