加藤清 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、第2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ...

    半導体装置

  2. 【課題】しきい値が適正化された半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】半導体と、半導体に電気的に接するソース電極あるいはドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート電極と半導体との間に設けられる電荷捕獲層とを有するマトリクス状に配置した複数のトランジスタを有する半導体装置において、加熱しつつ、ゲート電極の電位をソース電極やドレイン電極よりも高くし、かつ、1秒以上保持するこ...

    半導体装置、及び半導体装置の作製方法

  3. 技術 記憶装置

    【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】第1のソース電極および第1のドレイン電極と、第1のソース電極および第1のドレイン電極と電気的に接続され、酸化物半導体材料が用いられている第1のチャネル形成領域と、第1のチャネル形成領域上の第...

    記憶装置

  4. 【課題】消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。【解決手段】記憶素子として機能するトランジスタに蓄積された電荷を保持するためのスイッチング素子として、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジスタを、記憶装置の各メモリセルに設ける。また、記憶素子として用いるトランジスタは、第1のゲート電極と、第2のゲート電極と、第...

    半導体装置

  5. 【課題】トランジスタおよび容量素子の占有面積の小さい半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置において、トランジスタ51は、基板100上の凸部を有する絶縁膜102と、絶縁膜102の凸部上の半導体106と、半導体106の上面および側面と接する領域を有する導電膜116aおよび導電膜116bと、半導体106上、導電膜116a上および導電膜116b上の絶縁膜112と、絶縁膜...

    半導体装置

  6. 【課題】並列処理が可能な低消費電力半導体装置を提供する。【解決手段】プロセッサは、CPU、GPUが設けられたチップを有する。CPU、GPUそれぞれは、1又は複数のパワーゲーティングが可能なパワードメインを有する。CPUには、バックアップ回路が電気的に接続されているフリップフロップ、および第1メモリセルを有する第1メモリ装置が設けられている。GPUには、行列状に配置され...

    プロセッサ、および電子機器

  7. 【課題】高集積化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】プラグ、2つの容量素子、および1つの酸化物半導体を共有する2つのトランジスタ、を有する半導体装置であり、各トランジスタは、酸化物半導体上のゲート絶縁体とゲート電極からなる積層体と、ゲート電極の側面に接して設けられた絶縁体を有する。プラグは、2つのゲート電極との間の領域に、各ゲート電極側面に接して設けられた絶縁体...

    半導体装置、および半導体装置の作製方法

  8. 【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、第2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ...

    半導体装置

  9. 【課題】微細化に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】第1のトランジスタと、第1のトランジスタの上方に位置する第2のトランジスタと、第1のトランジスタと第2のトランジスタとの間に位置するバリア層と、第1のトランジスタとバリア層との間に位置する第1の電極と、バリア層と第2のトランジスタとの間に位置し、バリア層を挟んで第1の電極と重畳する第2の電極と、を備える構成と...

    半導体装置

  10. 【課題】素子の微細化を進めてもデータの保持に必要な保持容量を確保できる、新規な構成の半導体装置を提供する。【解決手段】容量素子を構成する電極をトランジスタのゲートとなる電極と、ソースおよびドレインとなる電極と、同層に設けられた電極で構成する。そして、トランジスタのゲートとなる電極を設ける層と、複数のメモリ間のトランジスタのゲートを接続する配線層と、を別の層に設ける構成...

    半導体装置

  11. 【課題】単位面積あたりの記憶容量の大きい半導体装置を提供する。【解決手段】第1の開口を有する第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の、第2の開口を有する第1の導電体と、第1の絶縁体上の、第3の開口を有する第2の絶縁体と、第1の開口、第2の開口、および第3の開口を貫通するように設けられた酸化物と、を有し、酸化物は、少なくとも第1の開口内において、第1の領域を有し、少なくとも第2...

    半導体装置、および半導体装置の作製方法

  12. 【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の素子の出力が第2の素子の入力に電気的に接続され、第2の素子の出力が第1の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域...

    半導体装置