勝野正和 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】インゴットの成長方向全体に亘って電気抵抗率のばらつきの少ない高品質のSiC単結晶インゴットを製造することができる方法を提供する。【解決手段】坩堝上蓋の内側面に種結晶が取り付けられ、坩堝本体に炭化珪素原料が充填された黒鉛製坩堝を断熱材で覆い、石英二重管内に設置して、ドーピングガスとして窒素を混合した不活性ガスを流通させた雰囲気中で前記黒鉛製坩堝を高周波加熱して、...

    炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

  2. 【課題】結晶成長中での断熱材の劣化を抑制して、大口径の単結晶成長においても、欠陥の少ない高品質なSiC単結晶インゴットを製造することができる製造装置、及び、これを用いた炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも黒鉛製坩堝の周壁部外側面と該周壁部外側面を覆う周壁断熱材の内側面との間に黒鉛製の遮蔽部材を介在させて、黒鉛製坩堝から漏出した昇華ガスを...

    炭化珪素単結晶インゴットの製造装置及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

  3. 【課題】炭化珪素単結晶の成長中に、特に結晶成長の初期において、適切な量の昇華ガスを安定して供給可能とし、坩堝の原料充填部に充填された炭化珪素原料を効率良く安定的に昇華させ、炭化珪素単結晶インゴット、特に限定されるものではないが、大口径かつ長尺の炭化珪素単結晶インゴットを再現性良く製造するのに適した炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】坩堝と断熱体と...

    炭化珪素単結晶インゴットの製造装置及び製造方法

  4. 【課題】口径が100mm以上の大口径SiC単結晶を成長させるような場合でも、成長結晶に大きな応力が掛かるのを防ぎながら、マクロ欠陥の発生を抑制して、欠陥の少ない高品質なSiC単結晶インゴットを製造することができる方法の提供。【解決手段】昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造するにあたり、坩堝蓋体3の基板取付け部と種結晶基板1との取付け界面の中央領域では、種結...

    炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

  5. 【課題】炭化珪素単結晶の成長中に坩堝の外周側面に配置した断熱部材が、坩堝からの漏出ガスで劣化するのを低減し、結晶成長の全過程に亘って原料と結晶との間の温度差を適切に維持できる炭化珪素単結晶インゴットの製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】原料装填部及び結晶成長部を有する坩堝と坩堝外周側面を取り囲む側面断熱部材とを備え、昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを...

    炭化珪素単結晶インゴットの製造装置及び製造方法

  6. 【課題】マイクロパイプ欠陥がより低減された炭化珪素単結晶インゴットを得ることができる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶からなる種結晶基板上に昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、前記種結晶基板が{0001}面から所定のオフ角方向に0.5°以下のオフ角を有しており、結晶成長速度が0....

    炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

  7. 【課題】昇華再結晶法によるSiC単結晶の製造において、マクロ欠陥の発生を抑制して、大口径のSiC単結晶を成長させることができる種結晶基板及びその製造方法の提供。【解決手段】坩堝内に装填したSiC原料を加熱して昇華ガスを発生させ、坩堝内に対向配置したSiCからなる種結晶基板上に再結晶させる昇華再結晶法によりSiC単結晶を成長させる際に用いる種結晶基板1であって、炭化珪素...

    炭化珪素単結晶育成用の種結晶基板及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶の製造方法

  8. 【課題】炭化珪素単結晶の成長時に再現性の良い発熱分布を得ることで、坩堝内部の温度分布のバッチ間変動を抑え、大口径かつ長尺の炭化珪素単結晶インゴットを製造するのに好適な黒鉛坩堝を提供する。【解決手段】坩堝本体と坩堝上蓋とを備え、また、坩堝本体下部の原料充填部に炭化珪素原料を充填し、坩堝上蓋の内面に種結晶を設置し、炭化珪素原料を高周波誘導加熱して昇華させ、昇華ガスを種結晶...

    炭化珪素単結晶インゴット製造用の黒鉛坩堝