兪大立 さんに関する公開一覧

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公開年
  1. 【課題】トリガ電圧を、CMOS装置のゲート酸化物層の絶縁破壊電圧以下に下げて、ESD保護回路がそれ自身破損する前にCMOS装置に対する保護を提供できるようにする。【解決手段】NMOSトランジスタの突き抜け電圧を、NMOSトランジスタのチャネル長さL及びゲート電圧VG を変えることで、所定レベルに調節する。ICパッドに静電放電(ESD)による負荷が生じたときは、NMOS...

    ゲート結合を介した突き抜けトリガによる静電放電保護回路