吉田丈洋 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】窒化物結晶の品質を高め、この結晶を用いて製造される半導体デバイスの性能や歩留まりを向上させる。【解決手段】InxAlyGa1−x−yNの組成式(但し、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表される結晶であって、結晶中のBの濃度が1×1015at/cm3未満であり、結晶中のOおよびCの各濃度が、結晶の主面の60%以上の領域において、いずれも1×1015at/...

    窒化物結晶

  2. 【課題】III族窒化物の結晶の品質を高め、この結晶を用いて製造される半導体デバイスの性能や歩留まりを向上させる。【解決手段】InxAlyGa1−x−yNの組成式(但し、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表される結晶であって、最大荷重が1mN以上50mN以下の範囲内におけるナノインデンテーション法により測定される硬さが22.0GPaを超える窒化物結晶を提供する。

    GaN結晶

  3. 【課題】研削工程および研磨工程を行わなくとも製造が可能であり、窒化物結晶層をエピタキシャル成長させることができる下地面を有する窒化物結晶部材を提供する。【解決手段】窒化物結晶部材は、III族窒化物の結晶で構成され、窒化物結晶層の成長用の下地面を有し、下地面は、ピークトゥバレー値で表される表面粗さPVが0.01μm以上10μm以下であり、窒化物結晶層における転位密度が、...

    窒化物結晶部材とその製造方法、および、積層窒化物結晶基板とその製造方法

  4. 【課題】III族窒化物の結晶の品質を高め、この結晶を用いて製造される半導体デバイスの性能や歩留まりを向上させる。【解決手段】InxAlyGa1−x−yNの組成式(但し、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表される結晶であって、最大荷重が1mN以上50mN以下の範囲内におけるナノインデンテーション法により測定される硬さが22.0GPaを超える窒化物結晶を提供する。

    GaN結晶