和田貢 さんに関する公開一覧

一部、同姓同名の別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ご了承くださいませ。

  1. 【課題】結晶成長中のウエハ表面の温度分布の均一化を図ったサセプタ、半導体の製造方法、及び半導体の製造装置を提供する。【解決手段】ウエハ5を収容する凹状のポケット31を有し、ポケット31に収容したウエハ5上に、有機金属気相成長法により化合物半導体結晶を成長させるために用いられるサセプタ3であって、ポケット31は、その底面31aに、結晶成長中のウエハ表面の温度分布に応じた...

    サセプタ、半導体の製造方法、及び半導体の製造装置

  2. 【課題】通電中の発光出力の低下が小さく寿命の長い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】n型AlGaNによって形成された第1のn型クラッド層30と、第1のn型クラッド層30の上方に位置する多重量子井戸と、多重量子井戸層の上方に位置し、p型AlGaNによって形成されたp型クラッド層70と、p型クラッド層70の上方に位置し、p型クラッド層70にn型の半導体層を含む層を...

    窒化物半導体発光素子

  3. 【課題】n型AlGaNの結晶品質を向上するため、所定の範囲内の結晶品質を有したAlN層上に形成されたn型AlGaNを含む窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】所定の範囲内の結晶品質を有したAlN層22と、前記AlN層22上に形成された、所定のAl組成比を有したn型AlGaNとを含む窒化物半導体素子。また、AlN層22は、所定の範囲内の結...

    窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法

  4. 【課題】深紫外光の取出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】キャリアを結合させて光を発生させる複数の井戸層44を含む多重量子井戸層と、多重量子井戸層の上方に位置して、多重量子井戸層から発生した光のうち上方に進む第1の光を反射する金属電極部920と、多重量子井戸層と金属電極部920との間に位置して、p型の半導体により形成されている複数...

    窒化物半導体発光素子

  5. 【課題】トンネルジャンクションの圧縮歪を抑制して結晶品質の低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】p型AlGaNによって形成されたp型クラッド層70と、p型クラッド層70上に位置して、p型クラッド層70にn型の半導体を含むn型半導体層90をトンネル接合させるトンネルジャンクション80とを含む窒化物半導体発光素子1であって、トンネルジャンク...

    窒化物半導体発光素子

  6. 【課題】AlGaN系の半導体により形成された多重量子井戸層を含む窒化物半導体発光素子において多重量子井戸層にVピットを形成することにより、発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型AlGaNによって形成されたn型クラッド層30と、AlGaNによって形成された障壁層52aをn型クラッド層30側に有す...

    窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

  7. 【課題】複数の井戸層間に生じる電子構造の不均一性を抑制して発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1のAl組成比を有するn型AlGaNによって形成されたn型クラッド層30と、第1のAl組成比よりも大きな第2のAl組成比を有するAlGaNによって形成された障壁層52a,52b,52cと前記第2のAl...

    窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

  8. 【課題】n型クラッド層と多重量子井戸層のn型クラッド層側の障壁層との界面で生じ得るバンド構造のノッチを抑制するとともに、ピエゾ効果により発生する電界を低減して発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体積層構造を提供する。【解決手段】第1のAl組成比を有するn型AlGaNによって形成されたn型クラッド層30と、多重量子井戸層の前記n型クラッド層...

    窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体積層構造

  9. 【課題】AlGaN系の半導体により形成された多重量子井戸層を含む窒化物半導体発光素子において多重量子井戸層にVピットを形成することにより、発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型AlGaNによって形成されたn型クラッド層30と、AlGaNによって形成された障壁層52aをn型クラッド層30側に有す...

    窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

  10. 【課題】複数の井戸層間に生じる電子構造の不均一性を抑制して発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1のAl組成比を有するn型AlGaNによって形成されたn型クラッド層30と、第1のAl組成比よりも大きな第2のAl組成比を有するAlGaNによって形成された障壁層52a,52b,52cと前記第2のAl...

    窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

  11. 【課題】n型クラッド層と多重量子井戸層のn型クラッド層側の障壁層との界面で生じ得るバンド構造のノッチを抑制するとともに、ピエゾ効果により発生する電界を低減して発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1のAl組成比を有するn型AlGaNによって形成されたn型クラッド層30と、多重量子井戸層の前記n型...

    窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

  12. 【課題】半導体発光素子の発光特性を向上させる。【解決手段】半導体発光素子10は、n型AlGaN系半導体材料のn型クラッド層24と、n型クラッド層24上に設けられるAlGaN系半導体材料の平坦化層(第1平坦化層41)と、平坦化層上に設けられるAlGaN系半導体材料の障壁層(第1障壁層40a)と、障壁層上に設けられるAlGaN系半導体材料の井戸層36とを含む活性層26と、...

    半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法