佐々木雄一朗 さんに関する公開一覧

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  1. 【課題】フィン型半導体領域の側面に不純物を導入して低抵抗の不純物領域を形成できるようにし、それによって、所望の特性を持つフィン型半導体装置を実現する。【解決手段】基板11上にフィン型半導体領域13を形成した後、不純物含有ガスと酸素含有ガスとを用いて、フィン型半導体領域13に対してプラズマドーピングを行うことによって、フィン型半導体領域13の少なくとも側部に不純物導入領...

    半導体装置の製造方法及びプラズマドーピング装置

  2. 【課題・解決手段】基板(100)上に形成されたフィン型半導体領域(102)にプラズマドーピング法を用いて不純物を導入することにより、不純物導入層(105)を形成する。また、フィン型半導体領域(102)にプラズマドーピング法を用いて炭素を導入することにより、不純物導入層(105)の少なくとも一部分と重複するように炭素導入層を形成する。

    半導体装置の製造方法及びプラズマドーピング装置