光井彰 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】ISO9050−2003に準じた300〜2500nmの日射エネルギー吸収率αが高く、使用温度である450℃以下での放射率εが低くなる波長選択性を有し、膜構成が簡単で生産性の高い光選択吸収膜の提供。【解決手段】基材上に形成される光選択吸収膜であって、前記基材側から順に赤外線反射層、太陽光の吸収層および反射防止層をこの順番に有し、前記吸収層が、Cr、FeおよびNi...

    光選択吸収膜、集熱管および太陽熱発電装置

  2. 【課題】非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を容易に製造する方法を提供する。【解決手段】結晶質C12A7エレクトライドを含むターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、スパッタリング法により、基板上に成膜を行うことにより、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。

    非晶質酸化物およびそのエレクトライドの薄膜の製造方法

  3. 【課題】日射エネルギー吸収率が高く、かつ400℃以上での放射率が低い光選択吸収膜を提供する。【解決手段】基材上に形成される光選択吸収膜であって、前記基材上に積層され、前記基材側から順に金属層と半導体層との繰り返し構造を2以上有する第1の積層部と、前記第1の積層部上に積層され、誘電体層と半導体層との繰り返し構造を1以上有する第2の積層部と、前記第2の積層部上に積層された...

    光選択吸収膜、集熱管、および太陽熱発電装置

  4. 【課題】従来に比べて、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層との間における抵抗の低い半導体素子を提供する。【解決手段】基板、第1の電極、第2の電極、第3の電極、および半導体層を有する半導体素子であって、前記基板の厚さ方向において、前記基板、前記第1の電極、前記第3の電極がこの順に配置される構造を含み、前記第1の電極と前記第3の電極との間に前記半導体層が存在し、前記第1の...

    半導体素子およびダイオード

  5. 【課題】毒性のない材料により形成されており、プロセス条件、使用環境、や使用条件の制限の少ない電磁波検出素子を提供する。【解決手段】第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられたカルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜により形成されている光導電層と、を有することを特徴とする電磁波検出素子を提供することによ...

    電磁波検出素子および電磁波検出装置

  6. 【課題】従来に比べて、ソースおよび/またはドレイン電極と、半導体層との間の接触抵抗が有意に抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極および半導体層を有する半導体装置であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極の片方または双方と前記半導体層との間に、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を有す...

    半導体装置および半導体装置の製造方法

  7. 【課題】光を照射することにより発生した正孔や電子を効率よく取り出すことのできる光電変換素子を提供する。【解決手段】第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた光電変換層と、前記光電変換層と前記第2の電極との間に設けられたカルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜により形成されたエレクトライド層と、を有す...

    光電変換素子及び撮像素子