只友一行 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】低転位密度の部分を含むGaN基板を製造する方法を提供する。【解決手段】GaN基板の製造方法は、表面に、Ga極性GaN成長部11と、相互に間隔をおいて設けられた複数のN極性GaN成長部12とを有する下地基板10を準備し、下地基板10の表面上に、Ga極性GaN成長部11からGa極性GaNの結晶を成長させると同時に、N極性GaN成長部12からN極性GaNの結晶を成長...

    GaN基板の製造方法

  2. 【課題】高濃度の二次元電子ガスの層を有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果トランジスタ10は、N極性半導体層11とN極性GaN層12とのヘテロ接合構造を含み、N極性GaN層12に二次元電子ガス(2DEG)の層を有する。

    電界効果トランジスタ及びその製造方法