加藤清 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。【解決手段】記憶素子として機能するトランジスタに蓄積された電荷を保持するためのスイッチング素子として、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジスタを、記憶装置の各メモリセルに設ける。また、記憶素子として用いるトランジスタは、第1のゲート電極と、第2のゲート電極と、第...

    半導体装置の作製方法

  2. 【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の素子の出力が第2の素子の入力に電気的に接続され、第2の素子の出力が第1の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域...

    半導体装置

  3. 【課題】用いられるSRAMの消費電力を低減することとともに、回路に負担をかけないバックアップ、リカバリー動作を行う演算処理装置、その駆動方法及びアーキテクチャを提供する。【解決手段】データをバックアップするための容量素子111、112が設けられたインバータ105、106を有するメモリセルMCを複数有する記憶装置100aにおいて、容量素子からインバータにデータが戻された...

    演算処理装置の駆動方法

  4. 【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の素子の出力が第2の素子の入力に電気的に接続され、第2の素子の出力が第1の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域...

    半導体装置

  5. 【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態の区別を正確、かつ、容易にする半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセル200と、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第2信号線及び複数のワード線を駆動する駆動回路213と、書き込...

    半導体装置

  6. 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いること...

    半導体装置の作製方法

  7. 【課題】微小な電流が測定可能な電流測定方法を提供する。【解決手段】被試験用トランジスタのゲートに第1の電位を与え、被試験用トランジスタの第1の端子と、第1のトランジスタの第1の端子が電気的に接続されるノードに、第1のトランジスタを介して電荷を蓄積させ、第1のトランジスタを非導通にし、ノードと電気的に接続する読み出し回路の出力端子の第2の電位と、第1の電位を定期的に測定...

    電流測定方法

  8. 【課題】面積の縮小、消費電力の低減、または高速な動作が可能な半導体装置の提供。【解決手段】記憶回路を有する回路31と、増幅回路を有する回路32が積層された構成を有する。これにより、半導体装置10の面積の増加を抑えつつ、半導体装置10に記憶回路および増幅回路を搭載することができる。よって、半導体装置10の面積の縮小を図ることができる。また、OSトランジスタを用いて回路を...

    半導体装置

  9. 【課題】不揮発性メモリ用の高電圧を生成する回路を必要とせず、消費電力が低い、ICカードを提供する。【解決手段】ICカードは、電源回路と、制御回路と、記憶装置とを有する。電源回路は負電位生成回路を有し、負電位生成回路は負電位保持容量を有する。記憶装置が有するメモリセルは、トランジスタと容量素子とを有し、前記トランジスタはチャネル形成領域に金属酸化物を有し、また、フロント...

    ICカード、半導体装置、および、電子機器

  10. 【課題】半導体装置を小型化する。また、メモリセルを有する半導体装置の駆動回路の面積を縮小する。【解決手段】少なくとも第1の半導体素子を有する素子形成層と、素子形成層上に設けられた第1の配線と、第1の配線上に設けられた層間膜と、層間膜を介して第1の配線と重畳する第2の配線と、を有し、第1の配線と、層間膜と、第2の配線と、は、第2の半導体素子を構成し、第1の配線と、第2の...

    半導体装置

  11. 【課題】動作速度が向上された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は書込みワード線、読出しワード線、書込みビット線、読出しビット線、第1配線、及びメモリセルを有する。メモリセルは、同じ導電型の第1乃至第3トランジスタ、及び容量素子を有する。第1乃至第3トランジスタのゲートは、書込みワード線、容量素子の第1端子、読出しワード線にそれぞれ電気的に接続される。容量素子...

    半導体装置、及びダイナミックロジック回路

  12. 技術 記憶装置

    【課題】消費電力を低減した記憶装置を提供する。【解決手段】記憶装置は、センスアンプと、ビット線と、メモリセルと、第1トランジスタと、を有し、ビット線は、センスアンプが設けられた層上に設けられ、メモリセルは、ビット線が設けられた層上に設けられ、メモリセルは、第2トランジスタと、容量素子と、を有する。センスアンプとビット線は、第1トランジスタを介して、電気的に接続される。...

    記憶装置

  13. 【課題】面積を縮小した、電源電圧の変動を低減することが可能な回路を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置500において、第1トランジスタ490と第2トランジスタ491と高電源配線(導電体480)と低電源配線(導電体482)とを有する。第2トランジスタ及び第1トランジスタは積層され、低電源配線及び高電源配線は積層され、低電源配線と高電源配線は互いに少なくとも...

    半導体装置

  14. 【課題】電気機器及びセンサ機器を集中管理可能な構成を提供する。電気機器及びセンサ機器の消費電力を低減可能な構成を提供する。【解決手段】少なくとも、集中管理装置と、電気機器またはセンサ機器と、出力手段を有する集中管理システムであって、集中管理装置は、電気機器またはセンサ機器から送信された情報を演算処理し、その結果に応じた情報を出力手段から出力する。電気機器またはセンサ機...

    集中管理システム

  15. 【課題】電源電圧の供給を停止しても、論理回路部間の接続関係、又は各論理回路部内の回路構成を維持できる半導体装置を提供する。また、論理回路部間の接続関係の変更、又は各論理回路部内の回路構成の変更を高速で行うことができる半導体装置を提供する。【解決手段】再構成可能な回路において、回路構成や接続関係等のデータを記憶する半導体素子に酸化物半導体を用いる。特に、半導体素子のチャ...

    半導体装置

  16. 【課題】新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】メモリセル200は、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有するトランジスタ201と、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有するトランジスタ202と、第3のゲート電極、第3のソース電極及び第3のドレイン電極を有する第3のトランジスタ203と、を有する。トランジスタ201は、...

    半導体装置

  17. 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、下部に第1の半導体材料を用いたトランジスタ160を有し、上部に第2の半導体材料を用いたトランジスタ162を有する。トランジスタ160は、半導体材料を含む基板100に設けられたチャネル形成領域116と、チャネル形成領域1...

    半導体装置の作製方法

  18. 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、酸化物半導体を用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流(オフ電流)が少ない書き込み用トランジスタ162、書き込み用トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ160及び容量素子164を含む不揮発...

    半導体装置

  19. 【課題】作製工程中にESDによる損傷を生じにくい半導体装置を提供する。【解決手段】ダイシングラインと重なる位置にバンドギャップが2.5eV以上4.2eV以下、好ましくは2.7eV以上3.5eV以下の層を設ける。トランジスタなどの半導体装置の周囲にエネルギーバンドギャップが2.5eV以上4.2eV以下、好ましくは2.7eV以上3.5eV以下の層を設ける。当該層はフローテ...

    半導体装置の作製方法

  20. 【課題】読み出す電圧が周囲温度等の影響を受けても、正しいデータとして読み出すことのできる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置において、温度変化に対して閾値電圧が変動する第2の回路(ADC)中のトランジスタ51のゲートに基準となる参照電圧Vrefを印加し、閾値電圧Vthの変動分が加算された補正された参照電圧Vref+Vthを生成する。第2の回路中のトランジスタの...

    半導体装置